公开(公告)号：WO2017112396A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/US2016/064955

申请日：2016-12-05

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： SHEN, Hong ,  WANG, Liang ,  GAO, Gullian

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/18 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1436

Abstract: Systems and methods for providing 3D wafer assembly with known-good- dies are provided. An example method compiles an index of dies on a semiconductor wafer and removes the defective dies to provide a wafer with dies that are all operational. Defective dies on multiple wafers may be removed in parallel, and resulting wafers with all good dies stacked in 3D wafer assembly. In an implementation, the spaces left by removed defective dies may be filled at least in part with operational dies or with a fill material. Defective dies may be replaced either before or after wafer-to-wafer assembly to eliminate production of defective stacked devices, or the spaces may be left empty. A bottom device wafer may also have its defective dies removed or replaced, resulting in wafer-to-wafer assembly that provides 3D stacks with no defective dies.

Abstract translation: 提供了用于提供具有已知良好模具的3D晶片组件的系统和方法。 示例方法编译半导体晶片上的裸片的索引并移除有缺陷的裸片以向晶片提供全部可操作的裸片。 可以并行移除多个晶片上的有缺陷的裸片，并且在3D晶片组件中堆叠具有所有良好裸片的所得晶片。 在一个实施方式中，被移除的有缺陷的模具留下的空间可以至少部分地用操作模具或填充材料填充。 可以在晶圆到晶圆组装之前或之后更换有缺陷的管芯，以消除有缺陷的堆叠器件的生产，或者空间可能被留空。 底部器件晶片也可能将其有缺陷的裸片移除或更换，从而导致提供没有缺陷裸片的3D堆叠的晶片 - 晶片组装。

公开(公告)号：WO2012082227A2

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/US2011057294

申请日：2011-10-21

Applicant: TESSERA INC ,  HABA BELGACEM ,  ZOHNI WAEL ,  CRISP RICHARD DEWITT

Inventor： HABA BELGACEM ,  ZOHNI WAEL ,  CRISP RICHARD DEWITT

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H05K1/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49427 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/115 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10507 ,  H05K2201/10628 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: A microelectronic assembly 700 includes a dielectric element 730 having at least one aperture 733 and electrically conductive elements thereon including terminals 740 exposed at the second surface of the dielectric element 730; a first microelectronic element 712 having a rear surface and a front surface facing the dielectric element 730, the first microelectronic element 712 having a plurality of contacts exposed at the front surface thereof; a second microelectronic element 714 having a rear surface and a front surface facing the rear surface of the first microelectronic element 712, the second microelectronic element 714 having a plurality of contacts exposed at the front surface and projecting beyond an edge of the first microelectronic element 712; and an electrically conductive plane 790 attached to the dielectric element 730 and at least partially positioned between the first and second apertures 733,739, the electrically conductive plane 790 being electrically connected with one or more of the contacts of at least one of the first or second microelectronic elements 712,714.

Abstract translation: 微电子组件700包括具有至少一个孔733的介电元件730和其上的导电元件，其中包括在电介质元件730的第二表面处暴露的端子740; 第一微电子元件712具有后表面和面向电介质元件730的前表面，第一微电子元件712具有在其前表面处暴露的多个触点; 第二微电子元件714具有后表面和面向第一微电子元件712的后表面的前表面，第二微电子元件714具有在前表面处暴露并突出超过第一微电子元件712的边缘的多个触点 ; 以及连接到电介质元件730并且至少部分地定位在第一和第二孔733,739之间的导电平面790，导电平面790与第一或第二微电子中的至少一个的一个或多个触点电连接 元素712,714。

公开(公告)号：WO2008106187A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：PCT/US2008/002627

申请日：2008-02-27

Applicant: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION ,  STANDING, Martin

Inventor： STANDING, Martin

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49506 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/39 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: A semiconductor package that includes a substrate having a metallic back plate, an insulation body and plurality of conductive pads on the insulation body, and a semiconductor die coupled to said conductive pads, the conductive pads including regions readied for direct connection to pads external to package using a conductive adhesive.

Abstract translation: 一种半导体封装，其包括具有金属背板，绝缘体和绝缘体上的多个导电焊盘的基板以及耦合到所述导电焊盘的半导体管芯，所述导电焊盘包括被直接连接到封装外部的焊盘的区域 使用导电胶。

公开(公告)号：WO2017055244A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/EP2016/072912

申请日：2016-09-27

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： STEGMEIER, Stefan ,  ZAPF, Jörg

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15786 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche (90) eines Halbleiterbauteils (50) und ein Elektronikmodul. Bei dem Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche (90) eines Halbleiterbauteils (50), wird zunächst an die Kontaktfläche (90) eine sich in Richtung von der Kontaktfläche (90) weg verjüngende elektrisch leitfähige Schicht (200) gebracht und nachfolgend wird an der Schicht in zumindest einer Erstreckungsrichtung der Kontaktfläche angrenzend Isolationsmaterial (230) gebracht. Das Elektronikmodul ist insbesondere ein Leistungsmodul und umfasst ein Halbleiterbauteil mit einer Kontaktfläche (90) und mit einer Leiterbahn (225), wobei die Kontaktfläche (90) mittels eines solchen Verfahrens kontaktiert ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于接触半导体器件（50）和电子模块的接触表面（90）。 在用于接触半导体器件（50）的接触表面（90）的方法中，在所述接触表面（90）远离锥形导电层（200）的方向配置第一在接触表面（90），并随后在层 带来了相邻的绝缘材料（230）的接触面中的至少一个延伸的方向。 电子模块是特别的功率模块，并包括具有接触表面（90）的半导体器件，并与导体路径（225），其中，所述接触表面（90）是由这样的方法的装置接触。

公开(公告)号：WO2016149361A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/US2016/022633

申请日：2016-03-16

Applicant: E I DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

Inventor： INABA, Akira

IPC: H01G4/30 ,  H01G2/06 ,  H01G4/232 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L24/32 ,  B05D3/007 ,  B05D7/14 ,  H01C1/14 ,  H01F27/29 ,  H01G2/065 ,  H01G4/232 ,  H01G4/2325 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/3223 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207

Abstract: An electric component comprising a terminal electrode (104,105) and a hot-melt polymer layer (i.e. a solder paste) formed on the terminal electrode, wherein the hot-melt polymer layer comprises (i) 100 parts by weight of a metal powder and (ii) 1 to 30 parts by weight of a thermoplastic polymer, wherein melt mass-flow rate (MFR) of the polymer is 0.5 to 20 g/10 min. at 120 to 200°C and 0.3 to 8 kgf.

Abstract translation: 一种电子部件，其特征在于，包括端子电极（104,105）和形成在所述端子电极上的热熔聚合物层（即焊膏），其中，所述热熔聚合物层包含（i）100重量份的金属粉末和（ ii）1至30重量份的热塑性聚合物，其中聚合物的熔体质量流动速率（MFR）为0.5至20g / 10min。 在120〜200℃，0.3〜8kgf。

公开(公告)号：WO2015083250A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/JP2013/082543

申请日：2013-12-04

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 河面　英夫 ,  王丸　武志 ,  斉藤　省二

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/00 ,  H01L23/049 ,  H01L23/053 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/30101 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/325 ,  H03K17/0828 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明は、電力機器に使用される半導体装置に関し、ベース板（１６）と、ベース板（１６）上に搭載された絶縁基板（２９）と、絶縁基板上にはんだ層（３１）により接合された電力用スイッチング素子（２１）とを有し、ベース板（１６）、絶縁基板（２９）および電力用スイッチング素子（２１）とでモジュールを構成し、モジュール上に制御基板（ＣＳ）を備えた半導体装置であって、制御基板（ＣＳ）は、電力用スイッチング素子（２１）のコレクタ－エミッタ間電圧を測定し、コレクタ－エミッタ間電圧とコレクタ電流との積で規定される任意の目標電力を電力用スイッチング素子（２１）に供給するようにゲート電圧を変更する可変ゲート電圧回路（９０）を有している。

Abstract translation: 用于动力装置的该半导体装置具有：基板（16），安装在基板（16）上的绝缘基板（29）; 以及通过焊料层（31）接合在所述绝缘基板上的功率开关元件（21）。 模块由基板（16），绝缘基板（29）和电源开关元件（21）构成，在模块上设置有控制基板（CS）。 控制基板（CS）具有可变栅极电压电路（90），该可变栅极电压电路（90）测量功率开关元件（21）的集电极 - 发射极电压，并且改变栅极电压，使得任意目标功率被提供给功率开关元件 （21），所述酌情目标功率由集电极 - 发射极电压和集电极电流的乘积指定。

公开(公告)号：WO2012106183A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2012/022801

申请日：2012-01-26

Applicant: MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

Inventor： LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1441 ,  H01L2924/1451 ,  H01L2924/14511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: Multichip packages or multichip modules may include stacked chips and through silicon/substrate vias (TSVs) formed using enclosure-first technology. Enclosure-first technology may include forming an isolation enclosure associated with a TSV early in the fabrication process, without actually forming the associated TSV. The TSV associated with the isolation enclosure is formed later in the fabrication process. The enclosure-first technology allows the isolation enclosures to be used as alignment marks for stacking additional chips. The stacked chips can be connected to each other or to an external circuit such that data input is provided through the bottom-most (or topmost) chip, data is output from the bottom-most (or topmost) chip. The multichip package may provide a serial data connection, and a parallel connection, to each of the stacked chips.

Abstract translation: 多芯片封装或多芯片模块可以包括堆叠芯片和通过使用封装第一技术形成的硅/衬底通孔（TSV）。 外壳首先技术可以包括在制造过程的早期形成与TSV相关联的隔离外壳，而不实际形成相关的TSV。 与隔离罩相关联的TSV在制造过程中稍后形成。 封装第一技术允许隔离外壳用作堆叠附加芯片的对准标记。 堆叠的芯片可以彼此连接或连接到外部电路，使得通过最底部（或最上面）芯片提供数据输入，数据从最底部（或最顶端）的芯片输出。 多芯片封装可以向每个堆叠的芯片提供串行数据连接和并联连接。

公开(公告)号：WO2017066174A2

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/US2016/056402

申请日：2016-10-11

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： AWUJOOLA, Abiola ,  SUN, Zhuowen ,  ZOHNI, Wael ,  PRABHU, Ashok, S. ,  SUBIDO, Willmar

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4942 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: Apparatuses relating generally to a microelectronic package having protection from interference are disclosed. In an apparatus thereof, a substrate has an upper surface and a lower surface opposite the upper surface and has a ground plane. A first microelectronic device is coupled to the upper surface of the substrate. Wire bond wires are coupled to the ground plane for conducting the interference thereto and extending away from the upper surface of the substrate. A first portion of the wire bond wires is positioned to provide a shielding region for the first microelectronic device with respect to the interference. A second portion of the wire bond wires is not positioned to provide the shielding region. A second microelectronic device is coupled to the substrate and located outside of the shielding region. A conductive surface is over the first portion of the wire bond wires for covering the shielding region.

Abstract translation: 公开了一般涉及具有免受干扰保护的微电子封装的装置。 在其设备中，基板具有与上表面相对的上表面和下表面并具有接地平面。 第一微电子器件耦合到衬底的上表面。 导线接合线耦合到接地平面以用于对其进行干涉并从基板的上表面延伸出去。 引线接合线的第一部分被定位成相对于干涉为第一微电子器件提供屏蔽区域。 丝焊线的第二部分未被定位成提供屏蔽区域。 第二微电子器件耦合到衬底并位于屏蔽区域的外部。 导电表面覆盖在用于覆盖屏蔽区域的丝焊线的第一部分上。

公开(公告)号：WO2015146130A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/001622

申请日：2015-03-23

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 大前　翔一朗 ,  岩渕　明

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/50 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14253 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/537 ,  H02P27/08 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399

Abstract: 　リードフレーム（３４）は、第１ヒートシンク（３６Ｕ，３６Ｌ）、アイランド（３８Ｕ，３８Ｌ）、及び制御端子（４２Ｕ，４２Ｌ）を有する。前記リードフレームは曲げ加工され、裏面（３４ｂ）において、前記アイランドが、前記第１ヒートシンク及び前記制御端子の受動部品実装部分よりも、樹脂成形体（３２）の一面（３２ａ）に近い位置とされている。受動部品（６８）が、接合部材（６６）を介して、一面（３４ａ）における前記制御端子の前記受動部品実装部分に実装されている。

Abstract translation: 引线框架（34）具有第一散热器（36U，36L），岛（38U，38L）和控制端子（42U，42L）。 引线框弯曲，并且在后表面（34b）上，每个岛位于比每个第一散热器更靠近树脂成型体（32）的一个表面（32a）的位置，以及无源部件安装部分 每个控制终端。 无源部件（68）经由接合部件（66）安装在每个控制端子的无源部件安装部上，所述无源部件安装部分是一个表面（34a）的一部分。

公开(公告)号：WO2014205193A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/US2014/043139

申请日：2014-06-19

Applicant: UNIVERSITY OF CONNECTICUT

Inventor： STAGON, Stephen, P. ,  HUANG, Hanchen

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/025 ,  B22F3/02 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0261 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  Y02E10/549 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

Abstract: The present disclosure provides improved systems and methods for low-temperature bonding and/or sealing with spaced nanorods. In exemplary embodiments, the present disclosure provides for the use of metallic nanorods to bond and seal two substrates. The properties of the resulting bond are mechanical strength comparable to adhesives, impermeability comparable to metals and long term stability comparable to metals. The bond may be attached to any flat substrate and superstrate with strong adhesion. In certain embodiments, the bond is achieved at room temperature with only pressure or at a temperature above room temperature (e.g., about 150°C or less) and reduced pressure. Exemplary bonds are both mechanically strong and substantially impermeable to oxygen and moisture.

Abstract translation: 本公开提供了用于具有间隔的纳米棒的低温粘合和/或密封的改进的系统和方法。 在示例性实施例中，本公开提供使用金属纳米棒来粘合和密封两个基底。 所得结合的性质是与粘合剂相当的机械强度，与金属相当的不渗透性和与金属相当的长期稳定性。 该粘合剂可以附着在具有强粘附性的任何平坦基材和上层。 在某些实施方案中，在室温下仅在压力下或在高于室温（例如，约150℃或更低）的温度和减压下实现粘合。 示例性的粘合剂对于氧气和水分均具有机械强度和基本不渗透性。