公开(公告)号：US08796846B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12572590

申请日：2009-10-02

申请人： Yaojian Lin ,  Xusheng Bao ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

发明人： Yaojian Lin ,  Xusheng Bao ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device is made by forming a first conductive layer over a carrier. The first conductive layer has a first area electrically isolated from a second area of the first conductive layer. A conductive pillar is formed over the first area of the first conductive layer. A semiconductor die or component is mounted to the second area of the first conductive layer. A first encapsulant is deposited over the semiconductor die and around the conductive pillar. A first interconnect structure is formed over the first encapsulant. The first interconnect structure is electrically connected to the conductive pillar. The carrier is removed. A portion of the first conductive layer is removed. The remaining portion of the first conductive layer includes an interconnect line and UBM pad. A second interconnect structure is formed over a remaining portion of the first conductive layer is removed.

摘要翻译： 通过在载体上形成第一导电层制成半导体器件。 第一导电层具有与第一导电层的第二区域电隔离的第一区域。 在第一导电层的第一区域上形成导电柱。 半导体管芯或部件安装到第一导电层的第二区域。 第一密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。 在第一密封剂上形成第一互连结构。 第一互连结构电连接到导电柱。 载体被移除。 去除第一导电层的一部分。 第一导电层的剩余部分包括互连线和UBM垫。 在第一导电层的剩余部分上形成第二互连结构被去除。

公开(公告)号：US08409926B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12720057

申请日：2010-03-09

申请人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng ,  Xusheng Bao

发明人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng ,  Xusheng Bao

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A plurality of semiconductor die is mounted to a temporary carrier. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and carrier. A portion of the encapsulant is designated as a saw street between the die, and a portion of the encapsulant is designated as a substrate edge around a perimeter of the encapsulant. The carrier is removed. A first insulating layer is formed over the die, saw street, and substrate edge. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first conductive layer and first insulating layer. The encapsulant is singulated through the first insulating layer and saw street to separate the semiconductor die. A channel or net pattern can be formed in the first insulating layer on opposing sides of the saw street, or the first insulating layer covers the entire saw street and molding area around the semiconductor die.

摘要翻译： 多个半导体管芯安装到临时载体上。 密封剂沉积在半导体管芯和载体上。 密封剂的一部分被指定为模具之间的锯道，并且密封剂的一部分被指定为围绕密封剂的周边的基底边缘。 载体被移除。 在模具，锯条和基板边缘上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层上形成第一导电层。 在第一导电层和第一绝缘层上形成第二绝缘层。 通过第一绝缘层和锯条将密封剂分离，以分离半导体管芯。 可以在锯条的相对侧的第一绝缘层中形成通道或网状图案，或者第一绝缘层覆盖整个锯条和半导体管芯周围的成型区域。

公开(公告)号：US20100148360A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12572590

申请日：2009-10-02

申请人： Yaojian Lin ,  Xusheng Bao ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

发明人： Yaojian Lin ,  Xusheng Bao ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device is made by forming a first conductive layer over a carrier. The first conductive layer has a first area electrically isolated from a second area of the first conductive layer. A conductive pillar is formed over the first area of the first conductive layer. A semiconductor die or component is mounted to the second area of the first conductive layer. A first encapsulant is deposited over the semiconductor die and around the conductive pillar. A first interconnect structure is formed over the first encapsulant. The first interconnect structure is electrically connected to the conductive pillar. The carrier is removed. A portion of the first conductive layer is removed. The remaining portion of the first conductive layer includes an interconnect line and UBM pad. A second interconnect structure is formed over a remaining portion of the first conductive layer is removed.

摘要翻译： 通过在载体上形成第一导电层制成半导体器件。 第一导电层具有与第一导电层的第二区域电隔离的第一区域。 在第一导电层的第一区域上形成导电柱。 半导体管芯或部件安装到第一导电层的第二区域。 第一密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。 在第一密封剂上形成第一互连结构。 第一互连结构电连接到导电柱。 载体被移除。 去除第一导电层的一部分。 第一导电层的剩余部分包括互连线和UBM垫。 在第一导电层的剩余部分上形成第二互连结构被去除。

公开(公告)号：US20110221041A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12720057

申请日：2010-03-09

申请人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng ,  Xusheng Bao

发明人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng ,  Xusheng Bao

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A plurality of semiconductor die is mounted to a temporary carrier. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and carrier. A portion of the encapsulant is designated as a saw street between the die, and a portion of the encapsulant is designated as a substrate edge around a perimeter of the encapsulant. The carrier is removed. A first insulating layer is formed over the die, saw street, and substrate edge. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first conductive layer and first insulating layer. The encapsulant is singulated through the first insulating layer and saw street to separate the semiconductor die. A channel or net pattern can be formed in the first insulating layer on opposing sides of the saw street, or the first insulating layer covers the entire saw street and molding area around the semiconductor die.

摘要翻译： 多个半导体管芯安装到临时载体上。 密封剂沉积在半导体管芯和载体上。 密封剂的一部分被指定为模具之间的锯道，并且密封剂的一部分被指定为围绕密封剂的周边的基底边缘。 载体被移除。 在模具，锯条和基板边缘上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层上形成第一导电层。 在第一导电层和第一绝缘层上形成第二绝缘层。 通过第一绝缘层和锯条将密封剂分离，以分离半导体管芯。 可以在锯条的相对侧的第一绝缘层中形成通道或网状图案，或者第一绝缘层覆盖整个锯条和半导体管芯周围的成型区域。

公开(公告)号：US07642128B1

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US12333977

申请日：2008-12-12

申请人： Yaojian Lin ,  Xusheng Bao ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

发明人： Yaojian Lin ,  Xusheng Bao ,  Kang Chen ,  Jianmin Fang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device is made by forming a first conductive layer over a carrier. The first conductive layer has a first area electrically isolated from a second area of the first conductive layer. A conductive pillar is formed over the first area of the first conductive layer. A semiconductor die or component is mounted to the second area of the first conductive layer. A first encapsulant is deposited over the semiconductor die and around the conductive pillar. A first interconnect structure is formed over the first encapsulant. The first interconnect structure is electrically connected to the conductive pillar. The carrier is removed. A portion of the first conductive layer is removed. The remaining portion of the first conductive layer includes an interconnect line and UBM pad. A second interconnect structure is formed over a remaining portion of the first conductive layer is removed.

摘要翻译： 通过在载体上形成第一导电层制成半导体器件。 第一导电层具有与第一导电层的第二区域电隔离的第一区域。 在第一导电层的第一区域上形成导电柱。 半导体管芯或部件安装到第一导电层的第二区域。 第一密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。 在第一密封剂上形成第一互连结构。 第一互连结构电连接到导电柱。 载体被移除。 去除第一导电层的一部分。 第一导电层的剩余部分包括互连线和UBM垫。 在第一导电层的剩余部分上形成第二互连结构被去除。

公开(公告)号：US09324700B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US12205727

申请日：2008-09-05

申请人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L27/01 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/552 ,  H01L25/50 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0711 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A semiconductor device is made by providing a substrate, forming a first insulation layer over the substrate, forming a first conductive layer over the first insulation layer, forming a second insulation layer over the first conductive layer, and forming a second conductive layer over the second insulation layer. A portion of the second insulation layer, first conductive layer, and second conductive layer form an integrated passive device (IPD). The IPD can be an inductor, capacitor, or resistor. A plurality of conductive pillars is formed over the second conductive layer. One conductive pillar removes heat from the semiconductor device. A third insulation layer is formed over the IPD and around the plurality of conductive pillars. A shield layer is formed over the IPD, third insulation layer, and conductive pillars. The shield layer is electrically connected to the conductive pillars to shield the IPD from electromagnetic interference.

摘要翻译： 半导体器件通过提供衬底制成，在衬底上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第一导电层，在第一导电层上形成第二绝缘层，并在第二绝缘层上形成第二导电层 绝缘层。 第二绝缘层，第一导电层和第二导电层的一部分形成集成的无源器件（IPD）。 IPD可以是电感，电容或电阻。 多个导电柱形成在第二导电层上。 一个导电柱从半导体器件中去除热量。 在IPD上并围绕多个导电柱形成第三绝缘层。 在IPD，第三绝缘层和导电柱上形成屏蔽层。 屏蔽层电连接到导电柱以屏蔽IPD免受电磁干扰。

公开(公告)号：US08575018B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12628631

申请日：2009-12-01

申请人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Pandi Chelvam Marimuthu ,  Rajendra D. Pendse

发明人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Pandi Chelvam Marimuthu ,  Rajendra D. Pendse

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer has a first conductive layer formed over its active surface. A first insulating layer is formed over the substrate and first conductive layer. A second conductive layer is formed over the first conductive layer and first insulating layer. A UBM layer is formed around a bump formation area over the second conductive layer. The UBM layer can be two stacked metal layers or three stacked metal layers. The second conductive layer is exposed in the bump formation area. A second insulating layer is formed over the UBM layer and second conductive layer. A portion of the second insulating layer is removed over the bump formation area and a portion of the UBM layer. A bump is formed over the second conductive layer in the bump formation area. The bump contacts the UBM layer to seal a contact interface between the bump and second conductive layer.

摘要翻译： 半导体晶片具有在其有效表面上形成的第一导电层。 第一绝缘层形成在衬底和第一导电层上。 在第一导电层和第一绝缘层上形成第二导电层。 在第二导电层上方的凸块形成区域周围形成UBM层。 UBM层可以是两个堆叠的金属层或三个堆叠的金属层。 第二导电层暴露在凸块形成区域中。 在UBM层和第二导电层上形成第二绝缘层。 第二绝缘层的一部分在凸块形成区域和UBM层的一部分上被去除。 在凸块形成区域中的第二导电层上形成凸块。 凸块接触UBM层以密封凸点和第二导电层之间的接触界面。

公开(公告)号：US08445323B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13423739

申请日：2012-03-19

申请人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A semiconductor device includes an IPD structure, a first semiconductor die mounted to the IPD structure with a flipchip interconnect, and a plurality of first conductive posts that are disposed adjacent to the first semiconductor die. The semiconductor device further includes a first molding compound that is disposed over the first conductive posts and first semiconductor die, a core structure bonded to the first conductive posts over the first semiconductor die, and a plurality of conductive TSVs disposed in the core structure. The semiconductor device further includes a plurality of second conductive posts that are disposed over the core structure, a second semiconductor die mounted over the core structure, and a second molding compound disposed over the second conductive posts and the second semiconductor die. The second semiconductor die is electrically connected to the core structure.

摘要翻译： 半导体器件包括IPD结构，安装到具有倒装芯片互连的IPD结构的第一半导体管芯和与第一半导体管芯相邻设置的多个第一导电柱。 半导体器件还包括设置在第一导电柱和第一半导体管芯之上的第一模塑料，与第一半导体管芯上的第一导电柱结合的芯结构以及设置在芯结构中的多个导电TSV。 半导体器件还包括设置在芯结构上的多个第二导电柱，安装在芯结构上的第二半导体管芯，以及设置在第二导电柱和第二半导体管芯上的第二模塑料。 第二半导体管芯与芯结构电连接。

公开(公告)号：US20130113092A9

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13333739

申请日：2011-12-21

申请人： Yaojian Lin ,  Pandi C. Marimuthu ,  Kang Chen ,  Hin Hwa Goh ,  Yu Gu ,  Il Kwon Shim ,  Rui Huang ,  Seng Guan Chow ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng

发明人： Yaojian Lin ,  Pandi C. Marimuthu ,  Kang Chen ,  Hin Hwa Goh ,  Yu Gu ,  Il Kwon Shim ,  Rui Huang ,  Seng Guan Chow ,  Jianmin Fang ,  Xia Feng

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/214

摘要： A semiconductor device has a semiconductor die and conductive layer formed over a surface of the semiconductor die. A first channel can be formed in the semiconductor die. An encapsulant is deposited over the semiconductor die. A second channel can be formed in the encapsulant. A first insulating layer is formed over the semiconductor die and first conductive layer and into the first channel. The first insulating layer extends into the second channel. The first insulating layer has characteristics of tensile strength greater than 150 MPa, elongation between 35-150%, and thickness of 2-30 micrometers. A second insulating layer can be formed over the semiconductor die prior to forming the first insulating layer. An interconnect structure is formed over the semiconductor die and encapsulant. The interconnect structure is electrically connected to the first conductive layer. The first insulating layer provides stress relief during formation of the interconnect structure.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在半导体管芯的表面上的半导体管芯和导电层。 可以在半导体管芯中形成第一通道。 密封剂沉积在半导体管芯上。 可以在密封剂中形成第二通道。 在半导体管芯和第一导电层上形成第一绝缘层并进入第一沟道。 第一绝缘层延伸到第二通道中。 第一绝缘层的拉伸强度大于150MPa，伸长率在35-150％之间，厚度为2-30微米。 在形成第一绝缘层之前，可以在半导体管芯上方形成第二绝缘层。 在半导体管芯和密封剂上形成互连结构。 互连结构电连接到第一导电层。 第一绝缘层在形成互连结构期间提供应力释放。

公开(公告)号：US08183087B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12207332

申请日：2008-09-09

申请人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is made by providing a temporary carrier for supporting the semiconductor device. An integrated passive device (IPD) is mounted to the temporary carrier using an adhesive. The IPD includes a capacitor and a resistor and has a plurality of through-silicon vias (TSVs). A discrete component is mounted to the temporary carrier using the adhesive. The discrete component includes a capacitor. The IPD and the discrete component are encapsulated using a molding compound. A first metal layer is formed over the molding compound. The first metal layer is connected to the TSVs of the IPD and forms an inductor. The temporary carrier and the adhesive are removed, and a second metal layer is formed over the IPD and the discrete component. The second metal layer interconnects the IPD and the discrete component and forms an inductor. An optional interconnect structure is formed over the second metal layer.

摘要翻译： 通过提供用于支撑半导体器件的临时载体来制造半导体器件。 使用粘合剂将集成无源器件（IPD）安装到临时载体上。 IPD包括电容器和电阻器，并且具有多个穿硅通孔（TSV）。 使用粘合剂将分立的部件安装到临时载体上。 分立元件包括电容器。 使用模塑料封装IPD和分立组件。 在模塑料上形成第一金属层。 第一金属层连接到IPD的TSV并形成电感器。 去除临时载体和粘合剂，并且在IPD和分立组件上形成第二金属层。 第二金属层将IPD和分立元件互连并形成电感器。 在第二金属层上形成可选的互连结构。