公开(公告)号：US20150255419A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14433764

申请日：2013-10-07

申请人： MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： Shuji Nishimoto ,  Yoshiyuki Nagatomo ,  Toshiyuki Nagase

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/32 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/597 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83595 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： A semiconductor device comprises a circuit layer composed of a conductive material, and a semiconductor element mounted on the circuit layer, wherein an underlayer having a porosity in the range of 5 to 55% is formed on one surface of the circuit layer, a bonding layer composed of a sintered body of a bonding material including an organic substance and at least one of metal particles and metal oxide particles is formed on the underlayer, and the circuit layer and the semiconductor element are bonded together via the underlayer and the bonding layer.

摘要翻译： 半导体器件包括由导电材料构成的电路层和安装在电路层上的半导体元件，其中在电路层的一个表面上形成孔隙率在5至55％范围内的底层，接合层 在底层上形成由包含有机物质和金属粒子和金属氧化物粒子中的至少一种的接合材料的烧结体构成的电路层和半导体元件经由底层和接合层接合在一起。

公开(公告)号：US09061943B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13318332

申请日：2010-04-30

申请人： Xiaoshan Ning ,  Bo Wang ,  Sha Li ,  Guocai Li

发明人： Xiaoshan Ning ,  Bo Wang ,  Sha Li ,  Guocai Li

IPC分类号： C23C2/12 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B41/00 ,  C04B41/51 ,  C04B41/88

CPC分类号： C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/708 ,  C23C2/12 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  C04B35/00 ,  C04B41/4517 ,  C04B41/4523 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584

摘要： A process for metalizing a ceramic surface or attaching a ceramic to a metal is provided. The process may comprise: immersing the ceramic into an aluminum or aluminum alloy melt, making the ceramic move or stay still relative to the melt to adhere the melt to the ceramic; and then removing the ceramic from the melt to unaffectedly cool the film adhered thereto. The process can attach an aluminum or aluminum alloy thin film having a thickness of several to tens of micrometers on a ceramic surface. The thin film is formed by solidification, and does not have microscopic faults such as oxide film inclusions or pores, therefore having proper physical of mechanical properties of aluminum. Ceramics or a ceramic and a metal can be brazed via the surface metalizing film, the bonding strength of their interface can over the strength of aluminum itself.

摘要翻译： 提供了将陶瓷表面金属化或将陶瓷附着到金属的方法。 该方法可以包括：将陶瓷浸入铝或铝合金熔体中，使得陶瓷相对于熔体移动或保持静止，以将熔体粘附到陶瓷上; 然后从熔体中除去陶瓷，以不受影响地冷却附着在其上的膜。 该方法可以在陶瓷表面上附着厚度为几至几十微米的铝或铝合金薄膜。 该薄膜通过凝固形成，并且不具有微观缺陷如氧化膜夹杂物或孔，因此具有适当的铝的机械性能的物理性质。 陶瓷或陶瓷和金属可以通过表面金属化膜进行钎焊，其界面的结合强度可以超过铝本身的强度。

公开(公告)号：US09011620B2

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：US12558387

申请日：2009-09-11

申请人： John Andrew Fernie ,  Martyn David Roberts ,  Yong Wang ,  Narayanan Rajesh Kavilveedu ,  David J. Brown

发明人： John Andrew Fernie ,  Martyn David Roberts ,  Yong Wang ,  Narayanan Rajesh Kavilveedu ,  David J. Brown

IPC分类号： C03B29/00 ,  B28B5/00 ,  B32B9/00 ,  B22D25/00 ,  B05D1/08 ,  C04B37/00 ,  B23K20/02 ,  B23K35/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/565 ,  C04B37/02 ,  C10G9/20

CPC分类号： C04B37/003 ,  B23K20/021 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K2103/08 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/12 ,  B23K2103/14 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/26 ,  B23K2103/52 ,  C04B35/117 ,  C04B35/565 ,  C04B37/005 ,  C04B37/023 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/74 ,  C04B2237/80 ,  C10G9/20 ,  C10G2400/20 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/31678

摘要： The invention is directed to effective means for joining materials having dissimilar coefficients of thermal expansion, such as advanced ceramics with metallic compounds. Moreover, the present invention relates to furnace tubes and methods of fabricating a joint between two different materials, which is compositionally graded to provide a substantially graded coefficient of thermal expansion between the joint materials.

摘要翻译： 本发明涉及用于将具有不同热膨胀系数的材料（例如先进陶瓷与金属化合物）接合的有效装置。 此外，本发明涉及在两种不同材料之间制造接头的炉管和方法，其组成分级以在接头材料之间提供基本上分级的热膨胀系数。

公开(公告)号：US08999531B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13639994

申请日：2011-04-15

申请人： Takahide Kudoh ,  Naohiro Kagawa ,  Takashi Umemura

发明人： Takahide Kudoh ,  Naohiro Kagawa ,  Takashi Umemura

IPC分类号： C04B41/00 ,  C22C26/00 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/63 ,  C04B41/45 ,  C04B41/81 ,  B22F7/02

CPC分类号： C22C26/00 ,  B22F7/02 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/81 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/401 ,  C22C2026/003 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/265 ,  C04B41/5061 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/5062 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/5066

摘要： A coated cBN sintered body has excellent wear resistance, fracture resistance, adhesiveness between a substrate and a coating, and a tool life of which is elongated as compared with conventional cBN sintered bodies. The coated cBN sintered body has a cBN sintered body substrate and a coating coated on the surface thereof. The cBN sintered body includes 76 to 90% by volume of cBN, and 10 to 24% by volume of a binder phase and inevitable impurities. An average grain size of cBN is 0.5 to 5.0 μm, an average value of the thickness of the binder phase is 0.05 to 0.8 μm, and the standard deviation of the thickness of the binder phase is 0.8 μm or less.

摘要翻译： 涂布的cBN烧结体与传统的cBN烧结体相比具有优异的耐磨性，耐断裂性，基材与涂层之间的粘合性，并且其寿命延长。 涂布的cBN烧结体具有cBN烧结体基材和涂布在其表面上的涂层。 cBN烧结体包含76〜90体积％的cBN，10〜24体积％的粘结相和不可避免的杂质。 cBN的平均粒径为0.5〜5.0μm，粘结相的厚度的平均值为0.05〜0.8μm，粘结相的厚度的标准偏差为0.8μm以下。

公开(公告)号：US08999511B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13805606

申请日：2012-04-03

申请人： Yasunori Kobayashi ,  Satoru Kukino ,  Makoto Setoyama

发明人： Yasunori Kobayashi ,  Satoru Kukino ,  Makoto Setoyama

IPC分类号： B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B9/00

CPC分类号： B32B7/12 ,  B22F7/08 ,  B32B9/005 ,  B32B15/04 ,  B32B15/043 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/6313 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/708 ,  Y10T428/12139 ,  Y10T428/31678

摘要： A cBN sintered body tool has the following feature. In at least one cross sectional surface of the cBN sintered body tool taken along a plane perpendicular to a joining surface having the largest area in joining surfaces between the cBN sintered body and the joining layer, a point C and a point D are assumed to represent points away by ¼ of the length of a line segment connecting a point A and a point B shown in a figure. A value obtained when an area of a region surrounded by a line segment connecting the point C and the point D, the first cBN particle, the second cBN particle, and the binder phase is divided by the length of the line segment connecting the point A and point B to each other is 0.14-0.6 μm.

摘要翻译： cBN烧结体工具具有以下特征。 在cBN烧结体工具的至少一个横截面中，沿着与cBN烧结体和接合层之间的接合面中具有最大面积的接合面垂直的平面截取的点C和点D被假定为 点连接图中所示的点A和点B的线段的长度的1/4。 当将连接点C和点D，第一cBN颗粒，第二cBN颗粒和粘合剂相的线段围绕的区域的面积除以连接点A的线段的长度时获得的值 点B为0.14-0.6μm。

公开(公告)号：US20150008821A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：US14323086

申请日：2014-07-03

申请人： General Electric Company

发明人： Sundeep KUMAR ,  Mamatha NAGESH ,  Raghu RAMAIAH

IPC分类号： H01J61/36

CPC分类号： H01J61/363 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/404 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/765 ,  C04B2237/80 ,  H01J5/24 ,  H01J7/22 ,  H01J9/265 ,  H01J9/395 ,  H01J9/40 ,  H01J61/827

摘要： A discharge lamp including an arc envelope defining a chamber and a first opening. A plug is positioned in the first opening through a first seal. The lamp further includes a dosing tube extending away from the chamber, and having a passageway extending into the chamber through a second opening in the arc envelope. The dosing tube is coupled to the arc envelope via a second seal. The first seal, the second seal, or both seals include a braze material having an active metal element in an amount ranging from about 0.1 weight percent to about 10 weight percent, based on the total weight of the braze material.

摘要翻译： 一种放电灯，包括限定腔室和第一开口的电弧外壳。 塞子通过第一密封件定位在第一开口中。 所述灯还包括远离所述室延伸的定量管，并且具有通过所述电弧外壳中的第二开口延伸到所述室中的通道。 定量管经由第二密封件联接到电弧外壳。 第一密封件，第二密封件或两个密封件包括基于钎焊材料的总重量，具有约0.1重量％至约10重量％的量的活性金属元素的钎焊材料。

公开(公告)号：US20150008573A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：US14374396

申请日：2012-11-21

申请人： Hitachi, Ltd.

发明人： Yuichi Sawai ,  Takashi Naito ,  Takuya Aoyagi ,  Tadashi Fujieda ,  Mutsuhiro Mori

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3736 ,  B23K35/26 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/408 ,  C22C5/06 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/12014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： Bondability and heat conductivity of a bonded body in which some of metal, ceramic, or semiconductor are bonded to each other are improved. In the bonded body in which a first member and a second member each comprise one of metal, ceramic, or semiconductor are bonded to each other, the second member is bonded to the first member by way of an adhesive member disposed to the surface of the first member, and the adhesive member contains a V2O5-containing glass and metal particles. In a semiconductor module having a base metal, a ceramic substrate, a metal wiring, and a semiconductor chip, the ceramic substrate is bonded to the base metal by way of a first adhesive member disposed to the surface of the base metal, the metal wiring is bonded to the ceramic substrate by way of a second adhesive member disposed to the surface of the ceramic substrate, the semiconductor chip is bonded to the metal wiring by way of a third adhesive member disposed to the surface of the metal wiring, and the first adhesive member, the second adhesive member, and the third adhesive member each comprise a V2O5-containing glass and metal particles.

摘要翻译： 其中一些金属，陶瓷或半导体彼此结合的接合体的结合性和导热性得到改善。 在其中每个包括金属，陶瓷或半导体中的一个的第一构件和第二构件彼此结合的接合体中，第二构件通过设置在第二构件的表面上的粘合构件接合到第一构件 第一构件，并且粘合构件含有含V2O5的玻璃和金属颗粒。 在具有基底金属，陶瓷基板，金属布线和半导体芯片的半导体模块中，陶瓷基板通过设置在基板金属的表面上的第一粘合部件接合到基底金属，金属布线 通过设置在陶瓷基板的表面上的第二粘合部件与陶瓷基板接合，半导体芯片通过设置在金属布线表面的第三粘合部件与金属布线接合，第一 粘合剂构件，第二粘合构件和第三粘合构件各自包含含V 2 O 5的玻璃和金属颗粒。

公开(公告)号：US20150000201A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US14367148

申请日：2012-12-13

申请人： Element Six Abrasives, S.A.

发明人： Kaveshini Naidoo

IPC分类号： C04B37/02

CPC分类号： C04B37/026 ,  B22F7/064 ,  C04B37/023 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/50 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/61 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07

摘要： A method of attaching a pre-sintered body of polycrystalline diamond material to a substrate along an interface therebetween, the substrate being formed of cemented carbide and a metal binder phase dispersed therein, comprises placing a layer comprising one or more elements or alloys thereof on the interface on one or other of the body of polycrystalline diamond material or substrate; the one or more elements being selected to form a eutectic mixture with the metal in the binder phase, the eutectic mixture having a lower melting point than the melting point of the metal in the binder phase of the substrate. The other of the body of polycrystalline diamond material or the substrate is then placed on the layer and the body of polycrystalline material, the layer and the substrate are then subjected to a predetermined temperature at least equal to or greater than the melting point of the eutectic mixture at substantially ambient pressure or a vacuum to melt the metal in the binder phase at the interface with the substrate so that the metal from the binder phase infiltrates into the adjacent body of polycrystalline diamond material to form a bond between the body of polycrystalline diamond material and the substrate.

摘要翻译： 一种将多晶金刚石材料的预烧结体沿着它们之间的界面附着到衬底上的方法，所述衬底由硬质合金和分散在其中的金属粘合剂相形成，包括将包含一种或多种元素或其合金的层放置在 在多晶金刚石材料或衬底的一个或多个体上的界面; 所选择的一种或多种元素与粘合剂相中的金属形成共晶混合物，共晶混合物的熔点低于基底粘结相中金属的熔点。 然后将多晶金刚石材料或基底中的另一个放置在多晶材料的层和主体上，然后将该层和基底经受至少等于或大于共晶体的熔点的预定温度 混合物在基本环境压力或真空下在与基材的界面处熔融粘合剂相中的金属，使得来自粘合剂相的金属渗透到相邻的多晶金刚石材料体中以在多晶金刚石材料体之间形成结合 和基板。

公开(公告)号：US08916021B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US13276524

申请日：2011-10-19

申请人： Jennifer Sun ,  Sumanth Banda ,  Ren-Guan Duan

发明人： Jennifer Sun ,  Sumanth Banda ,  Ren-Guan Duan

IPC分类号： B23B31/02 ,  B32B15/08 ,  H01L21/683 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02

CPC分类号： B23B31/28 ,  B05B1/14 ,  B23B31/02 ,  B23Q3/00 ,  B32B15/08 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/63424 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/008 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B37/028 ,  C04B2235/604 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/62 ,  H01L21/6831 ,  Y10T156/10 ,  Y10T279/23

摘要： Embodiments of the present invention generally provide chamber components with enhanced thermal properties and methods of enhancing thermal properties of chamber components including bonding materials. One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a composite structure. The method includes applying a bonding material to a first component, and converting the bonding material applied to the first component to an enhanced bonding layer by heating the bonding material to outgas volatile species from the bonding material. The outgassed volatile species accumulates to at least 0.05% in mass of the bonding material. The method further includes contacting a second component and the enhanced bonding layer to join the first and second components.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供具有增强的热性质的腔室部件和增强包括接合材料在内的腔室部件的热性能的方法。 本发明的一个实施例提供一种制造复合结构的方法。 该方法包括：向第一部件施加接合材料，并且通过加热接合材料将从第一部件施加的接合材料转化为增强的接合层，从而从接合材料排出挥发性物质。 脱气的挥发性物质在接合材料的质量上累积至少0.05％。 该方法还包括使第二组分和增强的结合层接触以连接第一和第二组分。

公开(公告)号：US20140352786A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US14287673

申请日：2014-05-27

申请人： SAMSUNG CORNING ADVANCED GLASS, LLC

发明人： YoonGyu Lee ,  Hwangyong Go ,  Juok Park ,  Soo Young Seo

IPC分类号： H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02167 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y02E10/50

摘要： A zinc oxide (ZnO)-based sputtering target which is available for DC sputtering and a photovoltaic cell having a passivation layer deposited using the same. The ZnO-based sputtering target includes a sintered body made of ZnO, the ZnO being doped with 10 to 60% by weight gallium oxide, and a backing plate bonded to the rear surface of the sintered body to support the sintered body. The passivation layer can prevent a change in the composition of the light-absorbing layer from lowering an efficiency.

摘要翻译： 可用于DC溅射的基于氧化锌（ZnO）的溅射靶和具有使用其沉积的钝化层的光伏电池。 ZnO系溅射靶包括由ZnO构成的烧结体，ZnO被掺杂有10〜60重量％的氧化镓，以及背衬板，其结合到烧结体的后表面以支撑烧结体。 钝化层可以防止光吸收层的组成的变化降低效率。