Abstract:
A stacked ultrasound vibration device is provided with a plurality of piezoelectric bodies 61 between two mass materials 42 and 43, in which brazing materials 73 and 76 with an elastic constant smaller than elastic constants of the two mass materials 42 and 43 and the plurality of piezoelectric bodies 61 are used to bond the plurality of piezoelectric bodies 61 as similar material bonding portions by a first metal bonding layer with a first thickness d1 and to bond the plurality of piezoelectric bodies 61 and the mass materials 42 and 43 as dissimilar material bonding portions by a second metal bonding layer with a second thickness d2 thicker than the first thickness d1.
Abstract:
A display panel (110) includes a display configured to display an image by receiving a drive signal, and a pad region including first (PG1, PG3) and second (PG2, PG4) pad groups configured to receive the drive signal from an outside and to provide the received drive signal to the display, wherein the first pad group (PG1, PG3) includes a plurality of first pads extending along a plurality of first imaginary lines (L4), the first imaginary lines being tilted at a predetermined angle with respect to a reference line (RL), wherein the second pad group (PG2, PG4) includes a plurality of second pads extending along a plurality of second imaginary lines (L3), the second imaginary lines being tilted at a predetermined angle with respect to the reference line (RL), and wherein the plurality of first imaginary lines converges into a first point (P1, P3) and the plurality of second imaginary lines converges into a second point (P2, P4), the first and second points being located at different positions.
Abstract:
Integrated circuit chips and chip packages are disclosed that include an over-passivation scheme at a top of the integrated circuit chip and a bottom scheme at a bottom of the integrated circuit chip using a top post-passivation technology and a bottom structure technology. The integrated circuit chips can be connected to an external circuit or structure, such as ball-grid-array (BGA) substrate, printed circuit board, semiconductor chip, metal substrate, glass substrate or ceramic substrate, through the over-passivation scheme or the bottom scheme. Related fabrication techniques are described.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, insbesondere Leistungshalbleiteranordnung, bei der ein eine mit Kontakten (10) versehene Oberseite aufweisender Halbleiter (2, 4, 11, 12) mit einer aus einem Folienverbund (7, 8, 9) gebildeten elektrischen Verbindungseinrichtung (6) verbunden ist, wobei zwischen der Verbindungseinrichtung (6) und der Oberseite des Halbleiters (2, 4, 11, 12) eine Unterfüllung (14) vorgesehen ist. Zur Verbesserung der Haltbarkeit der Unterfüllung wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Unterfüllung (14) eine aus einem präkeramischen Polymer gebildete Matrix aufweist.
Abstract:
Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung mit einem Substrat, auf einer Hauptfläche dieses Substrats angeordneten Leiterbahnen, mindestens einem mit seiner ersten Hauptfläche auf einer ersten Leiterbahn angeordnetem Halbleiterbauelement, einer elektrisch leitfähigen Verbindungseinrichtung zu mindestens einer Kontaktfläche der zweiten Hauptfläche des Halbleiterbauelement. Hierbei ist die Verbindung des Halbleiterbauelements mit der ersten Leiterbahn und / oder der Verbindungseinrichtung als Drucksinterverbindung ausgebildet und zwischen der Verbindungseinrichtung und einem zugeordneten Rand des Halbleiterbauelements ein Isolierstoff angeordnet.
Abstract:
Even when a substrate on which a semiconductor package has been mounted is made curved, stress upon electrical connections is mitigated, thereby eliminating faulty connections and improving connection reliability. A semiconductor chip (10) has electrodes (11) on a second face (10b) thereof. Support blocks (20), capable of bending and flexing, are placed at two locations on a peripheral edge of a first face (10a) of the semiconductor chip (10). An interposer (30) is placed so as to span the support blocks with the support blocks interposed between itself and the semiconductor chip (10), and has a wiring pattern in a flexible resin film. Two end portions of the interposer are folded back onto the side of the second face (10b) of the semiconductor chip (10), and the wiring pattern thereof is electrically connected to the electrodes (11) of the semiconductor chip (10).
Abstract:
Es wird ein Leistungshalbleitermodul (10) mit einem Substrat (12), einer Verbundfolie (14) und mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (16) beschrieben, das zwischen dem Substrat (12) und der Verbundfolie (14) vorgesehen ist. Die Verbundfolie (14) weist eine dünne schaltstrukturierte Logikmetallschicht (26) und eine im Vergleich hierzu dicke schaltstrukturierte Leistungsmetallschicht (28) sowie zwischen diesen eine dünne elektrisch isolierende Kunststofffolie (24) auf. Die Verbundfolie (14) ist mit Kontaktnoppen (30) ausgebildet, die zur Kontaktierung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement (16) dienen. Zwischen der Logikmetallschicht (26) und der Leistungsmetallschicht (28) sind Durchkontaktierungen (32) vorgesehen. Die Kunststofffolie (24) ist im Bereich der jeweiligen Durchkontaktierung (32) an einem von der Logikmetallschicht (26) freien Bereich (36) mit einer Aussparung (34) ausgebildet. Ein Stück (38) eines flexiblen Dünndrahtes (40) erstreckt sich durch den freien Bereich (36) der Logikmetallschicht und durch die Aussparung (34) in der Kunststofffolie (24) hindurch und ist mit der Logikmetallschicht (26) und mit der Leistungsmetallschicht (28) durch Bondstellen (44, 48) kontaktiert.