公开(公告)号：US08362617B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12113282

申请日：2008-05-01

申请人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

发明人： Ivan Nikitin ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment provides a semiconductor device including a carrier, a first chip attached to the carrier, a structured dielectric coupled to the chip and to the carrier, and a conducting element electrically connected with the chip and extending over a portion of the structured dielectric. The conducting element includes a sintered region.

摘要翻译： 一个实施例提供了一种半导体器件，其包括载体，附接到载体的第一芯片，耦合到芯片和载体的结构化介质，以及与芯片电连接并延伸到结构化电介质的一部分上的导电元件。 导电元件包括​​烧结区域。

公开(公告)号：US08283756B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US11841294

申请日：2007-08-20

申请人： Ivan Galesic ,  Joachim Mahler ,  Alexander Heinrich ,  Khalil Hosseini

发明人： Ivan Galesic ,  Joachim Mahler ,  Alexander Heinrich ,  Khalil Hosseini

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An electronic component includes a metal substrate, a semiconductor chip configured to be attached to the metal substrate, and a buffer layer positioned between the metal substrate and the semiconductor chip configured to mechanically decouple the semiconductor chip and the metal substrate. The buffer layer extends across less than an entire bottom surface of the semiconductor chip.

摘要翻译： 电子部件包括金属基板，被配置为附接到金属基板的半导体芯片以及位于金属基板和半导体芯片之间的缓冲层，该缓冲层构造成使半导体芯片和金属基板机械地解耦。 缓冲层跨越半导体芯片的整个底表面延伸。

公开(公告)号：US08129225B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US11837087

申请日：2007-08-10

申请人： Stefan Landau ,  Alexander Koenigsberger ,  Joachim Mahler ,  Klaus Schiess

发明人： Stefan Landau ,  Alexander Koenigsberger ,  Joachim Mahler ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

摘要： A method includes providing an integral array of first carriers, arranging first semiconductor chips on the first carriers, and arranging an integral array of second carriers over the semiconductor chips.

摘要翻译： 一种方法包括提供第一载体的整体阵列，在第一载流子上布置第一半导体芯片，以及在半导体芯片上布置第二载流子的整体阵列。

公开(公告)号：US08101463B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12370437

申请日：2009-02-12

申请人： Manfred Mengel ,  Joachim Mahler ,  Stefan Landau

发明人： Manfred Mengel ,  Joachim Mahler ,  Stefan Landau

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes placing a chip on a carrier, and applying an electrically conducting layer to the chip and the carrier. The method additionally includes converting the electrically conducting layer into an electrically insulating layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将芯片放置在载体上，并将导电层施加到芯片和载体上。 该方法还包括将导电层转换成电绝缘层。

公开(公告)号：US08097936B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US11685321

申请日：2007-03-13

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L25/162 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

摘要： A component has a device applied to a device carrier, a first conducting layer grown onto the device and onto the device carrier, and an insulating material applied to the first conducting layer such that only a portion of the first conducting layer is covered.

摘要翻译： 组件具有施加到器件载体的器件，生长在器件上并在器件载体上的第一导电层，以及施加到第一导电层的绝缘材料，使得只有第一导电层的一部分被覆盖。

公开(公告)号：US08030744B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12770017

申请日：2010-04-29

申请人： Thomas Laska ,  Matthias Stecher ,  Gregory Bellynck ,  Khalil Hosseini ,  Joachim Mahler

发明人： Thomas Laska ,  Matthias Stecher ,  Gregory Bellynck ,  Khalil Hosseini ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01R12/57 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01R13/03 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006

摘要： An electrical connection arrangement between a semiconductor circuit arrangement and an external contact device, and to a method for producing the connection arrangement is disclosed. In one embodiment, a metallic layer is deposited onto at least one contact terminal and/or the contacts and the wire, the metallic layer protecting the contact terminal or the electrical connection against ambient influences and ensuring a high reliability.

摘要翻译： 公开了半导体电路装置和外部接触装置之间的电气连接装置，以及用于制造连接装置的方法。 在一个实施例中，金属层沉积在至少一个接触端子和/或触点和导线上，金属层保护接触端子或电连接免受环境影响并确保高可靠性。

公开(公告)号：US20110189821A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12899622

申请日：2010-10-07

申请人： Ralf Otremba ,  Joachim Mahler ,  Bernd Rakow ,  Reimund Engl ,  Rupert Fischer

发明人： Ralf Otremba ,  Joachim Mahler ,  Bernd Rakow ,  Reimund Engl ,  Rupert Fischer

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a method comprising placing a first semiconductor chip on a carrier. After placing the first semiconductor chip on the carrier, an electrically insulating layer is deposited on the carrier. A second semiconductor chip is placed on the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 一个实施例提供了一种方法，包括将第一半导体芯片放置在载体上。 在将第一半导体芯片放置在载体上之后，在载体上沉积电绝缘层。 第二半导体芯片放置在电绝缘层上。

公开(公告)号：US07968378B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12026675

申请日：2008-02-06

申请人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Louis Vervoort

发明人： Joachim Mahler ,  Edward Fuergut ,  Louis Vervoort

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15311 ,  H01Q1/246 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/285 ,  H01Q19/30 ,  H01Q21/062 ,  H01Q25/005 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： One embodiment provides a method of manufacturing semiconductor devices. For example, a sawn and expanded wafer is utilized having dielectrical material deposited between the diced and deposited chips. The method includes placing at least two chips on a metallic layer, depositing mold material on the metallic layer and between the chips, and selectively removing a portion of the mold material from the metallic layer to selectively expose a portion of the metallic layer. The method additionally includes covering the selectively exposed portion of the metallic layer with a conductive material, and singulating the at least two chips.

摘要翻译： 一个实施例提供一种制造半导体器件的方法。 例如，使用锯切和膨胀的晶片，其具有沉积在切割和沉积的芯片之间的介电材料。 该方法包括在金属层上放置至少两个芯片，在金属层和芯片之间沉积模具材料，并且从金属层选择性地去除模具材料的一部分以选择性地暴露金属层的一部分。 该方法另外包括用导电材料覆盖金属层的选择性暴露部分，并且对至少两个芯片进行分割。

公开(公告)号：US07956446B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12119665

申请日：2008-05-13

申请人： Alexander Heinrich ,  Klaus Schiess ,  Joachim Mahler

发明人： Alexander Heinrich ,  Klaus Schiess ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099

摘要： A chip carrier includes first, second and third layers with the second layer situated between the first and third layers. The first and third layers are formed of a first material and the second layer is formed of a second material. The second layer has a plurality of holes extending therethrough and the first material fills the holes.

摘要翻译： 芯片载体包括第一层，第二层和第三层，第二层位于第一层和第三层之间。 第一和第三层由第一材料形成，第二层由第二材料形成。 第二层具有贯穿其中的多个孔，第一材料填充孔。

公开(公告)号：US20110108971A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12615648

申请日：2009-11-10

申请人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

发明人： Henrik Ewe ,  Joachim Mahler ,  Anton Prueckl ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A laminate electronic device comprises a first semiconductor chip, the first semiconductor chip defining a first main face and a second main face opposite to the first main face, and having at least one electrode pad on the first main face. The laminate electronic device further comprises a carrier having a first structured metal layer arranged at a first main surface of the carrier. The first structured metal layer is bonded to the electrode pad via a first bond layer of a conductive material, wherein the first bond layer has a thickness of less than 10 μm. A first insulating layer overlies the first main surface of the carrier and the first semiconductor chip.

摘要翻译： 层压电子器件包括第一半导体芯片，第一半导体芯片限定第一主面和与第一主面相对的第二主面，并且在第一主面上具有至少一个电极焊盘。 层压电子器件还包括具有布置在载体的第一主表面上的第一结构金属层的载体。 第一结构化金属层经由导电材料的第一接合层接合到电极焊盘，其中第一接合层的厚度小于10μm。 第一绝缘层覆盖在载体的第一主表面和第一半导体芯片上。