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公开(公告)号：CN102985877A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180031004.0
申请日：2011-06-10
申请人： 东丽株式会社
发明人： 仁王宏之
IPC分类号： G03F7/023 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J179/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0233 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/106 , C08L79/08 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , G03F7/038 , H01L23/293 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/1146 , H01L2224/1148 , H01L2224/11845 , H01L2224/13147 , H01L2224/27416 , H01L2224/276 , H01L2224/29036 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81903 , H01L2224/82203 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , C08L63/00 , C08L33/04 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供固化后的应力小、热压接后的粘合性优异的感光性树脂组合物和感光性树脂组合物膜。所述感光性树脂组合物的特征在于，含有以下成分：(a)碱溶性聚酰亚胺，具有下述通式(1)所示的结构单元，且在主链的至少一个末端具有通式(2)和/或(3)所示的结构；(b)分子内具有2个以上的环氧基和/或氧杂环丁烷基的化合物；(c)醌二叠氮化合物，其中丙烯酸树脂的含量相对于100重量份的聚酰亚胺(a)小于10重量份，化合物(b)的含量相对于100重量份的聚酰亚胺(a)为20重量份以上。
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公开(公告)号：CN105405824B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201510554070.6
申请日：2015-09-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： F.克勒纳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/58
CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/302 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/05747 , H01L2224/05893 , H01L2224/06181 , H01L2224/271 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27442 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29157 , H01L2224/29193 , H01L2224/29247 , H01L2224/29271 , H01L2224/29393 , H01L2224/29447 , H01L2224/29471 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/831 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/83693 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法。用于焊接半导体芯片布置的预制结构包括碳纤维复合片以及在碳纤维复合片之上形成的焊料层。
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公开(公告)号：CN103370784A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201180067909.3
申请日：2011-04-01
申请人： 德塞拉股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。
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公开(公告)号：CN105405824A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510554070.6
申请日：2015-09-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： F.克勒纳
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/58
CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/302 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/05747 , H01L2224/05893 , H01L2224/06181 , H01L2224/271 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27442 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29157 , H01L2224/29193 , H01L2224/29247 , H01L2224/29271 , H01L2224/29393 , H01L2224/29447 , H01L2224/29471 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/831 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/83693 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及预制结构及其形成方法、和焊接半导体芯片布置的方法。用于焊接半导体芯片布置的预制结构包括碳纤维复合片以及在碳纤维复合片之上形成的焊料层。
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公开(公告)号：CN102883991B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180010791.0
申请日：2011-03-01
申请人： 森松诺尔技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/276 , H01L2224/29011 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/83007 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/83207 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/164 , Y10T428/12493 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： 一种金属内扩散连接方法，用于形成MEMS装置的气密密封的晶片级封装，包括下列步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属堆，第一金属在空气中易氧化；在每一个第一金属堆的上表面上提供第二金属层，第二金属具有比第一金属低的熔点，所述第二金属层的厚度足以抑制所述第一金属上表面的氧化；使所述第一晶片上的第二金属层接触第二晶片上的第二金属层以形成连接界面；以及在低于所述第二金属的熔点的连接温度向第一和第二晶片施加连接压力以促使连接，所述连接压力足以使连接界面处的第二金属层变形。
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公开(公告)号：CN102292280A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005182.1
申请日：2010-01-13
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 鲁本·B·蒙特兹 , 亚历克斯·P·帕马塔特
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2207/097 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/02 , H01L2224/022 , H01L2224/036 , H01L2224/0391 , H01L2224/04026 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05638 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/29013 , H01L2224/29016 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83411 , H01L2224/83424 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83466 , H01L2224/83469 , H01L2224/83481 , H01L2224/83484 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/10157 , H01L2924/15159 , H01L2924/164 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83
摘要： 在一个实施例中，一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中，包括金属的层包围半导体器件，其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上，形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力)，以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料，其中，机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下，机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。
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公开(公告)号：CN103370784B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180067909.3
申请日：2011-04-01
申请人： 德塞拉股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。
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公开(公告)号：CN102292280B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080005182.1
申请日：2010-01-13
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 鲁本·B·蒙特兹 , 亚历克斯·P·帕马塔特
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2207/097 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/02 , H01L2224/022 , H01L2224/036 , H01L2224/0391 , H01L2224/04026 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05638 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/2746 , H01L2224/276 , H01L2224/29013 , H01L2224/29016 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83411 , H01L2224/83424 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83466 , H01L2224/83469 , H01L2224/83481 , H01L2224/83484 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/10157 , H01L2924/15159 , H01L2924/164 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83
摘要： 在一个实施例中，一种用于将第一衬底(103)接合至第二衬底(303)的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中，包括金属的层包围半导体器件，其可为微电子机械系统(MEMS)器件。在第二衬底(303)上，形成包括硅(401)的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层(403)。在第二层上形成包括锗的第三层(405)。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量(一些实施例中还有压力)，以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料，其中，机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如MEMS的半导体器件的情况下，机械接合物用作保护MEMS的气密性密封是特别有利的。
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公开(公告)号：CN102985877B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180031004.0
申请日：2011-06-10
申请人： 东丽株式会社
发明人： 仁王宏之
IPC分类号： G03F7/023 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J179/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0233 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/106 , C08L79/08 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , G03F7/038 , H01L23/293 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/1146 , H01L2224/1148 , H01L2224/11845 , H01L2224/13147 , H01L2224/27416 , H01L2224/276 , H01L2224/29036 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81903 , H01L2224/82203 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , C08L63/00 , C08L33/04 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供固化后的应力小、热压接后的粘合性优异的感光性树脂组合物和感光性树脂组合物膜。所述感光性树脂组合物的特征在于，含有以下成分：(a)碱溶性聚酰亚胺，具有下述通式(1)所示的结构单元，且在主链的至少一个末端具有通式(2)和/或(3)所示的结构；(b)分子内具有2个以上的环氧基和/或氧杂环丁烷基的化合物；(c)醌二叠氮化合物，其中丙烯酸树脂的含量相对于100重量份的聚酰亚胺(a)小于10重量份，化合物(b)的含量相对于100重量份的聚酰亚胺(a)为20重量份以上。
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公开(公告)号：CN102883991A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180010791.0
申请日：2011-03-01
申请人： 森松诺尔技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/276 , H01L2224/29011 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/83007 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/83207 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/164 , Y10T428/12493 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： 一种金属内扩散连接方法，用于形成MEMS装置的气密密封的晶片级封装，包括下列步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属堆，第一金属在空气中易氧化；在每一个第一金属堆的上表面上提供第二金属层，第二金属具有比第一金属低的熔点，所述第二金属层的厚度足以抑制所述第一金属上表面的氧化；使所述第一晶片上的第二金属层接触第二晶片上的第二金属层以形成连接界面；以及在低于所述第二金属的熔点的连接温度向第一和第二晶片施加连接压力以促使连接，所述连接压力足以使连接界面处的第二金属层变形。
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