公开(公告)号：CN104051287B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310467504.X

申请日：2013-10-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  胡延章 ,  萧景文 ,  李明机 ,  刘重希 ,  黄见翎 ,  林志伟 ,  陈承先

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种方法包括在管芯的顶面上方形成牺牲膜层，该管芯在顶面具有接触焊盘。将管芯接合到载具，且模塑料形成在管芯和牺牲膜层上方。模塑料沿着管芯的侧壁延伸。露出牺牲膜层。通过去除牺牲膜层的至少一部分露出接触焊盘。第一聚合物层形成在管芯上方，且重分布层（RDL）形成在管芯上方且电连接至接触焊盘。本发明还公开了扇出互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106684061A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611154073.1

申请日：2016-12-14

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 常龙 ,  程伟 ,  王元

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/2413

摘要： 本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证背孔位置与正面金属阻挡层一致，形成刻蚀掩模；（4）将STS ICP干法刻蚀机的背氦温度升至190℃，利用氯气（Cl2）和氩气Ar组合气体进行干法刻蚀，直到刻到正面金属阻挡层；（5）去除刻蚀掩模；（6）背面溅射种子层，电镀背金填充背孔，完成背孔制作。本发明优点：解决了磷化铟深孔刻蚀的难题，背孔形貌、刻蚀重复性、一致性都很好，同时工艺简单，能与砷化镓工艺兼容，适合大规模推广应用。

公开(公告)号：CN106653709A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611256483.7

申请日：2016-12-30

申请人： 三星半导体(中国)研究开发有限公司 ,  三星电子株式会社

发明人： 马慧舒

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L23/3114 ,  H01L21/56 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5381 ,  H01L24/42

摘要： 本发明提供了一种封装件及其制造方法。所述封装件包括：第一再布线层；第一芯片，位于第一再布线层上并且电连接到第一再布线层；第二芯片，位于第一芯片上；第二再布线层，位于第二芯片上方并且与第二芯片电连接；塑封层，将第一芯片和第二芯片密封；其中，第一再布线层与第二再布线层之间设置有第一金属柱，第一再布线层与第二再布线层通过第一金属柱电连接，第一芯片和第二芯片之间设置有绝缘粘合层，第二芯片和第二再布线层之间设置有第二金属柱，第一芯片和第二芯片通过第一再布线层、第一金属柱、第二再布线层和第二金属柱电连接。

公开(公告)号：CN106653628A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610980670.3

申请日：2016-11-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 陆原 ,  陈峰

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18162 ,  H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L25/0657

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体存储器及其制作方法，所述半导体存储器包括自下而上依次堆叠的至少两个存储芯片组，上下相邻的两个所述存储芯片组的重布线层通过层间导电柱电连接，且位于最下方的存储芯片组的重布线层与对外连接凸块电连接；所述存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片，以及位于所述至少两个存储芯片下方的复合绝缘层，所述至少两个存储芯片包封为一体结构，所述重布线层设置在所述复合绝缘层中，所述至少两个存储芯片的层内导电柱错开预设角度，以分别与所述重布线层电连接。本发明实现了半导体存储器的大容量和高集成度，并且有效提高了存储器的堆叠效率，降低了堆叠难度。

公开(公告)号：CN104124191B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310159671.8

申请日：2013-05-03

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 纪杰元 ,  陈冠宇 ,  刘鸿汶 ,  陈彦亨 ,  廖宴逸

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体封装件的制法，包括：于第一承载板上形成金属层；于该金属层上形成电致分离粘着层；将至少一半导体芯片接置于该电致分离粘着层上；于该电致分离粘着层上形成包覆该半导体芯片的封装胶体；于该封装胶体上设置第二承载板；对该金属层通电，以使该金属层与电致分离粘着层彼此分离，并移除该金属层与第一承载板；移除该电致分离粘着层；以及移除该第二承载板。本发明使用电致分离粘着层可避免现有技术利用的热剥离胶带受热膨胀使半导体芯片的缺点。

公开(公告)号：CN104091789B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410304859.1

申请日：2014-06-27

申请人： 通富微电子股份有限公司

发明人： 石磊

IPC分类号： H01L23/31 ,  G06K19/077 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244

摘要： 一种射频模块，包括：提供包括若干芯片区域和切割道区域的载板；提供射频集成芯片，射频集成芯片贴合在载板的芯片区域上，每个射频集成芯片包括第一焊盘和第二焊盘；覆盖射频集成芯片和载板表面的第一塑封层，第一塑封层中具有与第一焊盘电连接的第一金属柱，以及与第二焊盘电连接的第二金属柱，第一塑封层暴露出第一金属柱与第二金属柱；位于第一塑封层上的射频识别天线，射频识别天线包括第一端和第二端，射频识别天线从第一端向第二端延伸，第一端与第一金属柱电连接，第二端与第二金属柱电连接。本发明射频模块占据的面积和体积较小。

公开(公告)号：CN106601716A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610715411.8

申请日：2016-08-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈威宇 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  王若梅 ,  杨天中

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83005 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/301

摘要： 本发明的实施例提供了一种器件封装件，包括器件管芯、围绕器件管芯的模塑料、延伸穿过模塑料的导电贯通孔(TIV)、和设置在模塑料上方并且沿着模塑料的侧壁延伸的电磁干扰(EMI)屏蔽罩。EMI屏蔽罩接触导电TIV，并且导电TIV将EMI屏蔽罩电连接至外部连接件。外部连接件和EMI屏蔽罩设置在器件管芯的相对侧上。本发明的实施例还提供了多堆叠的多输出封装件中的晶圆级屏蔽罩及其形成方法。

公开(公告)号：CN103972191B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310261078.4

申请日：2013-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  洪瑞斌 ,  郑礼辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24991 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供了用于形成具有环绕封装通孔(TPV)的端部的开口的TPV以及具有利用TPV的接合结构的叠层封装(PoP)器件的机构的各个实施例。诸如通过采用激光钻孔去除环绕TPV的端部的材料来形成开口。环绕管芯封装件的TPV的端部的开口使形成在与另一管芯封装件之间的接合结构的焊料能够保留在开口中而不滑动，因此增加了接合结构的成品率和可靠性。还可以添加聚合物以填充环绕TPV的开口、甚至管芯封装件之间的空间，从而减少接合结构在应力下的开裂。

公开(公告)号：CN106571343A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201611014556.1

申请日：2016-11-18

申请人： 三星半导体(中国)研究开发有限公司 ,  三星电子株式会社

发明人： 张鹏

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50

摘要： 提供了一种集成被动元件的晶圆级扇出型封装件及其制造方法。晶圆级扇出型封装件包括：芯片；支撑件，与芯片处于同一平面上并与芯片分开设置；被动元件，设置在支撑件上；包封层，与芯片处于同一平面上并包封芯片、支撑件和被动元件；以及电路层，设置在包封层上并且与芯片和被动元件接触，其中，被动元件与芯片位于同一平面内。在集成被动元件的晶圆级扇出型封装件中，通过支撑件使被动元件与芯片基本处于同一高度，使得能够在芯片和被动元件上形成电信号的连接，从而能够形成电路层面朝上的晶圆级扇出型封装件。

公开(公告)号：CN102456584B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110364566.9

申请日：2011-11-02

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： B·T·杜 ,  R·A·帕盖拉 ,  L·P·E·歘

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法。半导体器件具有形成在载体上的多个凸块。在凸点之间将半导体小片安装到载体上。将具有基层、第一粘合剂层以及第二粘合剂层的可穿透膜包封料层置于半导体小片和凸块上。将可穿透膜包封料层按压到半导体小片和凸块上以将半导体小片和凸块嵌入第一粘合剂层和第二粘合剂层之内。分离第一粘合剂层和第二粘合剂层以去除基层和第一粘合剂层并且将第二粘合剂层留在半导体小片和凸块周围。使凸块从第二粘合剂层中露出。将载体去除。在半导体小片和第二粘合剂层上形成互连结构。在第二粘合剂层上形成与凸块电气相连的导电层。