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公开(公告)号：WO2013094482A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/JP2012/082137
申请日：2012-12-12
Applicant: 田中電子工業株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/45 , H01B1/026 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45572 , H01L2224/45573 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85181 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01206 , H01L2924/0105 , H01L2924/0104 , H01L2924/01023 , H01L2924/01005 , H01L2924/01022 , H01L2224/45565 , H01L2924/01001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 【課題】ボールボンディング用パラジウム被覆銅ワイヤにおいて、アルミニウム電極に対する接合信頼性を向上する。 【解決手段】パラジウム（Pd）中間層表面に厚さ5nm以下の極薄層からなる金（Au）層を形成し、水素を含む不活性雰囲気中で熱処理を行い、金極薄層に中間層のパラジウムが侵入して微細な金相とパラジウム相とが3次元成長するストランスキー・クラスタノフ成長により、金－パラジウム混在層を形成する。 熱処理過程でパラジウムは水素を吸収し、熱処理後急冷することにより、上記混在層のパラジウムを安定化し、溶融ボール形成時に早期に溶融してワイヤ端面を被覆する金に伴って端面に達したパラジウムが溶融して溶融ボール表面層に均一微細に分散して、アルミニウムとの接合界面におけるアルミニウムの酸化を抑制する。
Abstract translation: [问题]提高用于球接的钯包铜线中的铝电极的连接的可靠性。 [解决方案]在钯（Pd）中间层的表面形成包含厚度不大于5nm的超薄层的金（Au）层，并且在含氢的惰性气氛中进行热处理，导致 中间层的钯渗透超薄金层，通过Stranski-Krastanov生长形成金 - 钯混合层，使得微金相和钯相以三维生长。 在热处理过程中，钯吸收氢气，通过热处理后的快速冷却，混合层中的钯稳定，并且与在熔融球形成期间早期融化并覆盖线端表面的金一起， 已经到达端面的钯熔融并均匀分散在熔融的球表面层，抑制铝与铝的键合界面的氧化。
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公开(公告)号：WO2010109693A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/JP2009/065227
申请日：2009-09-01
Applicant: 田中電子工業株式会社 , 山下 勉 , 秋元 英行 , 桑原 岳 , 岡崎 純一
IPC: H01L21/60
CPC classification number: B23K35/302 , B23K35/0261 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48864 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2224/85469 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01205 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/01015 , H01L2924/01206 , H01L2924/01029 , H01L2924/01204 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/45639 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45671 , H01L2224/45666 , H01L2924/01008 , H01L2924/01007 , H01L2924/01006 , H01L2924/01078 , H01L2924/20755 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/01203 , H01L2924/01046 , H01L2924/20309 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: ボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、引きちぎり後のボールアップに際してＣｕまたはＣｕ合金芯材の酸化による不都合を回避することができるボールボンディング用被覆銅ワイヤを提供する。銅－リン合金からなる芯材と、該芯材の上にパラジウムまたは白金からなる中間層と、該中間層の上に金からなる表皮層を有するボンディングワイヤであることを特徴とする被覆銅ワイヤである。
Abstract translation: 提供一种用于球接合的涂覆铜线，其中在撕裂之后，可以避免由于Cu或Cu合金芯材料的氧化造成的不便。 还提供了一种涂覆铜线，其特征在于，所述被覆铜线是具有由铜 - 磷合金构成的芯材，由芯材上形成的钯或铂构成的中间层的表面层和由 在中间层上形成金。
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公开(公告)号：WO2015053128A1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：PCT/JP2014/075999
申请日：2014-09-30
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/01206 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00014 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/00
Abstract: 本発明のボンディングワイヤ用銅素線は、ボンディングワイヤを形成するためのボンディングワイヤ用銅素線であって、純度が９９．９９９９質量％以上の高純度銅からなり、線径が０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下であり、伸線方向と垂直な断面において（００１）面の面積率が１５％以上３０％以下である。
Abstract translation: 该接合线铜线用于形成接合线。 所述铜绞线由纯度至少为99.9999质量％的高纯度铜形成，并且线直径在0.5mm至3.5mm之间。 在垂直于拉拔方向的截面上，（001）面的面积比为15％〜30％。
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公开(公告)号：WO2010005086A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/JP2009/062635
申请日：2009-07-10
Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 , 株式会社日鉄マイクロメタル , 宇野 智裕 , 山田 隆 , 池田 敦夫
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45664 , H01L2224/45666 , H01L2224/45669 , H01L2224/45671 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/48475 , H01L2224/48486 , H01L2224/48499 , H01L2224/48507 , H01L2224/48511 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48664 , H01L2224/48699 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48764 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48864 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85186 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85986 , H01L2225/06562 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01105 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01206 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10T428/12222 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00015 , H01L2924/01001 , H01L2924/01203 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20652 , H01L2924/20655 , H01L2924/20645 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/013 , H01L2924/01049
Abstract: 本発明は、材料費が安価で、バンプの上にウェッジ接合を行う逆ボンディングにおいて、連続ボンディングの生産性が高く、高温加熱、熱サイクル試験、リフロー試験又はHAST試験等の信頼性に優れる銅系ボンディングワイヤの接合構造を提供することを目的とする。 半導体素子の電極上に形成したボールバンプの上にボンディングワイヤを接続する接合構造であって、前記ボンディングワイヤ及び前記ボールバンプは銅を主成分とし、前記接合部の界面に銅以外の金属Rの濃度が前記ボールバンプにおける金属Rの平均濃度の10倍以上である濃化層Aを有し、且つ、ボールバンプと電極との接合界面に金属Rの濃度が、ボールバンプにおける金属Rの平均濃度の10倍以上である濃化層Bを有するボンディングワイヤの接合構造である。
Abstract translation: 公开了可以实现低材料成本的铜基接合线的接合结构，并且在用于凸块的楔形接合的反向接合中，可以实现高连续接合的生产率和高可靠性，例如在高温加热 ，热循环测试，回流测试或HAST测试。 接合结构包括连接到形成在半导体元件中的电极上的球凸块上的接合线。 接合线和球凸起主要由铜组成。 在接合部分的界面处设置具有不小于球凸块中的金属（R）的平均浓度的10倍的铜以外的金属（R）的浓度增加的浓度层（A） 。 在球凸块和电极的接合界面处设置具有不小于球凸块中的金属（R）的平均浓度的10倍的金属（R）浓度的增加的浓度层（B）。
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公开(公告)号：WO2013167603A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/EP2013/059509
申请日：2013-05-07
Applicant: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG
Inventor： MILKE, Eugen , PRENOSIL, Peter , THOMAS, Sven
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01B1/026 , C22F1/08 , H01B1/023 , H01B13/00 , H01B13/0016 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45624 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/85205 , H01L2224/85424 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/01206 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006
Abstract: The invention relates to a wire, preferably a bonding wire for bonding in microelectronics, comprising a copper core (2) with a surface and coating layer (3), which coating layer (3) is superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, wherein in any cross-sectional view of the wire the area share of the coating layer (3) is in the range of from 20 to 50 %, based on the total area of the cross-section of the wire, and wherein the aspect ratio between the longest path and the shortest path through the wire in any cross-sectional view is in the range of from larger than 0.8 to 1.0, and wherein the wire has a diameter in the range of from 100 μm to 600 μm. The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge bonding.
Abstract translation: 本发明涉及一种线，优选用于在微电子学中接合的接合线，包括具有表面和涂层（3）的铜芯（2），该覆层（3）重叠在芯体（2）的表面上， ，其中所述涂层（3）包括铝，其中在所述电线的任何横截面视图中，基于所述十字的总面积，所述涂层（3）的面积份额在20至50％的范围内 并且其中在任何横截面视图中，最长路径和穿过线的最短路径之间的纵横比在大于0.8至1.0的范围内，并且其中线的直径在该范围内 从100公斤到600公斤。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元素通过上述丝线通过楔形粘结。
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公开(公告)号：WO2013099413A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/JP2012/076913
申请日：2012-10-18
Applicant: 田中電子工業株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45664 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/01204 , H01L2924/01206 , H01L2924/01046 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/01007 , H01L2924/20305 , H01L2924/2076 , H01L2924/20752 , H01L2924/20756 , H01L2924/01205 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01016 , H01L2924/00013 , H01L2924/20751 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 【課題】 高純度銅細線の断面組織を二重構造とすることによって、機械的強度を増し、短時間にオン・オフを多数回繰り返す高温パワー半導体に最適な、特にサブミリ径の高純度銅ワイヤを提供する。 【解決手段】 本発明は、高純度銅細線の断面組織における上位１０個の結晶粒面積が全断面組織の５～２５％で、その結晶粒面積の８０%以上が直径の１／２０以下で定義される表皮層の内側にある、純度９９．９９７質量％～純度９９．９９９９４質量％の酸化膜を有する銅からなる半導体装置を接続するための連続伸線された高純度銅細線である。
Abstract translation: [问题]提供高纯度铜线，特别是亚毫米直径的铜线，通过在高纯度铜细线的横截面构造中形成双层结构，增加机械强度，并且对于 高温功率半导体，其中在短时间内多次重复开关循环。 解决方案本发明涉及一种高纯度铜细线，其连续地延伸用于连接半导体器件，并且由具有氧化物膜的纯度为99.997质量％-99.99994质量％的铜形成，其中， 高纯度铜细线的横截面构造中的前10个晶粒为总横截面构造的5〜25％，并且80％以上的晶粒面积在被定义为1 / 20以下的直径。
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公开(公告)号：WO2011118009A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/JP2010/055281
申请日：2010-03-25
Applicant: 田中電子工業株式会社 , 山下 勉 , 桑原 岳 , 岡崎 純一
CPC classification number: H01L24/45 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/85207 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01026 , H01L2924/01025 , H01L2924/01013 , H01L2924/01206 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2224/48 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01022 , H01L2924/01034 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/01205
Abstract: 本願発明は、再結晶温度が高く、室温での伸線ダイス加工が容易で、かつイニシャルボール硬さが小さく、ＩＣチップ割れを生じない高純度銅合金ボールボンディングワイヤを得ることを課題とする。純度９９．９９８５質量％以上の高純度銅に微量のリン（P）０．５～１５質量ｐｐｍを添加することにより、純度９９．９９９９質量％以上の高純度銅よりも再結晶温度が高く、かつボールボンディングのイニシャルボール硬さを低下させ、上記特性を達成する。また、純度９９．９９８５質量％以上の高純度銅に微量のリン（P）０．５～１５質量ｐｐｍを添加し、さらに、その他の含有する不純物の総量をリン（P）の上記含有量より低くすることにより、上記特性を達成する。
Abstract translation: 提供了一种高纯度铜合金的球形接合线，该线材具有高的再结晶温度，并且通过在室温下与模具进行拉丝而容易地制造。 球接合线具有低的初始球硬度，并且不会导致IC芯片的破损。 向纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜添加量为0.5〜15质量ppm的磷（P），由此生成比具有高纯度铜的再结晶温度高的铜合金 纯度为99.9999质量％以上，球接合时的初始球硬度降低。 因此实现了这些特性。 或者，对纯度为99.9985质量％以上的高纯度铜添加量为0.5〜15质量ppm的磷（P），将铜中含有的任何其他杂质的总量还原为 值低于磷（P）含量。 从而实现了这些特性。
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公开(公告)号：WO2013167614A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/EP2013/059528
申请日：2013-05-07
Applicant: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG
Inventor： MILKE, Eugen , PRENOSIL, Peter , THOMAS, Sven
CPC classification number: H01L24/48 , B21C1/003 , B21C9/00 , B32B15/01 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45033 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45624 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/16151 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/207 , H01L2924/2075 , Y10T29/49117 , Y10T428/1275 , H01L2924/01028 , H01L2924/01014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01008 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01203 , H01L2924/01201 , H01L2924/01206 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2224/05599 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049
Abstract: The invention relates to a ribbon, preferably a bonding ribbon for bonding in microelectronics, comprising a first layer (2) comprising copper with a surface and at least a coating layer (3) superimposed over the surface of the first layer (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, and an intermediate layer (7), wherein in a cross-sectional view of the ribbon the area share of the first layer (2) is in the range of from 50 to 96 %, based on the total area of the cross-section of the ribbon, wherein the aspect ratio between the width and the height of the ribbon in a cross-sectional view is in the range of from 0.03 to less than 0.8, wherein the ribbon has a cross-sectional area in the range of from 25Ό00 μιη 2 to 800Ό00 μιη 2 , wherein the intermediate layer (7) is arranged between the first layer (2) and the coating layer (7), wherein the intermediate layer (7) comprises at least one intermetallic phase comprising material of the first layer (2) and material of the coating layer (3). The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge-bonding.
Abstract translation: 本发明涉及一种带状物，优选用于在微电子学中粘合的结合带，其包含第一层（2），该第一层（2）包括具有表面的铜和至少覆盖在第一层（2）的表面上的涂层（3），其中 所述涂层（3）包括铝和中间层（7），其中在所述带的横截面视图中，基于所述第一层（2）的面积份额在50至96％的范围内，基于 所述带的横截面的总面积，其中所述带的宽度和高度之间的纵横比在横截面视图中在0.03至小于0.8的范围内，其中所述带具有横截面， 其中中间层（7）布置在第一层（2）和涂层（7）之间，其中中间层（7）包括在第二层（7）和第二层 至少一个包含第一层（2）和m的材料的金属间相 涂覆层（3）的空隙。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元件通过上述丝线通过楔形键合。
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公开(公告)号：WO2013111642A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/JP2013/050625
申请日：2013-01-16
Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社
Inventor： 富樫 亮
CPC classification number: B23K35/0227 , B21C1/02 , B21C9/00 , B21C37/042 , B22D11/041 , B23K35/22 , B23K35/302 , B23K35/404 , B32B15/018 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L2224/43 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/745 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , Y10T29/49988 , Y10T428/12222 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01206 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033
Abstract: 本発明は、ワイヤボンデシィング時にボンディングワイヤの構造・形状を維持することができるワイヤボンディング及びその製造方法を提供することを目的とする。 銅を主成分とする芯材とパラジウム被覆層を有するボンディングワイヤであって、 前記芯材の中心に、銅が軸方向に延在する繊維状組織を有することを特徴とするボンディングワイヤ。
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在引线接合期间保持接合线的结构和形状的接合线以及接合线的制造方法。 该接合线具有以铜为主要成分的芯材， 和钯涂层。 接合线的特征在于在芯材的中心处具有纤维织构，所述纤维织构具有沿轴向延伸的铜。
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公开(公告)号：WO2011049128A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：PCT/JP2010/068478
申请日：2010-10-20
Inventor： 芳我 基治
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4842 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/4827 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/33505 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/838 , H01L2224/83948 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/01206
Abstract: 本発明の半導体装置は、表面および裏面を有し、当該表面がＣｕからなるリードフレームと、表面および裏面を有し、当該裏面を形成するＣｕ層を含み、当該裏面が前記リードフレームの前記表面に対向するように配置された半導体チップと、前記リードフレームと前記半導体チップとの間に介在された接合層とを含み、前記接合層は、Ｂｉ系材料層と、当該Ｂｉ系材料層に対して前記リードフレームと前記半導体チップとの対向方向の両側から前記Ｂｉ系材料層を挟みこむＰｂを含まないＣｕ合金層とを含む積層構造を有する。
Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括：引线框架，其具有前表面和后表面，所述前表面由Cu构成; 具有前表面和后表面的半导体芯片包括形成后表面的Cu层，并且后表面设置成使得后表面面向引线框架的前表面; 以及设置在引线框架和半导体芯片之间的接合层。 接合层具有多层结构，其包括：Bi基材料层; 以及在引线框和半导体芯片彼此面对的方向上的两侧夹着Bi系材料层而不含有Pb的Cu合金层。
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