公开(公告)号：CN106971997A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611089415.6

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 一种半导体结构包括：贯通孔；模制件，围绕贯通孔；介电层，设置在管芯、贯通孔和模制件上方；以及导电构件，设置在介电层内、设置在贯通孔上方、以及与贯通孔电连接，其中，导电构件包括第一突出部分和第二突出部分，并且第一突出部分沿着第一方向从贯通孔横向突出第一长度，第二突出部分沿着第二方向从贯通孔横向突出第二长度，第一方向基本正交于第二方向，以及第一长度基本大于第二长度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN103904052B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310067452.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  邵栋梁 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  陈洁

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L28/60 ,  H01L29/00 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及的是一种器件，包括金属焊盘和具有与金属焊盘重叠的部分的钝化层。电容器包括位于钝化层下方的底部电容器电极，其中，该底部电容器包括金属焊盘。电容器另外包括位于部分钝化层上方的顶部电容器电极；以及包括部分钝化层的电容器绝缘体。本发明还提供了一种后钝化结构中的电容器及其形成方法。

公开(公告)号：CN103311224B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310014921.9

申请日：2013-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  陈英儒

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/30 ,  H01L22/32 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014

Abstract: 提供一种用于测试电连接的系统和方法。在一个实施例中，可以制造一个或者多个浮置焊盘与凸块下金属化结构电连接。然后可以执行测试以经过浮置焊盘测量凸块下金属化结构的电特性以便测试缺陷。取而代之，传导连接可以形成于凸块下金属化上，并且可以对传导连接和凸块下金属化一起执行测试。

公开(公告)号：CN103151322B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210193484.7

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  梁世纬

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸半导体器件，包括：半导体管芯、第一凸块底部金属结构和第二凸块底部金属结构。在半导体管芯的角部区域或边部区域上形成具有第一包围件的第一凸块底部金属结构。在半导体管芯的内部区域上形成具有第二包围件的第二凸块底部金属结构。第一包围件大于第二包围件。本发明还提供了一种晶圆级芯片尺寸封装件的UBM结构。

公开(公告)号：CN104659003A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410377149.1

申请日：2014-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈英儒 ,  陈宪伟 ,  于宗源

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括具有表面的衬底、设置在衬底的表面上的多个焊盘，多个焊盘包括非焊料掩模限定(NSMD)焊盘和焊料掩模限定(SMD)焊盘，并且NSMD焊盘布置在预定位置处。此外，一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，在衬底的表面上设置多个焊盘，在衬底的表面和多个焊盘的上方设置焊料掩模，在焊料掩模中形成第一凹槽以围绕多个焊盘中的一个，以及在焊料掩模中并且在多个焊盘中的一个之上形成第二凹槽。本发明还提供半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN104008981A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310199231.5

申请日：2013-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  陈英儒

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成凸块结构的方法，包括：通过化学镀工艺在顶部金属层上形成金属化层；在金属化层上方形成聚合物层；在聚合物层上形成开口以暴露金属化层；以及在暴露的金属化层上方形成焊料凸块，以与顶部金属层电接触。

公开(公告)号：CN102347288B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201010597690.5

申请日：2010-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  刘醇鸿 ,  唐修敏 ,  陈英儒 ,  邵栋梁 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/24

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。本发明可提升接合强度。

公开(公告)号：CN103904052A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310067452.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  邵栋梁 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  陈洁

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L28/60 ,  H01L29/00 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及的是一种器件，包括金属焊盘和具有与金属焊盘重叠的部分的钝化层。电容器包括位于钝化层下方的底部电容器电极，其中，该底部电容器包括金属焊盘。电容器另外包括位于部分钝化层上方的顶部电容器电极；以及包括部分钝化层的电容器绝缘体。本发明还提供了一种后钝化结构中的电容器及其形成方法。

公开(公告)号：CN102956602A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110399930.5

申请日：2011-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  梁世纬

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接合焊盘结构的机构。该接合焊盘具有通过接合焊盘下面的钝化层中的开口形成的凹槽区域。上钝化层至少覆盖了接合焊盘的凹槽区域，以减少困在凹槽区域中的图案化残留物和/或蚀刻残留物。由此降低了接合焊盘腐蚀的可能性。本发明还提供了一种用于减少接合焊盘腐蚀的接合焊盘结构。

公开(公告)号：CN102456667A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110166558.3

申请日：2011-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/32 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在半导体晶片中用来进行晶片测试的接合焊盘结构以及具有该接合焊盘结构的晶片。上述接合焊盘结构包括至少两个金属接合焊盘，彼此之间借由在一个或多个绝缘层中的多个导电通孔互相连接。与最底端的金属接合焊盘相接触的多个接触条，其实质上自最底端的金属接合焊盘垂直延伸进入基板。绝缘结构实质上围绕着多个接触条，以便将接合焊盘结构隔离。本发明的工艺控制监测焊盘结构具有的优点如下：借由在裸片单分工艺中降低破裂形成及破裂延伸至裸片的可能性，以及将晶片中的工艺控制监测焊盘结构与其他装置隔绝，避免漏电流，来增加在测试期间的集成电路的可靠度。