具有极细间距堆叠的微电子组件

    公开(公告)号:CN102931103B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201210393990.0

    申请日:2006-12-19

    Abstract: 一种制造堆叠微电子组件的方法包括:提供第一微电子封装(122A),所述第一微电子封装具有第一衬底(124A)以及从所述第一衬底(124A)的表面(128A)延伸的导电柱(130A),以及提供第二微电子封装(122B),其具有第二衬底(124B)和从第二衬底(124B)的表面(126B)延伸的导电可熔块(148B)。在第一和第二衬底(124A,124B)的表面之一上固定微电子元件(154A),所述微电子元件(154A)界定从所述第一和第二衬底的固定所述微电子元件的表面之一延伸的垂直高度H1。第一衬底的导电柱(130A)的末端(131A)抵靠到第二衬底的可熔块(148B)的顶点,由此每个导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于固定到所述第一和第二衬底的表面之一的所述微电子元件(154A)的垂直高度。

    具有极细间距堆叠的微电子组件

    公开(公告)号:CN102931103A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210393990.0

    申请日:2006-12-19

    Abstract: 一种制造堆叠微电子组件的方法包括:提供第一微电子封装(122A),所述第一微电子封装具有第一衬底(124A)以及从所述第一衬底(124A)的表面(128A)延伸的导电柱(130A),以及提供第二微电子封装(122B),其具有第二衬底(124B)和从第二衬底(124B)的表面(126B)延伸的导电可熔块(148B)。在第一和第二衬底(124A,124B)的表面之一上固定微电子元件(154A),所述微电子元件(154A)界定从所述第一和第二衬底的固定所述微电子元件的表面之一延伸的垂直高度H1。第一衬底的导电柱(130A)的末端(131A)抵靠到第二衬底的可熔块(148B)的顶点,由此每个导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于固定到所述第一和第二衬底的表面之一的所述微电子元件(154A)的垂直高度。

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