公开(公告)号：CN103839772A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310585803.3

申请日：2013-11-19

申请人： 贝思瑞士股份公司

发明人： 恩斯特·巴尔梅特勒 ,  艾尔万·罗德里格斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67011 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/75 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75753 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1105 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1983 ,  H01L21/7813

摘要： 用于使半导体芯片与箔分离的方法。本发明涉及一种用于使半导体芯片与箔分离的方法的预剥离阶段。根据第一方面，本发明涉及确定时间段，每个所述时间段限定预剥离步骤的持续时间，其中，首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲，随后与箔分离。在设置阶段，为每个预剥离步骤执行以下步骤：初始化所述方法步骤；重复以下两个步骤：记录所述半导体芯片的图像，并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段，和检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗；直到所述检查得到没有半导体芯片的周围区域比预定的亮度值暗的结果。根据第二方面，本发明涉及一种实时监测半导体芯片与箔的分离的方法。

公开(公告)号：CN103715136A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310143226.2

申请日：2013-04-23

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔廷豪 ,  吴相宪 ,  康东旭

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L33/02 ,  B32B38/0036 ,  B32B2037/243 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/20 ,  G06F1/1652 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/0097 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L21/7813 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开柔性显示装置的制造方法。公开的柔性显示装置的制造方法包括如下步骤：准备柔性基板形成于载体基板的基板组装体；将准备的多个基板组装体分为多层装载至加热炉内；对于在加热炉内层叠为所述多层的各个基板组装体，沿水平方向喷吹热风而进行热处理；在经热处理的基板组装体的柔性基板上形成显示单元；分离柔性基板和载体基板。根据这种制造方式，在分离载体基板和柔性基板之后也能够抑制柔性基板发生弯曲的现象，因此可以使后续工序顺畅地进行，据此可提高生产率，还可以降低在处理过程中可能发生的产品被损伤的危险。

公开(公告)号：CN102714150A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080055594.6

申请日：2010-12-07

申请人： JP赛席尔联合股份有限公司

发明人： J·P·赛塞尔 ,  M·门德斯 ,  胡吉

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67115 ,  Y10S156/93 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917

摘要： 本发明提供激光剥离系统及方法，其可用于经由以下方式来提供整体式激光剥离并使裂纹最小：减小一或多个光束点在一或多个维度上的大小以减小羽烟压力（plume pressure）、同时维持足够的能量以达成分离。经由照射具有各种形状及呈各种图案的照射区，该等激光剥离系统及方法可更有效地利用激光能、减少在层分离时的裂纹并提高生产率。本文所述的某些激光剥离系统及方法经由照射使激光剥离区（lift off zone；LOZ）延伸超出照射区的非邻接照射区来分离各个材料层。本文所述的其他激光剥离系统及方法经由对照射区进行成型及经由以能避免工件被不均匀曝光的方式控制各照射区的交迭来分离各个材料层。根据至少一实施例，一种激光剥离系统及方法可用于在一半导体晶圆的一基板上提供对一或多个外延层的整体式剥离。

公开(公告)号：CN101517700A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034881.7

申请日：2007-09-20

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： J·A·罗杰斯 ,  R·G·诺奥 ,  M·梅尔特 ,  高興助 ,  J·尹 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L31/0735 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0191 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T156/1195 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了如下的方法，其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构，并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构，来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、(光)电器件和器件构件的方式。

公开(公告)号：CN1929090A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610110151.8

申请日：2006-08-07

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 中畑成二 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。

公开(公告)号：CN1873932A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087709.5

申请日：2006-05-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 荻田香 ,  田村友子 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/13 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292

摘要： 本发明提供了低成本、高可靠性的薄的半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。在衬底上方依次形成剥离层、晶体管和绝缘层；形成开口以暴露出剥离层的至少一部分；并且通过物理方法从衬底上剥离该晶体管。剥离层通过使用溶液的方法形成金属膜和与该金属膜接触的金属氧化物膜来形成。

公开(公告)号：CN1244027A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99105374.5

申请日：1996-06-07

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： 约翰·斯蒂芬·史密斯 ,  H-J·J·叶

IPC分类号： H01L21/00 ,  H05K13/00 ,  B65G49/07

CPC分类号： H01L25/50 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L24/24 ,  H01L24/26 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0753 ,  H01L29/0657 ,  H01L33/20 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95092 ,  H01L2224/95122 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15157 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  Y10T29/49895 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种输送包含集成电路部分的微机械加工块的方法,所述方法包含下列步骤:把至少一个块放置在流体中,把所述块输送到选定的位置上;由泵来输送所述块;所述块自对准入基片的凹槽区;所述块为已腐蚀出的块;用机械装置来移动所述的块和所述的流体。

公开(公告)号：CN1147153A

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN96106682.2

申请日：1996-06-07

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： 约翰·斯蒂芬·史密斯 ,  H-J·J·叶

IPC分类号： H01L27/01

CPC分类号： H01L25/50 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L24/24 ,  H01L24/26 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/04 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0753 ,  H01L29/0657 ,  H01L33/20 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95092 ,  H01L2224/95122 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15157 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  Y10T29/49895 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种通过流体输送把微结构装配到基片上的方法和装置。自对准入凹槽区内的定形块微结构位于基片上，俾使微结构与基片变成为一个整体。改进的方法包括把定形块转移到流体中心制成浆体的步骤。然后把该浆体在其上具有凹槽区的上表面上均匀地分配或者循环。微结构通过形状和流体在基片的表面上滚动、自对准并齿合于凹槽区内。

公开(公告)号：CN109148369A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811196018.8

申请日：2018-10-15

申请人： 保定中创燕园半导体科技有限公司

发明人： 孙永健 ,  莫少琼 ,  豆学刚 ,  王光普 ,  郭坚

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  B23K26/402

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/402 ,  H01L21/67103

摘要： 本发明公开了一种加热激光剥离设备，包括激光剥离设备本体，所述激光剥离设备本体包括设置于下端的移动平台，所述移动平台设置有加热底座，所述加热底座上设置有样品台，所述加热底座包括设置于所述样品台下方且用于给所述样品台加热的电加热装置，所述样品台下端还设置有用于检测样品台温度的温度传感器，所述样品台上方罩有保温罩，所述保温罩的顶端与所述样品台所对应的位置上设置有方便激光穿过的隔热透明窗。本发明的加热激光剥离设备，为剥离GaN外延片提供合适的温度环境，解决了蓝宝石衬底上生长的GaN外延片的残存应力问题，避免剥离时易碎裂的情况发生。

公开(公告)号：CN105283943B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480032979.9

申请日：2014-05-19

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7813 ,  H01L22/12

摘要： 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后，施加热处理，在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆和基底晶圆的厚度，选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此，能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均，制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。