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公开(公告)号:CN103515342A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201210425205.5
申请日:2012-10-30
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号: H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要: 本发明提供了一种器件,该器件包括第一封装部件和第二封装部件。第一封装部件包括位于第一封装部件顶面处的第一多个连接件以及位于该顶面处的第二多个连接件。第二封装部件位于第一多个连接件上方并且与第一多个连接件接合,其中,第二多个连接件未接合至第二封装部件。阻焊剂位于第一封装部件的顶面上。沟槽设置在阻焊剂中,其中,阻焊剂的部分将第二多个连接件与第一多个连接件间隔开。本发明还提供了封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN103378040A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201310002713.7
申请日:2013-01-05
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/4824 , H01L21/563 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/16056 , H01L2224/16146 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种半导体器件封装件及半导体器件封装方法。在一种实施例中,由于半导体器件的封装件包括衬底以及设置在衬底的第一表面上的接触焊盘。接触焊盘具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧。导电线路连接至接触焊盘的第一侧,并且导电线路的延伸部连接至接触焊盘的第二侧。多个接合焊盘设置在衬底的第二表面上。
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公开(公告)号:CN103219316A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201210468976.2
申请日:2012-11-19
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/768 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0347 , H01L2224/03612 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05582 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/21 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/27416 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2224/81 , H01L2924/01029 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了封装组件和形成封装组件的方法,其中,该封装组件包括通过互连接合结构电连接至衬底的半导体管芯。半导体管芯包括上覆半导体衬底的凸块以及上覆半导体衬底并与凸块的第一部分物理接触的模塑料层。衬底包括位于导电区域上的不流动底部填充层。凸块的第二部分与不流动底部填充层物理接触以形成互连接合结构。
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公开(公告)号:CN102005440B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201010266338.3
申请日:2010-08-26
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L24/97 , B32B37/02 , B32B38/0004 , B32B2457/14 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/67005 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06568 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要: 本发明一实施例提供一种集成电路结构及其形成方法,该集成电路结构包括:一底裸片;一顶裸片,接合至该底裸片,其中该顶裸片具有一尺寸,小于该底裸片的一尺寸;以及一封装化合物,位于该顶裸片及该顶裸片之上,其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘,且其中该底裸片的边缘垂直对齐于该封装化合物的相应边缘。本发明可缩减封装尺寸,且也可减少工艺时间与成本。
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公开(公告)号:CN102800600A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201110391058.X
申请日:2011-11-25
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/687
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/67126 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/81815 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要: 实施例是用于半导体封装的方法。该方法包括:将芯片穿过夹具的第一侧面附接到载体基板,该芯片通过凸块附接;将球穿过夹具的第二侧面施加在载体基板上的接合焊盘;以及同时回流凸块和球。根据另一个实施例,封装夹具包括盖板、基座和连接件。盖板具有穿过该盖板的第一窗口。基座具有穿过该基座的第二窗口。第一窗口暴露出盖板和基座中间的体积的第一表面,而第二窗口暴露出该体积的第二表面。第一表面相对于体积与第二表面相对。连接件对齐和连接盖板与基座。本发明还公开了一种用于半导体封装的封装夹具及工艺。
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公开(公告)号:CN101740553B
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN200910222543.7
申请日:2009-11-13
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/00 , H01L23/473 , H01L23/522
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/46 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L23/5226 , H01L24/82 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06544 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构,该管芯包括:半导体衬底;第一介电层,在半导体衬底之上;互连结构,包括介电层中的金属线和通孔;多个通道,从半导体衬底内部延伸到介电层内部;以及介电膜,在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。
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公开(公告)号:CN102375076A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201010257003.5
申请日:2010-08-17
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: G01Q10/00
摘要: 本发明公开了一种扫描设备,用以对一待测物进行检测,包括一轨道、一探测头、一连接装置以及一转位单元。该连接装置连接该轨道以及该探测头,该连接装置包括一推送单元,该推送单元连接该轨道,使该连接装置及该探测头沿该轨道滑动。转位单元连接于该探测头以及该轨道,该转位单元通过磁力控制该探测头相对于该轨道而转动。本发明中的由该待测物所反射的超音波信号仍可充分的由探测头接收,可避免检测失败的情况发生。
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公开(公告)号:CN101924042B
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN201010143362.8
申请日:2010-03-19
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L23/3114 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1433 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种裸片堆叠结构的形成方法。该方法包括如下步骤:多个裸片分别接合至晶片的第一表面上的多个半导体芯片之一。在多个裸片及晶片的第一表面上形成有封装结构。封装结构覆盖该晶片的中心部分的第一表面,并露出该晶片的边缘部分。保护材料则形成于晶片的第一表面的边缘部分上。本发明的形成方法使晶片中较脆弱的层状结构如低介电常数层较不会产生碎裂、剥离、或分层等现象,可大幅提升封装工艺的合格率。
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公开(公告)号:CN101728362B
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN200910119324.6
申请日:2009-03-24
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/538 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05568 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/01019 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要: 本发明提出了一种堆叠半导体衬底的系统、结构和制造方法。第一衬底包括第一侧与第二侧。穿透衬底通孔从第一衬底的第一侧突出,穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层,以及穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫。该系统还包括第二衬底以及接合界面结构,其中接合界面结构在穿透衬底通孔的第一突出部的导电保护涂层处将所述第二衬底结合到第一衬底上。
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公开(公告)号:CN101740417B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910222542.2
申请日:2009-11-13
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L25/00 , H01L23/485 , H01L23/522
CPC分类号: H01L21/76898 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , H01L2224/05001 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11002 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81001 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/05099 , H01L2924/013 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要: 提供了改进的半导体芯片制造的系统和方法。优选的实施例提供了一种用于制造可堆叠芯片的方法,该方法包括:设置第一衬底;以及在第一衬底中形成硅通孔。硅通孔从第一衬底的第一表面延伸出,其中,硅通孔连接至第一衬底的第一表面上的导电层,并且导电层具有平坦表面。导电层通过粘合剂接合至载体衬底。该方法后续步骤为:将第二衬底接合至第一衬底的第二表面;去除载体衬底;去除粘结剂层;以及图样化导电层,以形成接触焊盘。
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