公开(公告)号：US20130004681A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13174690

申请日：2011-06-30

申请人： Alan Tso ,  Jeonghoon Oh ,  Yi Zheng ,  Tom K. Cho ,  Zheng Yuan ,  Lin Zhang ,  Qunhua Wang ,  Robin L. Tiner

发明人： Alan Tso ,  Jeonghoon Oh ,  Yi Zheng ,  Tom K. Cho ,  Zheng Yuan ,  Lin Zhang ,  Qunhua Wang ,  Robin L. Tiner

IPC分类号： C23C16/50 ,  F24H9/12

CPC分类号： C23C16/45565

摘要： Embodiments of the present invention provide a plasma processing chamber having a mini blocker plate for delivering processing gas to a processing chamber and methods to use the mini blocker plate to improve uniformity. The blocker plate assembly comprising a mini blocker plate having a plurality of through holes, and two or more standoff spacers configured to position the mini blocker plate at a distance away from a blocker plate.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种等离子体处理室，其具有用于将处理气体输送到处理室的微型封隔板以及使用迷你封隔板来提高均匀性的方法。 阻挡板组件包括具有多个通孔的迷你阻塞板，以及两个或更多个支架间隔件，其构造成将迷你阻挡板定位成远离阻挡板。

公开(公告)号：US20120171852A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13266978

申请日：2010-08-02

申请人： Zheng Yuan ,  Mandar B. Pandit ,  Francimar C. Schmitt ,  Yi Zheng ,  Fan Yang ,  Lipan Li ,  Alan Tso ,  Dustin W. Ho ,  Tom K. Cho ,  Randhir Thakur

发明人： Zheng Yuan ,  Mandar B. Pandit ,  Francimar C. Schmitt ,  Yi Zheng ,  Fan Yang ,  Lipan Li ,  Alan Tso ,  Dustin W. Ho ,  Tom K. Cho ,  Randhir Thakur

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/50

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for forming and treating a silicon containing layer in a thin film transistor structure or solar cell devices are provided. In one embodiment, a method for forming a silicon containing layer on a substrate includes providing a substrate into a processing chamber, providing a gas mixture having a silicon containing gas into the processing chamber, providing a hydrogen containing gas from a remote plasma source coupled to the processing chamber, applying a RF power less than 17.5 mWatt/cm2 to the processing chamber, and forming a silicon containing layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了在薄膜晶体管结构或太阳能电池器件中形成和处理含硅层的方法。 在一个实施例中，在衬底上形成含硅层的方法包括将衬底提供到处理室中，将具有含硅气体的气体混合物提供到处理室中，从远程等离子体源提供含氢气体，其耦合到 处理室，向处理室施加小于17.5mW / cm 2的RF功率，并在基板上形成含硅层。

公开(公告)号：US20130012030A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13634526

申请日：2010-03-17

申请人： Annamalai Lakshmanan ,  Jianshe Tang ,  Dustin W. Ho ,  Francimar C. Schmitt ,  Alan Tso ,  Tom K. Cho ,  Brian Sy-Yuan Shieh ,  Hari K. Ponnekanti ,  Chris Eberspacher ,  Zheng Yuan

发明人： Annamalai Lakshmanan ,  Jianshe Tang ,  Dustin W. Ho ,  Francimar C. Schmitt ,  Alan Tso ,  Tom K. Cho ,  Brian Sy-Yuan Shieh ,  Hari K. Ponnekanti ,  Chris Eberspacher ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： An apparatus and methods for depositing amorphous and microcrystalline silicon films during the formation of solar cells are provided. In one embodiment, a method and apparatus is provided for generating and introducing hydrogen radicals directly into a processing region of a processing chamber for reaction with a silicon-containing precursor for film deposition on a substrate. In one embodiment, the hydrogen radicals are generated by a remote plasma source and directly introduced into the processing region via a line of sight path to minimize the loss of energy by the hydrogen radicals prior to reaching the processing region.

摘要翻译： 提供了在形成太阳能电池期间沉积非晶硅和微晶硅膜的装置和方法。 在一个实施方案中，提供了一种方法和装置，用于将氢自由基直接生成并引入到处理室的处理区域中，以与用于在基底上沉积膜的含硅前体反应。 在一个实施方案中，氢自由基由远程等离子体源产生，并且经由视线路径直接引入处理区域，以在到达处理区域之前最小化氢自由基的能量损失。

公开(公告)号：US20110114177A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12838861

申请日：2010-07-19

申请人： Fan Yang ,  Lin Zhang ,  Yi Zheng ,  Francimar Schmitt ,  Zheng Yuan

发明人： Fan Yang ,  Lin Zhang ,  Yi Zheng ,  Francimar Schmitt ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method and apparatus for forming solar cells is provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a first p-i-n junction cell formed on a substrate, wherein the p-i-n junction cell comprises a p-type silicon containing layer, an intrinsic type silicon containing layer formed over the p-type silicon containing layer, and a n-type silicon containing layer formed over the intrinsic type silicon containing layer, wherein the intrinsic type silicon containing layer comprises a first pair of microcrystalline layer and amorphous silicon layer.

摘要翻译： 提供一种用于形成太阳能电池的方法和装置。 在一个实施例中，光伏器件包括形成在衬底上的第一pin结单元，其中该pin结单元包括p型含硅层，在p型含硅层上形成本征型含硅层，以及 在本征型含硅层上形成n型含硅层，其中本征型含硅层包括第一对微晶层和非晶硅层。

公开(公告)号：US20100037823A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12537278

申请日：2009-08-07

申请人： TOM K. CHO ,  Zheng Yuan ,  Brian Sy-Yuan Shieh

发明人： TOM K. CHO ,  Zheng Yuan ,  Brian Sy-Yuan Shieh

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05B1/14

CPC分类号： C23C16/042 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505

摘要： The present invention generally relates to a gas distribution showerhead and a shadow frame for an apparatus. By extending the corners of the gas distribution showerhead the electrode area may be expanded relative to the anode and thus, uniform film properties may be obtained. Additionally, the expanded corners of the gas distribution showerhead may have gas passages extending therethrough. In one embodiment, hollow cathode cavities may be present on the bottom surface of the showerhead without permitting gas to pass therethrough. The shadow frame in the apparatus may also have its corner areas extended out to enlarge the anode in the corner areas of the substrate being processed and thus, may lead to deposition of a material on the substrate having substantially uniform properties.

摘要翻译： 本发明一般涉及用于装置的气体分配喷头和阴影框架。 通过延伸气体分配喷头的角部，电极面积可以相对于阳极膨胀，因此可获得均匀的膜性质。 此外，气体分配喷头的扩展角可以具有从其延伸穿过的气体通道。 在一个实施例中，中空阴极腔可以存在于喷头的底表面上，而不允许气体通过。 装置中的阴影框架还可以将其拐角区域延伸出来，以扩大正在处理的基板的拐角区域中的阳极，并且因此可能导致材料沉积在具有基本均匀性质的基板上。

公开(公告)号：US07939422B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US11947674

申请日：2007-11-29

申请人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

发明人： Nitin K. Ingle ,  Jing Tang ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Zhenbin Ge ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Vikash Banthia ,  William H. McClintock ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76232

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a plurality of features across a surface of a substrate, with at least one space being between two adjacent features. A first dielectric layer is formed on the features and within the at least one space. A portion of the first dielectric layer interacts with a reactant derived from a first precursor and a second precursor to form a first solid product. The first solid product is decomposed to substantially remove the portion of the first dielectric layer. A second dielectric layer is formed to substantially fill the at least one space.

摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括跨越衬底的表面形成多个特征，其中至少一个空间位于两个相邻特征之间。 第一电介质层形成在特征上并且在至少一个空间内。 第一介电层的一部分与衍生自第一前体和第二前体的反应物相互作用以形成第一固体产物。 第一固体产物被分解以基本上除去第一介电层的部分。 形成第二电介质层以基本上填充至少一个空间。

公开(公告)号：US07541297B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11876541

申请日：2007-10-22

申请人： Abhijit Basu Mallick ,  Jeffrey C. Munro ,  Linlin Wang ,  Srinivas D. Nemani ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Dimitry Lubomirsky ,  Ellie Y. Yieh

发明人： Abhijit Basu Mallick ,  Jeffrey C. Munro ,  Linlin Wang ,  Srinivas D. Nemani ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Dimitry Lubomirsky ,  Ellie Y. Yieh

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76837

摘要： A method of forming a silicon oxide layer on a substrate. The method includes providing a substrate and forming a first silicon oxide layer overlying at least a portion of the substrate, the first silicon oxide layer including residual water, hydroxyl groups, and carbon species. The method further includes exposing the first silicon oxide layer to a plurality of silicon-containing species to form a plurality of amorphous silicon components being partially intermixed with the first silicon oxide layer. Additionally, the method includes annealing the first silicon oxide layer partially intermixed with the plurality of amorphous silicon components in an oxidative environment to form a second silicon oxide layer on the substrate. At least a portion of amorphous silicon components are oxidized to become part of the second silicon oxide layer and unreacted residual hydroxyl groups and carbon species in the second silicon oxide layer are substantially removed.

摘要翻译： 在基板上形成氧化硅层的方法。 该方法包括提供衬底并形成覆盖衬底的至少一部分的第一氧化硅层，第一氧化硅层包括残留的水，羟基和碳类。 该方法还包括将第一氧化硅层暴露于多个含硅物质以形成与第一氧化硅层部分混合的多个非晶硅组分。 此外，该方法包括在氧化环境中将与多个非晶硅组分部分混合的第一氧化硅层退火以在衬底上形成第二氧化硅层。 至少一部分非晶硅组分被氧化成第二氧化硅层的一部分，并且基本上去除了第二氧化硅层中未反应的残余羟基和碳物质。

公开(公告)号：US20110275200A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13098072

申请日：2011-04-29

申请人： Yi Zheng ,  Guangchi Xuan ,  Zheng Yuan ,  Brian Shieh

发明人： Yi Zheng ,  Guangchi Xuan ,  Zheng Yuan ,  Brian Shieh

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer is provided. In one embodiment, a method for forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer includes dynamically ramping up a silane gas supplied in a gas mixture to a surface of a substrate disposed in a processing chamber, dynamically ramping down a RF power applied in the gas mixture supplied to the processing chamber to form a plasma in the gas mixture, and forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate.

摘要翻译： 提供本征型微晶硅层的方法。 在一个实施方案中，用于形成本征型微晶硅层的方法包括将在气体混合物中供应的硅烷气体动态地升高到设置在处理室中的基板的表面，动态地降低施加在所提供的气体混合物中的RF功率 到处理室中以在气体混合物中形成等离子体，并在衬底上形成本征型微晶硅层。

公开(公告)号：US20090104789A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11876541

申请日：2007-10-22

申请人： Abhijit Basu Mallick ,  Jeffrey C. Munro ,  Linlin Wang ,  Srinivas D. Nemani ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Dimitry Lubomirsky ,  Ellie Y. Yieh

发明人： Abhijit Basu Mallick ,  Jeffrey C. Munro ,  Linlin Wang ,  Srinivas D. Nemani ,  Yi Zheng ,  Zheng Yuan ,  Dimitry Lubomirsky ,  Ellie Y. Yieh

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76837

摘要： A method of forming a silicon oxide layer on a substrate. The method includes providing a substrate and forming a first silicon oxide layer overlying at least a portion of the substrate, the first silicon oxide layer including residual water, hydroxyl groups, and carbon species. The method further includes exposing the first silicon oxide layer to a plurality of silicon-containing species to form a plurality of amorphous silicon components being partially intermixed with the first silicon oxide layer. Additionally, the method includes annealing the first silicon oxide layer partially intermixed with the plurality of amorphous silicon components in an oxidative environment to form a second silicon oxide layer on the substrate. At least a portion of amorphous silicon components are oxidized to become part of the second silicon oxide layer and unreacted residual hydroxyl groups and carbon species in the second silicon oxide layer are substantially removed.

摘要翻译： 在基板上形成氧化硅层的方法。 该方法包括提供衬底并形成覆盖衬底的至少一部分的第一氧化硅层，第一氧化硅层包括残留的水，羟基和碳类。 该方法还包括将第一氧化硅层暴露于多个含硅物质以形成与第一氧化硅层部分混合的多个非晶硅组分。 此外，该方法包括在氧化环境中将与多个非晶硅组分部分混合的第一氧化硅层退火以在衬底上形成第二氧化硅层。 至少一部分非晶硅组分被氧化成第二氧化硅层的一部分，并且基本上去除了第二氧化硅层中未反应的残余羟基和碳物质。

公开(公告)号：US20080311753A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12136931

申请日：2008-06-11

申请人： Yi Zheng ,  Sasha J. Kweskin ,  Kedar Sapre ,  Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan

发明人： Yi Zheng ,  Sasha J. Kweskin ,  Kedar Sapre ,  Nitin K. Ingle ,  Zheng Yuan

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31604

摘要： A method of forming and removing a sacrificial oxide layer is described. The method includes forming a step on a substrate, where the step has a top and sidewalls. The method may also include forming the sacrificial oxide layer around the step by chemical vapor deposition of molecular oxygen and TEOS, where the oxide layer is formed on the top and sidewalls of the step. The method may also include removing a top portion of the oxide layer and the step; removing a portion of the substrate exposed by the removal of the step to form a etched substrate; and removing the entire sacrificial oxide layer from the etched substrate.

摘要翻译： 描述了形成和去除牺牲氧化物层的方法。 该方法包括在衬底上形成台阶，其中台阶具有顶部和侧壁。 该方法还可以包括通过分子氧和TEOS的化学气相沉积在步骤周围形成牺牲氧化物层，其中氧化物层形成在台阶的顶部和侧壁上。 该方法还可以包括去除氧化物层的顶部和步骤; 通过去除步骤去除暴露的基板的一部分以形成蚀刻的基板; 并从蚀刻的衬底去除整个牺牲氧化物层。