公开(公告)号：US06559042B2

公开(公告)日：2003-05-06

申请号：US09894337

申请日：2001-06-28

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Lloyd G. Burrell ,  Gerald R. Friese ,  Michael Stetter

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Lloyd G. Burrell ,  Gerald R. Friese ,  Michael Stetter

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A process for forming fusible links in an integrated circuit includes forming the fusible link in the last metallization layer. The process can be employed in the fabrication of integrated circuits employing copper metallization and low k dielectric materials. The fusible link is formed in the last metallization layer and may be formed simultaneously with the bonding pad areas.

公开(公告)号：US20140264832A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13802848

申请日：2013-03-14

申请人： Thorsten Meyer ,  Hans-Joachim Barth ,  Reinhard Mahnkopf ,  Sven Albers ,  Andreas Augustin ,  Christian Mueller

发明人： Thorsten Meyer ,  Hans-Joachim Barth ,  Reinhard Mahnkopf ,  Sven Albers ,  Andreas Augustin ,  Christian Mueller

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/5382 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/17154 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A chip arrangement may include: a first chip including a first contact, a second contact, and a redistribution structure electrically coupling the first contact to the second contact; a second chip including a contact; and a plurality of interconnects electrically coupled to the second contact of the first chip, wherein at least one interconnect of the plurality of interconnects electrically couples the second contact of the first chip to the contact of the second chip.

摘要翻译： 芯片布置可以包括：第一芯片，其包括第一触点，第二触点和将第一触点电耦合到第二触点的再分配结构; 包括触点的第二芯片; 以及电耦合到第一芯片的第二触点的多个互连，其中多个互连件中的至少一个互连将第一芯片的第二触点电耦合到第二芯片的触点。

公开(公告)号：US20140252632A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US13786538

申请日：2013-03-06

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Reinhard Mahnkopf ,  Thorsten Meyer ,  Sven Albers ,  Andreas Augustin ,  Christian Mueller

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Reinhard Mahnkopf ,  Thorsten Meyer ,  Sven Albers ,  Andreas Augustin ,  Christian Mueller

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor chip; an extension layer extending laterally from a boundary of the semiconductor chip; a redistribution layer disposed over at least one side of the extension layer and the semiconductor chip, wherein the redistribution layer electrically couples at least one contact of the semiconductor chip to at least one contact of an interface, wherein at least a part of the interface extends laterally beyond the boundary of the semiconductor chip.

摘要翻译： 半导体器件包括：半导体芯片; 延伸层，其从半导体芯片的边界横向延伸; 重新分配层，其设置在所述延伸层和所述半导体芯片的至少一侧上，其中所述再分配层将所述半导体芯片的至少一个触点电耦合到界面的至少一个触点，其中所述界面的至少一部分延伸 横向超出半导体芯片的边界。

公开(公告)号：US08617929B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13456331

申请日：2012-04-26

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jenei Snezana

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Thorsten Meyer ,  Markus Brunnbauer ,  Jenei Snezana

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： A system on chip comprising a RF shield is disclosed. In one embodiment, the system on chip includes a RF component disposed on a chip, first redistribution lines disposed above the system on chip, the first redistribution lines coupled to I/O connection nodes. The system on chip further includes second redistribution lines disposed above the RF component, the second redistribution lines coupled to ground potential nodes. The second redistribution lines include a first set of parallel metal lines coupled together by a second set of parallel metal lines.

摘要翻译： 公开了一种包括RF屏蔽的片上系统。 在一个实施例中，片上系统包括设置在芯片上的RF组件，设置在片上系统上方的第一再分配线，第一再分配线耦合到I / O连接节点。 片上系统还包括设置在RF部件上方的第二再分配线，第二再分配线耦合到地电位节点。 第二再分配线包括由第二组平行金属线耦合在一起的第一组平行金属线。

公开(公告)号：US20130320554A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13484352

申请日：2012-05-31

申请人： Hans-Joachim Barth

发明人： Hans-Joachim Barth

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a top surface. A semiconductor circuit defines a circuit area on the top surface of the substrate. An interconnect is spaced apart from the circuit area and extends from the top surface into the substrate. The interconnect includes a sidewall formed of an electrically insulating material. An opening is provided in the sidewall.

摘要翻译： 半导体器件包括具有顶表面的衬底。 半导体电路限定了衬底的顶表面上的电路区域。 互连件与电路区域间隔开并从顶表面延伸到衬底中。 互连包括由电绝缘材料形成的侧壁。 在侧壁中设置开口。

公开(公告)号：US08598718B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13587835

申请日：2012-08-16

申请人： Hans-Joachim Barth

发明人： Hans-Joachim Barth

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/34 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

摘要： A three-dimensional multichip module includes a first integrated circuit chip having at least one first high-temperature functional area and one first low-temperature functional area, and at least one second integrated circuit chip having a second high-temperature functional area and a second low-temperature functional area. The second high-temperature functional area is arranged opposite the first low-temperature functional area. As an alternative, at least one low-temperature chip having only one low-temperature functional area can also be arranged between the first and second chips.

摘要翻译： 三维多芯片模块包括具有至少一个第一高温功能区和一个第一低温功能区的第一集成电路芯片和至少一个具有第二高温功能区和第二高温功能区的第二集成电路芯片 低温功能区。 第二高温功能区与第一低温功能区相对。 作为替代，也可以在第一和第二芯片之间设置至少一个仅具有一个低温功能区的低温芯片。

公开(公告)号：US20130240884A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13729145

申请日：2012-12-28

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Horst Baumeister ,  Peter Baumgartner ,  Philipp Riess ,  Jesenka Veledar Krueger

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Horst Baumeister ,  Peter Baumgartner ,  Philipp Riess ,  Jesenka Veledar Krueger

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/642 ,  H01L27/04 ,  H01L2224/16225

摘要： A capacitive sensor and measurement circuitry is described that may be able to reproducibly measure miniscule capacitances and variations thereof. The capacitance may vary depending upon local environmental conditions such as mechanical stress (e.g., warpage or shear stress), mechanical pressure, temperature, and/or humidity. It may be desirable to provide a capacitor integrated into a semiconductor chip that is sufficiently small and sensitive to accurately measure conditions expected to be experienced by a semiconductor chip.

摘要翻译： 描述了可以可重复地测量微小电容及其变化的电容传感器和测量电路。 电容可以根据当地的环境条件（例如机械应力（例如翘曲或剪切应力）），机械压力，温度和/或湿度而变化。 可能需要提供集成到半导体芯片中的电容器，该电容器足够小并且敏感以准确地测量半导体芯片预期经历的条件。

公开(公告)号：US08536683B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13037446

申请日：2011-03-01

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Andre Hanke ,  Snezana Jenei ,  Oliver Nagy ,  Jiro Morinaga ,  Bernd Adler ,  Heinrich Koerner

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Andre Hanke ,  Snezana Jenei ,  Oliver Nagy ,  Jiro Morinaga ,  Bernd Adler ,  Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L21/71

CPC分类号： H01L21/71 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： Structures of a system on a chip are disclosed. In one embodiment, the system on a chip (SoC) includes an RF component disposed on a first part of a substrate, a semiconductor component disposed on a second part of the substrate, the semiconductor component and the RF component sharing a common boundary, and a conductive cage disposed enclosing the RF component. The conductive cage shields the semiconductor component from electromagnetic radiation originating from the RF circuit.

摘要翻译： 公开了一种芯片上的系统的结构。 在一个实施例中，芯片上的系统（SoC）包括设置在基板的第一部分上的RF部件，设置在基板的第二部分上的半导体部件，共享公共边界的半导体部件和RF部件，以及 布置成围绕RF部件的导电笼。 导电笼罩半导体元件不受来自RF电路的电磁辐射。

公开(公告)号：US08330274B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US08269341B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12275731

申请日：2008-11-21

申请人： Hans-Joachim Barth

发明人： Hans-Joachim Barth

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00

摘要： Cooling structures and methods, methods of manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a cooling structure for a semiconductor device includes at least one channel defined between a first workpiece and a second workpiece. The second workpiece is bonded to the first workpiece. The at least one channel is adapted to retain a fluid.

摘要翻译： 公开了冷却结构和方法，制造半导体器件的方法和半导体器件。 在一个实施例中，用于半导体器件的冷却结构包括限定在第一工件和第二工件之间的至少一个通道。 第二工件结合到第一工件。 至少一个通道适于保持流体。