公开(公告)号：CN102623363A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210018298.X

申请日：2012-01-19

申请人： 株式会社东芝

发明人： 户崎德大 ,  中尾光博 ,  森田洋辅

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01046

摘要： 本发明提供接合线的接合方法、半导体装置、半导体装置的制造方法。本发明的接合线的接合方法，将具有以非贵金属为主要成分的芯材及包覆上述芯材的贵金属层的接合线经由上述贵金属层楔形接合到在半导体元件的电极上形成的凸起。

公开(公告)号：CN1375871A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48805 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48813 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/4882 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48713 ,  H01L2224/48705 ,  H01L2224/4872 ,  H01L2224/48605 ,  H01L2224/48613 ,  H01L2224/4862 ,  H01L2924/00015

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN1776903A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510128561.0

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L2224/05647 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN1426104A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02155983.X

申请日：2002-12-12

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中尾光博

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/00

摘要： 公开了一种半导体器件，包含：在主面上设置了引线的芯片搭载构件，在所述引线上设置有覆盖预定位置表面的薄膜形状的电镀部；在主面上设置了突点，并且该突点通过所述电镀部电连接所述引线，搭载在所述芯片搭载构件上的半导体芯片；设置在所述半导体芯片和所述芯片搭载构件之间的密封构件。

公开(公告)号：CN101728290B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910174063.8

申请日：2009-10-22

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中尾光博

IPC分类号： H01L21/607 ,  B23K20/10

CPC分类号： B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明提供了一种接合方法。一种在将包括铜的金属单元按压到接合对象上时对所述金属单元施加振动以将所述金属单元接合到所述接合对象的接合方法，所述方法包括：对所述金属单元施加振动，并在施加所述振动时使所述金属单元与所述接合对象接触；将在所述接合对象上的所述金属单元的按压载荷逐渐增加到第一按压载荷；以及在所述按压载荷达到所述第一按压载荷之后，将所述按压载荷减小到小于所述第一按压载荷的第二按压载荷并将所述振动的输出功率从在所述第一按压载荷期间施加的第一输出功率逐渐增加到第二输出功率。

公开(公告)号：CN1266764C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02155983.X

申请日：2002-12-12

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中尾光博

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括：在主面上设置有具有规定宽度的引线的芯片搭载构件，其中在所述引线上设置有覆盖规定位置表面的薄膜形状的电镀部；在主面上设置有与所述引线对应的宽度的突点，并且该突点通过所述电镀部电连接所述引线，搭载在所述芯片搭载构件上的半导体芯片；和设置在所述半导体芯片与所述芯片搭载构件之间的密封构件。

公开(公告)号：CN101728290A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910174063.8

申请日：2009-10-22

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中尾光博

IPC分类号： H01L21/607 ,  B23K20/10

CPC分类号： B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明提供了一种接合方法。一种在将包括铜的金属单元按压到接合对象上时对所述金属单元施加振动以将所述金属单元接合到所述接合对象的接合方法，所述方法包括：对所述金属单元施加振动，并在施加所述振动时使所述金属单元与所述接合对象接触；将在所述接合对象上的所述金属单元的按压载荷逐渐增加到第一按压载荷；以及在所述按压载荷达到所述第一按压载荷之后，将所述按压载荷减小到小于所述第一按压载荷的第二按压载荷并将所述振动的输出功率从在所述第一按压载荷期间施加的第一输出功率逐渐增加到第二输出功率。

公开(公告)号：CN1241261C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48805 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48813 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/4882 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48713 ,  H01L2224/48705 ,  H01L2224/4872 ,  H01L2224/48605 ,  H01L2224/48613 ,  H01L2224/4862 ,  H01L2924/00015

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。