公开(公告)号：US06459840B1

公开(公告)日：2002-10-01

申请号：US09259332

申请日：1999-03-01

申请人： Hiroshi Sato ,  Masahiro Aoki ,  Tsurugi Sudoh ,  Akira Taike ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Masaaki Komori ,  Kazuhisa Uomi

发明人： Hiroshi Sato ,  Masahiro Aoki ,  Tsurugi Sudoh ,  Akira Taike ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Masaaki Komori ,  Kazuhisa Uomi

IPC分类号： G02B610

CPC分类号： H01S5/1228 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/106 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

摘要： An optical transmission device particularly adapted to a high-speed and large-capacity optical transmission system with a large optical output and excellent reflection resistance includes a waveguide-type optical element for emerging light and an optical transmission path that is to be optically coupled to the waveguide-type optical element. The waveguide-type optical element includes, at least in part thereof, a light-emitting portion having a gain-coupled diffraction grating and a mode-converting region integrated with the light-emitting portion.

摘要翻译： 特别适用于具有大的光输出和优异的反射电阻的高速和大容量光传输系统的光传输装置包括用于出射光的波导型光学元件和光传输路径，光传输路径将被光耦合到 波导型光学元件。 波导型光学元件至少部分地包括具有增益耦合衍射光栅的发光部分和与发光部分集成的模式转换区域。

公开(公告)号：US5937274A

公开(公告)日：1999-08-10

申请号：US993035

申请日：1997-12-18

申请人： Masahiko Kondow ,  Kazuhisa Uomi ,  Hitoshi Nakamura

发明人： Masahiko Kondow ,  Kazuhisa Uomi ,  Hitoshi Nakamura

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L27/06 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/107 ,  H01L31/125 ,  H01L33/007 ,  H01L27/15 ,  H01S5/021 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/32375 ,  H01S5/3434 ,  Y02E10/544

摘要： A fabrication process for a semiconductor device including a plurality of semiconductor layers, the plurality of semiconductor layers including at least a nitrogen-containing alloy semiconductor Al.sub.a Ga.sub.b In.sub.1-a-b N.sub.x P.sub.y As.sub.z Sb.sub.1-x-y-z (0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1, 0

摘要翻译： 一种包括多个半导体层的半导体器件的制造方法，所述多个半导体层至少包括含氮合金半导体AlaGabIn1-a-bNxPyAszSb1-xyz（0≤a≤1,0≤ 以及制造半导体器件和装置的方法。 对于多个半导体层中的至少两个半导体层，所述至少两个半导体层的晶格应变值设定为小于在所述两个相邻半导体层之间的界面处产生失配位错的临界应变。 在制造半导体器件的方法中，制备作为材料的Al，Ga，In，N，P，As和Sb作为半导体器件的材料，并且通过使用所述材料外延生长多个半导体层，所述材料包括层 的含氮合金半导体AlaGabIn1-a-bNxPyAszSb1-xyz（0≤a≤1,0

公开(公告)号：US5654583A

公开(公告)日：1997-08-05

申请号：US494228

申请日：1995-06-23

申请人： Yae Okuno ,  Kazuhisa Uomi ,  Masahiro Aoki ,  Misuzu Sagawa

发明人： Yae Okuno ,  Kazuhisa Uomi ,  Masahiro Aoki ,  Misuzu Sagawa

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01L29/22 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01S5/0215 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1243 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34306

摘要： The semiconductor device has a semiconductor structure directly bonded onto another semiconductor structure of a different kind from the former. These two semiconductor structures are arranged in such a way that their crystal structures in a cross section perpendicular to the bonded interface of the two semiconductor structures are different from each other or that their lattice orders are not equivalent. This can be applied to direct bonding of any combination of semiconductor structures in any crystallographic orientation relation. This also allows bonding of three or more kinds of semiconductor structures.

摘要翻译： 半导体器件具有直接结合到与前者不同种类的另一半导体结构上的半导体结构。 这两个半导体结构被布置成使得它们在垂直于两个半导体结构的键合界面的截面中的晶体结构彼此不同或它们的晶格次数不相等。 这可以应用于任何结晶取向关系中的任何半导体结构组合的直接结合。 这也允许三种或更多种半导体结构的结合。

公开(公告)号：US5574289A

公开(公告)日：1996-11-12

申请号：US24084

申请日：1993-03-01

申请人： Masahiro Aoki ,  Hirohisa Sano ,  Shinji Sakano ,  Makoto Suzuki ,  Makoto Takahashi ,  Kazuhisa Uomi ,  Tatemi Ido ,  Atsushi Takai

发明人： Masahiro Aoki ,  Hirohisa Sano ,  Shinji Sakano ,  Makoto Suzuki ,  Makoto Takahashi ,  Kazuhisa Uomi ,  Tatemi Ido ,  Atsushi Takai

IPC分类号： G02F1/017 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S5/50 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  H01L31/035236 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34 ,  G02F2203/07 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/106 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/5036

摘要： Disclosed is a semiconductor optical integrated device and method of fabricating the device, the device having a plurality of quantum well structures, formed on a single substrate, acting as optical waveguides, the plurality of quantum well structures respectively having different lattice mismatches with the substrate and/or different strains (e.g., respectively compressive strain and tensile strain). The method includes selectively depositing the quantum well structures by, e.g., organometallic vapor phase epitaxy on growth regions of the substrate, the growth regions being defined by insulating layer patterning masks, with a width of the growth regions and/or a width of the patterning mask being different for the different quantum well structures. Each quantum well structure includes quantum well layers of III-V or II-VI compound semiconductor material, the Group III or Group II elements each including at least two elements, one having a relatively large atomic diameter and another having a relatively small atomic diameter. Also disclosed is a light receiver that can independently absorb TE-mode and TM-mode light in series, which can be used in a polarized-wave diversity receiver for coherent optical communication.

摘要翻译： 公开了一种制造该器件的半导体光学集成器件和方法，该器件具有多个量子阱结构，形成在单个衬底上，作为光波导，多个量子阱结构分别与衬底具有不同的晶格错配; /或不同的应变（例如，分别为压缩应变和拉伸应变）。 该方法包括通过例如在衬底的生长区域上的有机金属气相外延选择性地沉积量子阱结构，生长区域由绝缘层图案化掩模限定，具有生长区域的宽度和/或图案化宽度 掩模对于不同的量子阱结构是不同的。 每个量子阱结构包括III-V或II-VI族化合物半导体材料的量子阱层，III族或II族元素各自包含至少两种元素，一种具有较大的原子直径，另一种具有较小的原子直径。 还公开了可以独立地吸收串联的TE模式和TM模式光的光接收器，其可以用于用于相干光通信的偏振波分集接收器中。

公开(公告)号：US5572616A

公开(公告)日：1996-11-05

申请号：US380571

申请日：1995-01-30

申请人： Masahiro Aoki ,  Tatemi Ido ,  Takayuki Tsutsui ,  Kazuhisa Uomi ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Makoto Okai ,  Atsushi Nakamura

发明人： Masahiro Aoki ,  Tatemi Ido ,  Takayuki Tsutsui ,  Kazuhisa Uomi ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Makoto Okai ,  Atsushi Nakamura

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/12 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/22 ,  G02B6/10 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12176 ,  H01S5/12 ,  H01S5/209 ,  H01S5/4025

摘要： A waveguide device includes an indium phosphide substrate, an active layer formed on the indium phosphide substrate, and a cladding layer formed on the active layer, the cladding layer having a ridge structure the side wall of which is configured into a reversed mesa form.

摘要翻译： 波导器件包括铟磷化物衬底，形成在磷化铟衬底上的有源层和形成在有源层上的覆层，所述覆层具有其侧壁被构造成反向台面形式的脊结构。

公开(公告)号：US5177758A

公开(公告)日：1993-01-05

申请号：US803206

申请日：1991-12-06

申请人： Akihiko Oka ,  Shinji Sakano ,  Naoki Chinone ,  Tsukuru Ohtoshi ,  Kazuhisa Uomi ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Makoto Okai

发明人： Akihiko Oka ,  Shinji Sakano ,  Naoki Chinone ,  Tsukuru Ohtoshi ,  Kazuhisa Uomi ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Makoto Okai

IPC分类号： H01S5/062 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/10 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/106 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3428 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

摘要： A wavelength-tunable semiconductor laser device presenting a large wavelength-tunable range or a very-high-speed modulating semiconductor laser device having a distributed feedback structure including a diffraction grating as in the case of a DBR laser or a DFB laser incorporates therein a plurality of active layers differing from one another in constituent elements or composition ratio or thickness for reducing spectral line widths, while improving single-mode spectral oscillation characteristics.

摘要翻译： 具有大波长可调范围的波长可调谐半导体激光器件或具有如在DBR激光器或DFB激光器的情况下包括衍射光栅的分布式反馈结构的非常高速调制的半导体激光器件包含多个 的有源层彼此不同的组成元素或组成比或厚度以减小谱线宽度，同时改善单模光谱振荡特性。

公开(公告)号：US5132981A

公开(公告)日：1992-07-21

申请号：US529245

申请日：1990-05-25

申请人： Kazuhisa Uomi ,  Shinji Sasaki ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Naoki Chinone ,  Tsukuru Ohtoshi

发明人： Kazuhisa Uomi ,  Shinji Sasaki ,  Tomonobu Tsuchiya ,  Naoki Chinone ,  Tsukuru Ohtoshi

IPC分类号： G02F1/017 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/062 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/20 ,  H01S5/227 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/017 ,  H01L31/035236 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0622 ,  H01S5/227 ,  H01S5/32 ,  G02F1/01708 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

摘要： A semiconductor optical device having a region in which semiconductor or carriers in the semiconductor and light are interact, for example, an active region for a semiconductor laser, an optical wave guide region of an optical modulator, etc., includes a quantum well structure having a well region and a barrier region. The semiconductor optical device is remarkably improved with the degree of design freedom as it relates to parameters such as thickness and selection of material without deteriorating the quantum effect, by introducing a super lattice super-layer structure into the barrier region of the quantum well structure or defining the strain for the well region and the barrier region.

公开(公告)号：US4885753A

公开(公告)日：1989-12-05

申请号：US256318

申请日：1988-10-07

申请人： Makoto Okai ,  Kazuhisa Uomi ,  Shinji Tsuji ,  Shinji Sakano ,  Naoki Chinone

发明人： Makoto Okai ,  Kazuhisa Uomi ,  Shinji Tsuji ,  Shinji Sakano ,  Naoki Chinone

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/08 ,  H01S3/082 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/06256 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/125 ,  H01S5/4031

摘要： A tunable semiconductor laser device has an active region for generating light, and a feedback region which is optically coupled with the active region and includes a perturbation portion having non-uniform perturbation period. In this semiconductor laser device, the light intensity distribution in the feedback region is changed to vary the degree of coupling of light propagated in the feedback region with a desired part of the perturbation portion, thereby varying the wavelength of emitted light.

摘要翻译： 可调谐半导体激光器件具有用于产生光的有源区域和与有源区域光学耦合并包括具有不均匀扰动周期的扰动部分的反馈区域。 在该半导体激光器件中，改变反馈区域中的光强度分布，以改变在反馈区域中传播的光与扰动部分的所需部分的耦合度，从而改变发射光的波长。

公开(公告)号：US4873691A

公开(公告)日：1989-10-10

申请号：US224726

申请日：1988-07-27

申请人： Kazuhisa Uomi ,  Shinji Tsuji ,  Shinji Sakano ,  Makoto Okai ,  Naoki Chinone

发明人： Kazuhisa Uomi ,  Shinji Tsuji ,  Shinji Sakano ,  Makoto Okai ,  Naoki Chinone

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/125 ,  H01S5/34

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/125 ,  H01S5/34

摘要： A wavelength-tunable semiconductor laser having an active part and an external waveguide part is disclosed. The external waveguide part has a diffraction grating, such as a distributed Bragg reflector, and a quantum well structure optically coupled to the diffraction grating, together with electrodes for impressing an electric field to the quantum well structure. By applying the electric filed to the quantum well structure, the refractive index in the optically coupled diffraction grating/quantum well structure, and light oscillation wavelength in the external waveguide part, can be varied.

摘要翻译： 公开了一种具有有源部分和外部波导部分的波长可调谐半导体激光器。 外部波导部分具有衍射光栅，例如分布式布拉格反射器，以及光学耦合到衍射光栅的量子阱结构，以及用于向量子阱结构施加电场的电极。 通过将电场施加到量子阱结构，可以改变光耦合衍射光栅/量子阱结构中的折射率和外部波导部分中的光振荡波长。

公开(公告)号：US4811354A

公开(公告)日：1989-03-07

申请号：US895843

申请日：1986-08-12

申请人： Kazuhisa Uomi ,  Naoki Chinone ,  Misuzu Yoshizawa ,  Shin'ichi Nakatsuka ,  Takashi Kajimura ,  Yuichi Ono

发明人： Kazuhisa Uomi ,  Naoki Chinone ,  Misuzu Yoshizawa ,  Shin'ichi Nakatsuka ,  Takashi Kajimura ,  Yuichi Ono

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S3/19

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/3432

摘要： A phased array semiconductor laser has two or more luminous stripes. The number, width or center to center spacing of stripes is made different between the center region and neighborhood of facets of the laser so that the laser may oscillate stably in the fundamental supermode with an optical output of 100 mW or more.

摘要翻译： 相控阵半导体激光器具有两个或更多个发光条纹。 条纹的数量，宽度或中心到中心的间隔在激光器的小面的中心区域和邻近区域之间是不同的，使得激光器可以以100mW或更大的光学输出在基本超声波中稳定地振荡。