公开(公告)号：US20060049986A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10936286

申请日：2004-09-08

申请人： Gregory Dunn ,  Jeffrey Petsinger ,  William Ziemer

发明人： Gregory Dunn ,  Jeffrey Petsinger ,  William Ziemer

IPC分类号： H01Q1/38

CPC分类号： H05K1/16 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q23/00 ,  H05K1/024 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/09454 ,  H05K2201/09509

摘要： An integrated patch antenna and electronics assembly (300) comprises an antenna dielectric layer (305), a ground plane layer (310) disposed on a first side of the antenna dielectric layer, a printed circuit dielectric layer (315) disposed on the ground plane layer opposite the antenna dielectric layer, a patterned conductive metal foil layer (320) on a component surface (323) of the assembly (300), and a conductive metal foil antenna patch (325) disposed on a second side of the antenna dielectric layer that is in a patch side (391) of the assembly. In some embodiments, a plated through hole (330) couples the antenna patch to the patterned conductive metal foil layer. In some embodiments, there are one or more printed circuit dielectric layers (316, 341, 346, 351) disposed over the antenna patch on the antenna patch side of the assembly. In some embodiments, pairs of printed circuit dielectric layers ([315, 316], [340, 341], [345, 346], [350, 351]) are formed simultaneously on each side of the assembly.

摘要翻译： 集成贴片天线和电子组件（300）包括天线电介质层（305），设置在天线电介质层的第一侧上的接地平面层（310），设置在接地平面上的印刷电路介电层（315） 与天线电介质层相对的层，在组件（300）的部件表面（323）上的图案化导电金属箔层（320）和设置在天线电介质层的第二侧上的导电金属箔天线贴片（325） 即组件的补丁侧（391）。 在一些实施例中，电镀通孔（330）将天线贴片耦合到图案化的导电金属箔层。 在一些实施例中，在组件的天线贴片侧上的天线贴片上方设置有一个或多个印刷电路电介质层（316,341,346,351）。 在一些实施例中，在组件的每一侧同时形成成对的印刷电路电介质层（[315,316]，[340,341]，[345,346]，[350,351]）。

公开(公告)号：US20050242997A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US10837461

申请日：2004-04-30

申请人： Gregory Dunn ,  Jeffrey Petsinger ,  Jovica Savic

发明人： Gregory Dunn ,  Jeffrey Petsinger ,  Jovica Savic

IPC分类号： H01G2/12 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  H05K3/00 ,  H05K3/06 ,  H05K3/42

CPC分类号： H05K3/0023 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/162 ,  H05K3/064 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2203/0571

摘要： A dielectric sheet (500, 600, 1621) includes a photodielectric support layer (505, 1630) that may be glass reinforced and a dielectric laminate (510, 605). The dielectric laminate includes first and second metal foil layers (415, 660; 210, 665, 1605, 1610), and a dielectric layer (405, 655, 1620) disposed between the first and second metal foil layers. The first metal foil layer is adhered to the photodielectric support layer. In a printed circuit and patch antenna that includes the dielectric sheet, the first metal layer is patterned by removal of metal according to a circuit pattern and the photodielectric support layer is patterned by removal of dielectric material according to the circuit pattern.

摘要翻译： 电介质片（500,600,1621）包括可以被玻璃增强的光电介质支撑层（505,1630）和介电层压板（510,605）。 介电层压板包括设置在第一和第二金属箔层之间的第一和第二金属箔层（415,660; 210,665,1605,1610）和介电层（405,655,1620）。 第一金属箔层粘附到光致介电支撑层上。 在包括电介质片的印刷电路和贴片天线中，通过根据电路图案去除金属来对第一金属层进行构图，并且通过根据电路图案去除介电材料来对光致介电支撑层进行图案化。

公开(公告)号：US20070139864A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11316087

申请日：2005-12-21

申请人： Gregory Dunn ,  Remy Chelini ,  Robert Croswell ,  Philip Lessner ,  Michael Prevallet ,  John Prymak

发明人： Gregory Dunn ,  Remy Chelini ,  Robert Croswell ,  Philip Lessner ,  Michael Prevallet ,  John Prymak

IPC分类号： H01G9/00

CPC分类号： H01G9/045 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/055 ,  H01G9/15 ,  H05K1/162 ,  H05K3/383 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09718 ,  H05K2203/0315

摘要： Embedded capacitors comprise a bimetal foil (500) that includes a first copper layer (205) and an aluminum layer (210) on the first copper layer. The aluminum layer has a smooth side adjacent the first copper layer and a high surface area textured side (215) opposite the first copper layer. The bimetal foil further includes an aluminum oxide layer (305) on the high surface area textured side of the aluminum layer, a conductive polymerlayer (420) on the aluminum oxide layer, and a second copper layer (535) overlying the aluminum oxide layer. The bimetal foil may be embedded in a circuit board (700) to form high value embedded capacitors.

摘要翻译： 嵌入式电容器包括在第一铜层上包括第一铜层（205）和铝层（210）的双金属箔（500）。 铝层具有邻近第一铜层的平滑侧面和与第一铜层相对的高表面积纹理化侧面（215）。 双金属箔还包括在铝层的高表面积纹理化侧的氧化铝层（305），氧化铝层上的导电聚合物层（420）和覆盖在氧化铝层上的第二铜层（535）。 双金属箔可以嵌入在电路板（700）中以形成高价值的嵌入式电容器。

公开(公告)号：US20050133872A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10743589

申请日：2003-12-22

申请人： Gregory Dunn ,  Scott Carney ,  Jovica Savic

发明人： Gregory Dunn ,  Scott Carney ,  Jovica Savic

IPC分类号： H01C1/148 ,  H01C7/00 ,  H01C17/065 ,  H01L21/8222 ,  H01L23/498 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01C7/006 ,  H01C1/148 ,  H01C17/065 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A technique for fabricating a patterned resistor on a substrate produces a patterned resistor (101, 801, 1001, 1324, 1374) including two conductive end terminations (110, 810, 1010) on the substrate, a pattern of first resistive material (120, 815, 1015) having a first width (125) and a first sheet resistance, and a pattern of second resistive material (205, 820, 1020) having a second width (210) and a second sheet resistance that at least partially overlies the pattern of first resistive material. One of the first and second sheet resistances is a low sheet resistance and the other of the first and second resistances is a high sheet resistance. A ratio of the high sheet resistance to the low sheet resistance is at least ten to one. The pattern having the higher sheet resistance is substantially wider than the pattern having the low sheet resistance. The patterned resistor can be precision trimmed 1225.

摘要翻译： 用于在衬底上制造图案化电阻器的技术产生包括在衬底上的两个导电端接（110,810,1010）的图案化电阻器（101,801,1001,1324,1374），第一电阻材料（120， 具有第一宽度（125）和第一薄层电阻的第二电阻材料（205,820,1020）的图案，以及具有至少部分地覆盖图案的第二宽度（210）和第二薄层电阻的图案 的第一电阻材料。 第一和第二薄层电阻之一是低的薄层电阻，第一和第二电阻中的另一个是高的薄层电阻。 高薄层电阻与低薄层电阻的比例至少为10比1。 具有较高薄层电阻的图案基本上比具有低薄层电阻的图案更宽。 图案化电阻器可精密修整1225。

公开(公告)号：US20050104207A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10982432

申请日：2004-11-05

申请人： Timothy Dean ,  Terance Blake ,  Gregory Dunn ,  Remy Chelini ,  William Lytle ,  Owen Fay ,  George Strumberger

发明人： Timothy Dean ,  Terance Blake ,  Gregory Dunn ,  Remy Chelini ,  William Lytle ,  Owen Fay ,  George Strumberger

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48744

摘要： The invention provides an integrated device with corrosion-resistant capped bond pads. The capped bond pads include at least one aluminum bond pad on a semiconductor substrate. A layer of electroless nickel is disposed on the aluminum bond pad. A layer of electroless palladium is disposed on the electroless nickel, and a layer of immersion gold is disposed on the electroless palladium. A capped bond pad and a method of forming the capped bond pads are also disclosed.

公开(公告)号：US20050001324A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10610745

申请日：2003-07-01

申请人： Gregory Dunn ,  Owen Fay ,  Timothy Dean ,  Terance Blake ,  Remy Chelini ,  William Lytle ,  George Strumberger

发明人： Gregory Dunn ,  Owen Fay ,  Timothy Dean ,  Terance Blake ,  Remy Chelini ,  William Lytle ,  George Strumberger

IPC分类号： G01L9/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/12 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/147 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012

摘要： The invention provides an integrated device with corrosion-resistant capped copper bond pads. The capped copper bond pads include at least one copper bond pad on a semiconductor substrate. An activation layer comprising one of immersion palladium, electroless cobalt, or immersion ruthernium is disposed on the copper bond pad. A first intermediate layer of electroless nickel-boron alloy is disposed on the activation layer. A second intermediate layer comprising one of electroless nickel or electroless palladium is disposed on the first intermediate layer, and an immersion gold layer is disposed on the second intermediate layer. A capped copper bond pad and a method of forming the capped copper bond pads are also disclosed.

摘要翻译： 本发明提供了一种具有耐腐蚀的封盖铜焊盘的集成器件。 封装的铜键合焊盘包括半导体衬底上的至少一个铜焊盘。 包含浸渍钯，无电解钴或浸渍铯中的一种的活化层设置在铜键合焊盘上。 化学镀镍 - 硼合金的第一中间层设置在活化层上。 在第一中间层上设置包含非电解镍或无电解钯中的一种的第二中间层，在第二中间层上设置浸金层。 还公开了封盖铜键合焊盘和形成封盖铜键合焊盘的方法。

公开(公告)号：US20080216296A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12031092

申请日：2008-02-14

申请人： John D. Prymak ,  Chris Stolarski ,  David Jacobs ,  Chris Wayne ,  Philip Lessner ,  John T. Kinard ,  Alethia Melody ,  Gregory Dunn ,  Robert T. Croswell ,  Remy J. Chelini

发明人： John D. Prymak ,  Chris Stolarski ,  David Jacobs ,  Chris Wayne ,  Philip Lessner ,  John T. Kinard ,  Alethia Melody ,  Gregory Dunn ,  Robert T. Croswell ,  Remy J. Chelini

IPC分类号： H01G4/002

CPC分类号： H01G9/0029 ,  H01G9/012 ,  H01G9/0425 ,  H01G9/055 ,  H01G9/15 ,  H05K1/185 ,  Y10T29/417

摘要： An improved method for forming a capacitor. The method includes the steps of: providing a metal foil; forming a dielectric on the metal foil; applying a non-conductive polymer dam on the dielectric to isolate discrete regions of the dielectric; forming a cathode in at least one discrete region of the discrete regions on the dielectric; and cutting the metal foil at the non-conductive polymer dam to isolate at least one capacitor comprising one cathode, one discrete region of the dielectric and a portion of the metal foil with the discrete region of the dielectric.

摘要翻译： 一种形成电容器的改进方法。 该方法包括以下步骤：提供金属箔; 在金属箔上形成电介质; 将非导电聚合物坝施加在电介质上以隔离电介质的离散区域; 在电介质上的离散区域的至少一个离散区域中形成阴极; 并且在非导电聚合物阻挡件处切割金属箔以将包括一个阴极，电介质的一个离散区域和金属箔的一部分的至少一个电容器与电介质的离散区域隔离。

公开(公告)号：US20070209178A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11276688

申请日：2006-03-10

申请人： Jovica Savic ,  Remy Chelini ,  Gregory Dunn

发明人： Jovica Savic ,  Remy Chelini ,  Gregory Dunn

IPC分类号： H01G7/00 ,  H01K3/10

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0044 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/025 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

摘要： A method for forming embedded capacitors on a printed circuit board is disclosed. The capacitor is formed on the printed circuit board by a depositing a first dielectric layer over one or more electrodes situated on the PCB. Another electrode is formed on top of the first dielectric layer and a second dielectric layer is deposited on top of that electrode. A third electrode is formed on top of the second dielectric layer. The two dielectric layers are abrasively delineated in a single step by a method such as sand blasting to define portions of the first and second dielectric layers to create a multilayer capacitive structure.

摘要翻译： 公开了一种在印刷电路板上形成嵌入式电容器的方法。 通过在位于PCB上的一个或多个电极上沉积第一介电层，在印刷电路板上形成电容器。 另一电极形成在第一电介质层的顶部，并且第二电介质层沉积在该电极的顶部上。 在第二电介质层的顶部形成第三电极。 通过诸如喷砂的方法在单个步骤中擦拭两个电介质层，以限定第一和第二电介质层的部分以产生多层电容结构。

公开(公告)号：US20060207970A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11084938

申请日：2005-03-21

申请人： Gregory Dunn ,  Robert Croswell ,  Jaroslaw Magera ,  Jovica Savic ,  Aroon Tungare

发明人： Gregory Dunn ,  Robert Croswell ,  Jaroslaw Magera ,  Jovica Savic ,  Aroon Tungare

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  C23F1/32 ,  C23F1/34 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/025 ,  H05K3/06 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0746

摘要： A method is disclosed for fabricating a patterned embedded capacitance layer. The method includes fabricating (1305, 1310) a ceramic oxide layer (510) overlying a conductive metal layer (515) overlying a printed circuit substrate (505), perforating (1320) the ceramic oxide layer within a region (705), and removing (1325) the ceramic oxide layer and the conductive metal layer in the region by chemical etching of the conductive metal layer. The ceramic oxide layer may be less than 1 micron thick.

摘要翻译： 公开了一种用于制造图案化的嵌入式电容层的方法。 该方法包括制造覆盖在印刷电路衬底（505）上的导电金属层（515）上的陶瓷氧化物层（510），在区域（705）内穿孔（1320）陶瓷氧化物层，以及去除 （1325）通过化学蚀刻导电金属层的区域中的陶瓷氧化物层和导电金属层。 陶瓷氧化物层可以小于1微米厚。

公开(公告)号：US07745281B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12031092

申请日：2008-02-14

申请人： John D. Prymak ,  Chris Stolarski ,  David Jacobs ,  Chris Wayne ,  Philip Lessner ,  John T. Kinard ,  Alethia Melody ,  Gregory Dunn ,  Robert T. Croswell ,  Remy J. Chelini

发明人： John D. Prymak ,  Chris Stolarski ,  David Jacobs ,  Chris Wayne ,  Philip Lessner ,  John T. Kinard ,  Alethia Melody ,  Gregory Dunn ,  Robert T. Croswell ,  Remy J. Chelini

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01G9/0029 ,  H01G9/012 ,  H01G9/0425 ,  H01G9/055 ,  H01G9/15 ,  H05K1/185 ,  Y10T29/417

摘要： An improved method for forming a capacitor. The method includes the steps of: providing a metal foil; forming a dielectric on the metal foil; applying a non-conductive polymer dam on the dielectric to isolate discrete regions of the dielectric; forming a cathode in at least one discrete region of the discrete regions on the dielectric; and cutting the metal foil at the non-conductive polymer dam to isolate at least one capacitor comprising one cathode, one discrete region of the dielectric and a portion of the metal foil with the discrete region of the dielectric.

摘要翻译： 一种形成电容器的改进方法。 该方法包括以下步骤：提供金属箔; 在金属箔上形成电介质; 将非导电聚合物坝施加在电介质上以隔离电介质的离散区域; 在电介质上的离散区域的至少一个离散区域中形成阴极; 并且在非导电聚合物阻挡件处切割金属箔以将包括一个阴极，电介质的一个离散区域和金属箔的一部分的至少一个电容器与电介质的离散区域隔离。