Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"陈宪伟" Page 13

121.

发明授权
具有凹进边缘的半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105789147B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410808120.4

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/60

Abstract: 本发明提供了具有凹进边缘的半导体器件及其制造方法。本发明提供了利用沿着封装件边缘的凹进区的器件和制造方法。例如，在集成扇出型封装件中，沿着划线去除再分布层的介电层，例如，聚合物层，从而使得在分割之后，介电层从管芯的边缘凹进。可以使拐角区进一步凹进。凹进区可以是三角形、圆形或其他形状。在一些实施例中，一个或多个拐角区可以相对于剩余的拐角区进一步凹进。可以使再分布层沿着前侧再分布层和背侧再分布层之一或二者凹进。

122.

发明授权
具有UBM的封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN106024727B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510667052.9

申请日：2015-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 黄立贤

IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56

Abstract: 本发明公开了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括：集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构；连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件；伪图案；第二介电层；以及位于支撑金属化层的连接件上的外部连接件。重分布结构包括第一介电层，第一介电层具有远离密封剂和集成电路管芯设置的第一表面。伪图案位于第一介电层的第一表面上和支撑金属化层的连接件周围。第二介电层位于第一介电层的第一表面上和伪图案的至少部分上。第二介电层不接触支撑金属化层的连接件。本发明还涉及具有UBM的封装件及其形成方法。

123.

发明授权
FINFET密封环有权

公开(公告)号：CN104900641B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410239158.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 , 陈宪伟

IPC: H01L27/02 , H01L23/00 , H01L21/77

CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/6681

Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的第一前段制程(FEOL)密封环，密封环包括环形鳍状结构；在衬底上形成的集成电路，通过第一密封环限制集成电路；位于密封环和集成电路之间的隔离区，隔离区包括一组鳍结构，每个鳍结构都面向相同的方向。本发明还提供了FINFET密封环。

124.

发明公开
集成电路封装的重布线层结构有权

公开(公告)号：CN108155166A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201710992519.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 , 余振华 , 叶德强 , 陈宪伟 , 陈英儒

IPC: H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 , H01L23/5226 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0233 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16235 , H01L2224/24147 , H01L2224/25171 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73209 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L24/05 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331

Abstract: 本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。

125.

发明公开
半导体封装结构无效

公开(公告)号：CN108122874A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710801467.X

申请日：2017-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 , 陈宪伟

IPC: H01L23/485

Abstract: 本公开提供一种半导体封装结构。此半导体封装结构包括一芯片、一封膜材料、一穿孔、一第一重新分布层布线与一第二重新分布层布线。封膜材料包围芯片。穿孔从封膜材料的一第一表面延伸至一第二表面，且第二表面是相对于第一表面。第一重新分布层布线设置在封膜材料的第二表面并耦接于穿孔。第二重新分布层布线设置在封膜材料的第二表面并平行于第一重新分布层布线。跨过穿孔的一部分的第二重新分布层布线具有一第一区段以及一第二区段，并且第一区段具有一第一宽度而第二区段具有不同于第一宽度的一第二宽度。本公开提供的半导体封装结构可以避免跨过穿孔的重新分布层布线会发生重新分布层裂开。

126.

发明公开
半导体封装结构的制造方法无效

公开(公告)号：CN108122788A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710140203.4

申请日：2017-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴集锡 , 陈宪伟 , 黄立贤 , 杨天中

IPC: H01L21/56 , H01L23/60

Abstract: 一种半导体封装结构的制造方法至少包括以下步骤。形成第一半导体装置。第一半导体装置包括顶表面及底表面。第一半导体装置包括金属层，且金属层具有暴露出的第一表面。在第一半导体装置的顶表面及侧壁上形成电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)膜，且电磁干扰膜与金属层的暴露出的第一表面电接触。在电磁干扰膜上形成模制化合物。

127.

发明授权
用于激光标刻的金属焊盘有权

公开(公告)号：CN105321912B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410848102.9

申请日：2014-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏安治 , 陈宪伟

IPC: H01L23/488 , H01L23/544 , H01L21/768 , H01L21/02

CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/563 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227

Abstract: 本发明提供了一种封装件，包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、以及位于器件管芯和模制材料上面的多条再分布线。激光标记焊盘与多条再分布线中的一条共面，其中，激光标记焊盘和该多条再分布线中的一条由相同的导电材料形成。聚合物层位于激光标记焊盘和多条再分布线上方。胶带附接在聚合物层上方。激光标记穿过胶带和聚合物层。激光标记延伸至激光标记焊盘的顶面。本发明还提供了形成封装件的方法。

128.

发明授权
包括嵌入式表面安装器件的半导体器件及其形成方法失效

公开(公告)号：CN104851842B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410165979.8

申请日：2014-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 陈英儒

IPC: H01L23/12 , H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/2518 , H01L2224/27015 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32258 , H01L2224/32502 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明的实施例包括器件及其形成方法。一个实施例涉及一种器件，该器件包括：位于衬底的第一侧上方的阻焊涂层、通过第一连接件接合至衬底的第一侧的管芯的有源表面、以及通过第二组连接件安装至管芯的表面安装器件，表面安装器件位于管芯和衬底的第一侧之间，表面安装器件与阻焊涂层间隔开。本发明涉及包括嵌入式表面安装器件的半导体器件及其形成方法。

129.

发明公开
芯片封装结构无效

公开(公告)号：CN107845625A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710205828.4

申请日：2017-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 , 黄立贤 , 苏安治 , 陈宪伟

IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31

Abstract: 提供芯片封装结构。芯片封装结构包含再布线基板。芯片封装结构包含第一芯片结构，其位于再布线基板上。芯片封装结构包含第一焊料凸块，其配置于再布线基板与第一芯片结构之间，并电性连接再布线基板与第一芯片结构。芯片封装结构包含第一成型层，其围绕第一芯片结构。第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间隔有第一焊料凸块，以定义间隙于第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间。芯片封装结构包含第二芯片结构，其位于第一芯片结构上。芯片封装结构包含第二成型层，其围绕第二芯片结构。芯片封装结构包含第三成型层，其围绕第一成型层、第二成型层、与第一焊料凸块，并填入间隙中。