公开(公告)号：US20120119354A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12944453

申请日：2010-11-11

申请人： Tsung-Fu Tsai ,  Yian-Liang Kuo ,  Ming-Song Sheu ,  Yu-Ling Tsai ,  Chen-Shien Chen ,  Han-Ping Pu

发明人： Tsung-Fu Tsai ,  Yian-Liang Kuo ,  Ming-Song Sheu ,  Yu-Ling Tsai ,  Chen-Shien Chen ,  Han-Ping Pu

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00

摘要： A die has a first surface, a second surface opposite the first surface, and sidewalls includes a first portion and a second portion, wherein the first portion is closer to the first surface than the second portion. A fillet contacts the first portion of sidewalls of the die and encircles the die. A work piece is bonded to the die through solder bumps, with the second surface facing the work piece. A first underfill is filled a gap between the die and the work piece, wherein the first underfill contacts the fillet, and wherein the first underfill and the fillet are formed of different materials.

摘要翻译： 模具具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，并且侧壁包括第一部分和第二部分，其中第一部分比第二部分更靠近第一表面。 圆角接触模具的侧壁的第一部分并且环绕模具。 工件通过焊料凸块与模具结合，第二表面面向工件。 第一底部填充物填充模具和工件之间的间隙，其中第一底部填充物接触圆角，并且其中第一底部填充物和圆角由不同的材料形成。

公开(公告)号：US09064881B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US12944453

申请日：2010-11-11

申请人： Tsung-Fu Tsai ,  Yian-Liang Kuo ,  Ming-Song Sheu ,  Yu-Ling Tsai ,  Chen-Shien Chen ,  Han-Ping Pu

发明人： Tsung-Fu Tsai ,  Yian-Liang Kuo ,  Ming-Song Sheu ,  Yu-Ling Tsai ,  Chen-Shien Chen ,  Han-Ping Pu

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00

摘要： A die has a first surface, a second surface opposite the first surface, and sidewalls includes a first portion and a second portion, wherein the first portion is closer to the first surface than the second portion. A fillet contacts the first portion of sidewalls of the die and encircles the die. A work piece is bonded to the die through solder bumps, with the second surface facing the work piece. A first underfill is filled a gap between the die and the work piece, wherein the first underfill contacts the fillet, and wherein the first underfill and the fillet are formed of different materials.

摘要翻译： 模具具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，并且侧壁包括第一部分和第二部分，其中第一部分比第二部分更靠近第一表面。 圆角接触模具的侧壁的第一部分并且环绕模具。 工件通过焊料凸块与模具结合，第二表面面向工件。 第一底部填充物填充模具和工件之间的间隙，其中第一底部填充物接触圆角，并且其中第一底部填充物和圆角由不同的材料形成。

公开(公告)号：US08569886B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13302551

申请日：2011-11-22

申请人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Tsung-Fu Tsai ,  Ru-Ying Huang ,  Ming-Song Sheu ,  Hsien-Wei Chen

发明人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Tsung-Fu Tsai ,  Ru-Ying Huang ,  Ming-Song Sheu ,  Hsien-Wei Chen

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： Methods and apparatuses for wafer level packaging (WLP) semiconductor devices are disclosed. A redistribution layer (RDL) is formed on a first passivation layer in contact with a conductive pad over a surface of a die. The RDL layer is on top of a first region of the first passivation layer. A second passivation layer is formed on the RDL layer with an opening to expose the RDL layer, and over the first passivation layer. An under bump metallization (UBM) layer is formed over the second passivation layer in contact with the exposed RDL layer. A second region of the first passivation layer disjoint from the first region is determined by projecting an outer periphery of a solder ball or other connector onto the surface.

摘要翻译： 公开了晶片级封装（WLP）半导体器件的方法和装置。 再次分布层（RDL）形成在与导体表面上的导电焊盘接触的第一钝化层上。 RDL层位于第一钝化层的第一区域的顶部。 在具有开口的RDL层上形成第二钝化层以暴露RDL层，并且在第一钝化层上方。 在与暴露的RDL层接触的第二钝化层上形成凸块下金属化（UBM）层。 通过将焊球或其它连接器的外周突出到表面上来确定与第一区域不相交的第一钝化层的第二区域。

公开(公告)号：US20130127052A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13302551

申请日：2011-11-22

申请人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Tsung-Fu Tsai ,  Ru-Ying Huang ,  Ming-Song Sheu ,  Hsien-Wei Chen

发明人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Tsung-Fu Tsai ,  Ru-Ying Huang ,  Ming-Song Sheu ,  Hsien-Wei Chen

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： Methods and apparatuses for wafer level packaging (WLP) semiconductor devices are disclosed. A redistribution layer (RDL) is formed on a first passivation layer in contact with a conductive pad over a surface of a die. The RDL layer is on top of a first region of the first passivation layer. A second passivation layer is formed on the RDL layer with an opening to expose the RDL layer, and over the first passivation layer. An under bump metallization (UBM) layer is formed over the second passivation layer in contact with the exposed RDL layer. A second region of the first passivation layer disjoint from the first region is determined by projecting an outer periphery of a solder ball or other connector onto the surface.

摘要翻译： 公开了晶片级封装（WLP）半导体器件的方法和装置。 再次分布层（RDL）形成在与导体表面上的导电焊盘接触的第一钝化层上。 RDL层位于第一钝化层的第一区域之上。 在具有开口的RDL层上形成第二钝化层以暴露RDL层，并且在第一钝化层上方。 在与暴露的RDL层接触的第二钝化层上形成凸块下金属化（UBM）层。 通过将焊球或其它连接器的外周突出到表面上来确定与第一区域不相交的第一钝化层的第二区域。

公开(公告)号：US20130341800A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13529179

申请日：2012-06-21

申请人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Wen-Hsiung Lu ,  Hsien-Wei Chen ,  Tsung-Fu Tsai

发明人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Wen-Hsiung Lu ,  Hsien-Wei Chen ,  Tsung-Fu Tsai

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

摘要： A method includes forming an electrical connector over a substrate of a wafer, and molding a polymer layer, with at least a portion of the electrical connector molded in the polymer layer. A first sawing step is performed to form a trench in the polymer layer. After the first sawing step, a second sawing step is performed to saw the wafer into a plurality of dies.

摘要翻译： 一种方法包括在晶片的衬底上形成电连接器，并模制聚合物层，至少一部分电连接器模制在聚合物层中。 执行第一锯切步骤以在聚合物层中形成沟槽。 在第一锯切步骤之后，执行第二锯切步骤以将晶片看成多个模具。

公开(公告)号：US08581399B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13192826

申请日：2011-07-28

申请人： Tsung-Fu Tsai ,  Min-Feng Ku ,  Yian-Liang Kuo

发明人： Tsung-Fu Tsai ,  Min-Feng Ku ,  Yian-Liang Kuo

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device comprises a substrate comprising a major surface and a plurality of metal bumps on the major surface. Each of the plurality of metal bumps comprises a metal via on the major surface and a metal pillar on the metal via having an overlay offset between the metal pillar and metal via. A first metal bump of the metal bumps has a first overlay offset and a second metal bump of the metal bumps farther than the first metal bump to a centroid of the substrate has a second overlay offset greater than the first overlay offset.

摘要翻译： 半导体器件包括在主表面上包括主表面和多个金属凸块的衬底。 多个金属凸块中的每一个包括在主表面上的金属通孔和金属通孔上的金属柱，在金属柱和金属通孔之间具有覆盖偏移。 金属凸块的第一金属凸块具有第一覆盖偏移，并且比第一金属凸块更远的金属凸块的第二金属凸块与基板的质心具有大于第一叠加偏移的第二叠加偏移。

公开(公告)号：US08308052B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12954121

申请日：2010-11-24

申请人： Chih-Horng Chang ,  Yian-Liang Kuo ,  Chih-Hang Tung ,  Tsung-Fu Tsai

发明人： Chih-Horng Chang ,  Yian-Liang Kuo ,  Chih-Hang Tung ,  Tsung-Fu Tsai

IPC分类号： B23K31/02 ,  H01L21/44

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/085 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes heating a package structure including a first work piece and a second work piece to melt a plurality of solder bumps between the first and the second work pieces; and after the step of heating, allowing the plurality of solder bumps to solidify. During the step of solidifying, a first side of the package structure is maintained at a first temperature higher than a melting temperature of the plurality of solder bumps by using a heating source. During the step of solidifying, a second side of the package structure is maintained at a second temperature lower than the melting temperature by using a cooling source, wherein the second side is opposite the first side.

摘要翻译： 一种方法包括加热包括第一工件和第二工件的包装结构，以熔化第一和第二工件之间的多个焊料凸块; 并且在加热步骤之后，允许多个焊料凸点固化。 在固化步骤期间，使用加热源将封装结构的第一侧保持在比多个焊料凸块的熔化温度高的第一温度。 在固化步骤期间，通过使用冷却源将封装结构的第二面保持在低于熔融温度的第二温度，其中第二侧与第一侧相对。

公开(公告)号：US20130087925A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13253799

申请日：2011-10-05

申请人： Tsung-Fu Tsai ,  Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Ru-Ying Huang

发明人： Tsung-Fu Tsai ,  Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Ru-Ying Huang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/522 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A chip includes a dummy connector disposed at a top surface of the chip. A seal ring encircles a region directly underlying the dummy connector, with the region overlapping the dummy connector.

摘要翻译： 芯片包括设置在芯片顶表面的虚拟连接器。 密封环围绕虚拟连接器下方的区域，区域与虚拟连接器重叠。

公开(公告)号：US09196532B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13529179

申请日：2012-06-21

申请人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Wen-Hsiung Lu ,  Hsien-Wei Chen ,  Tsung-Fu Tsai

发明人： Chia-Wei Tu ,  Yian-Liang Kuo ,  Wen-Hsiung Lu ,  Hsien-Wei Chen ,  Tsung-Fu Tsai

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

摘要： A method includes forming an electrical connector over a substrate of a wafer, and molding a polymer layer, with at least a portion of the electrical connector molded in the polymer layer. A first sawing step is performed to form a trench in the polymer layer. After the first sawing step, a second sawing step is performed to saw the wafer into a plurality of dies.

摘要翻译： 一种方法包括在晶片的衬底上形成电连接器，并模制聚合物层，至少一部分电连接器模制在聚合物层中。 执行第一锯切步骤以在聚合物层中形成沟槽。 在第一锯切步骤之后，执行第二锯切步骤以将晶片看成多个模具。

公开(公告)号：US08581420B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13009377

申请日：2011-01-19

申请人： Tsung-Fu Tsai ,  Yian-Liang Kuo ,  Chih-Horng Chang

发明人： Tsung-Fu Tsai ,  Yian-Liang Kuo ,  Chih-Horng Chang

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/535 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An under-bump metallization (UBM) structure in a semiconductor device includes a copper layer, a nickel layer, and a Cu—Ni—Sn intermetallic compound (IMC) layer between the copper layer and the nickel layer.

摘要翻译： 半导体器件中的凸起下金属化（UBM）结构包括在铜层和镍层之间的铜层，镍层和Cu-Ni-Sn金属间化合物（IMC）层。