公开(公告)号：US20110285023A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US12784266

申请日：2010-05-20

申请人： Wen-Wei Shen ,  Ying-Ching Shih ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

发明人： Wen-Wei Shen ,  Ying-Ching Shih ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1354 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A bump structure that may be used to interconnect one substrate to another substrate is provided. A conductive pillar is formed on a first substrate such that the conductive pillar has a width different than a contact surface on a second substrate. In an embodiment the conductive pillar of the first substrate has a trapezoidal shape or a shape having tapered sidewalls, thereby providing a conductive pillar having base portion wider than a tip portion. The substrates may each be an integrated circuit die, an interposer, a printed circuit board, a high-density interconnect, or the like.

摘要翻译： 提供了可用于将一个衬底互连到另一衬底的凸块结构。 导电柱形成在第一基板上，使得导电柱的宽度不同于第二基板上的接触表面。 在一个实施例中，第一基板的导电柱具有梯形形状或具有锥形侧壁的形状，从而提供具有比尖端部宽的基部的导电柱。 基板可以各自为集成电路管芯，插入件，印刷电路板，高密度互连等。

公开(公告)号：US09142533B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US12784266

申请日：2010-05-20

申请人： Wen-Wei Shen ,  Ying-Ching Shih ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

发明人： Wen-Wei Shen ,  Ying-Ching Shih ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1354 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A bump structure that may be used to interconnect one substrate to another substrate is provided. A conductive pillar is formed on a first substrate such that the conductive pillar has a width different than a contact surface on a second substrate. In an embodiment the conductive pillar of the first substrate has a trapezoidal shape or a shape having tapered sidewalls, thereby providing a conductive pillar having base portion wider than a tip portion. The substrates may each be an integrated circuit die, an interposer, a printed circuit board, a high-density interconnect, or the like.

摘要翻译： 提供了可用于将一个衬底互连到另一衬底的凸块结构。 导电柱形成在第一基板上，使得导电柱的宽度不同于第二基板上的接触表面。 在一个实施例中，第一基板的导电柱具有梯形形状或具有锥形侧壁的形状，从而提供具有比尖端部宽的基部的导电柱。 基板可以各自为集成电路管芯，插入件，印刷电路板，高密度互连等。

公开(公告)号：US08901736B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US12789696

申请日：2010-05-28

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： A device includes a work piece including a metal bump; and a dielectric layer having a portion directly over the metal bump. The metal bump and a surface of the portion of the dielectric layer form an interface. A metal finish is formed over and contacting the metal bump. The metal finish extends from over the dielectric layer to below the interface.

摘要翻译： 一种装置包括：包括金属凸块的工件; 以及具有直接在金属凸块上的部分的介电层。 金属凸块和电介质层部分的表面形成界面。 在金属凸块上方形成金属涂层并与金属凸块接触。 金属表面从介电层上延伸到界面的下方。

公开(公告)号：US08241963B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12835189

申请日：2010-07-13

申请人： Wen-Wei Shen ,  Yao-Chun Chuang ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

发明人： Wen-Wei Shen ,  Yao-Chun Chuang ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/00

摘要： A bump structure that may be used to interconnect one substrate to another substrate is provided. A recessed conductive pillar is formed on a first substrate such that the recessed conductive pillar has a recess formed therein. The recess may be filled with a solder material. A conductive pillar on a second substrate may be formed having a contact surface with a width less than or equal to a width of the recess. The first substrate may be attached to the second substrate such that the conductive pillar on the second substrate is positioned over or in the recess of the first substrate. The substrates may each be an integrated circuit die, an interposer, a printed circuit board, a high-density interconnect, or the like.

摘要翻译： 提供了可用于将一个衬底互连到另一衬底的凸块结构。 凹陷的导电柱形成在第一基板上，使得凹入的导电柱具有形成在其中的凹部。 凹部可以填充有焊料材料。 第二基板上的导电柱可以形成为具有宽度小于或等于凹部宽度的接触表面。 第一衬底可以附接到第二衬底，使得第二衬底上的导电柱位于第一衬底的凹部中或其中。 基板可以各自为集成电路管芯，插入件，印刷电路板，高密度互连等。

公开(公告)号：US20110291262A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12789696

申请日：2010-05-28

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Ming-Fa Chen ,  Rung-De Wang

IPC分类号： H01L23/498 ,  B32B3/10 ,  B32B15/04 ,  B32B3/30

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： A device includes a work piece including a metal bump; and a dielectric layer having a portion directly over the metal bump. The metal bump and a surface of the portion of the dielectric layer form an interface. A metal finish is formed over and contacting the metal bump. The metal finish extends from over the dielectric layer to below the interface.

摘要翻译： 一种装置包括：包括金属凸块的工件; 以及具有直接在金属凸块上的部分的介电层。 金属凸块和电介质层部分的表面形成界面。 在金属凸块上方形成金属涂层并与金属凸块接触。 金属表面从介电层上延伸到界面的下方。

公开(公告)号：US20120012997A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US12835189

申请日：2010-07-13

申请人： Wen-Wei Shen ,  Yao-Chun Chuang ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

发明人： Wen-Wei Shen ,  Yao-Chun Chuang ,  Chen-Shien Chen ,  Ming-Fa Chen

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/00

摘要： A bump structure that may be used to interconnect one substrate to another substrate is provided. A recessed conductive pillar is formed on a first substrate such that the recessed conductive pillar has a recess formed therein. The recess may be filled with a solder material. A conductive pillar on a second substrate may be formed having a contact surface with a width less than or equal to a width of the recess. The first substrate may be attached to the second substrate such that the conductive pillar on the second substrate is positioned over or in the recess of the first substrate. The substrates may each be an integrated circuit die, an interposer, a printed circuit board, a high-density interconnect, or the like.

摘要翻译： 提供了可用于将一个衬底互连到另一衬底的凸块结构。 凹陷的导电柱形成在第一基板上，使得凹入的导电柱具有形成在其中的凹部。 凹部可以填充有焊料材料。 第二基板上的导电柱可以形成为具有宽度小于或等于凹部宽度的接触表面。 第一衬底可以附接到第二衬底，使得第二衬底上的导电柱位于第一衬底的凹部中或其中。 基板可以各自为集成电路管芯，插入件，印刷电路板，高密度互连等。

公开(公告)号：US08178970B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12623925

申请日：2009-11-23

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： A flip-chip packaging assembly and integrated circuit device are disclosed. An exemplary flip-chip packaging assembly includes a first substrate; a second substrate; and joint structures disposed between the first substrate and the second substrate. Each joint structure comprises an interconnect post between the first substrate and the second substrate and a joint solder between the interconnect post and the second substrate, wherein the interconnect post exhibits a width and a first height. A pitch defines a distance between each joint structure. The first height is less than half the pitch.

摘要翻译： 公开了一种倒装芯片封装组件和集成电路器件。 示例性的倒装芯片封装组件包括第一基板; 第二基板; 以及设置在第一基板和第二基板之间的接合结构。 每个接头结构包括在第一基板和第二基板之间的互连柱和在互连柱和第二基板之间的接合焊料，其中互连柱呈现宽度和第一高度。 间距定义每个关节结构之间的距离。 第一高度小于音高的一半。

公开(公告)号：US07969013B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12791978

申请日：2010-06-02

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via structure includes a top pad and a vertical conductive post that is connected to the top pad. The top pad covers a wider area than the cross section of the vertical conductive post. An interconnect pad is formed at least partially below the top pad. An under layer is also formed at least partially below the top pad. At least one dummy structure connects the top pad and the under layer to fasten the top pad and the interconnect pad.

摘要翻译： 透硅通孔结构包括顶焊盘和连接到顶焊盘的垂直导电柱。 顶部焊盘覆盖比垂直导电柱的横截面更宽的区域。 互连焊盘至少部分地形成在顶部焊盘的下方。 底层也至少部分地形成在顶垫的下方。 至少一个虚拟结构连接顶部焊盘和下层以紧固顶部焊盘和互连焊盘。

公开(公告)号：US08202800B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US13112347

申请日：2011-05-20

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a through silicon via (TSV) structure includes forming an interconnect pad over a substrate. An under layer is formed over the interconnect pad. A vertical conductive post is formed at least partially through the substrate. At least one dummy structure is formed at least partially through the under layer. A top pad is formed over the dummy structure and the vertical conductive post. The top pad covers a wider area than a cross section of the vertical conductive post. The interconnect pad is electrically connected to the top pad. The dummy structure connects the top pad and the under layer thereby fastening the top pad and the interconnect pad.

摘要翻译： 形成贯穿硅通孔（TSV）结构的方法包括在衬底上形成互连焊盘。 在互连焊盘上形成下层。 至少部分地穿过衬底形成垂直导电柱。 至少部分地通过底层形成至少一个虚拟结构。 顶部衬垫形成在虚拟结构和垂直导电柱上。 顶部焊盘覆盖比垂直导电柱的横截面更宽的区域。 互连焊盘电连接到顶部焊盘。 虚拟结构连接顶部焊盘和下层，从而紧固顶部焊盘和互连焊盘。

公开(公告)号：US08653648B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US12245505

申请日：2008-10-03

申请人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

发明人： Chih-Hua Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Wen-Wei Shen

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/19041

摘要： A system and method for forming a TSV contact is presented. A preferred embodiment includes a TSV in contact with a portion of the uppermost metal layer of a semiconductor die. The interface between the TSV conductor and the contact pad is preferably characterized by a non-planar zigzag pattern that forms a grid pattern of contacts. Alternatively, the contacts may form a plurality of metal lines that make contact with the contact pad.

摘要翻译： 提出了一种用于形成TSV触点的系统和方法。 优选实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的一部分接触的TSV。 TSV导体和接触垫之间的界面优选地特征在于形成接触的网格图案的非平面之字形图案。 或者，触点可以形成与接触垫接触的多个金属线。