公开(公告)号：JP2018113486A

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：JP2018083686

申请日：2018-04-25

申请人： クリー インコーポレイテッド ,  CREE INC.

发明人： ウッド サイモン ,  ハーマンソン クリス

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/78 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 【課題】ワイドバンドギャップ半導体デバイスの高い価格に寄与する多くの因子が存在するが、そのコストの大部分はそのパッケージ化に起因する。 【解決手段】トランジスタパッケージは、リードフレームと、リードフレームに取り付けられた窒化ガリウム(GaN)トランジスタとを含む。リードフレーム及びGaNトランジスタは、約135℃より高いガラス転移温度と約20GPa未満の曲げ弾性率とを有するオーバーモールドによって取り囲まれる。約135℃より高いガラス転移温度と約20GPa未満の曲げ弾性率とを有するオーバーモールドを使用することによって、オーバーモールドは、熱膨張及び/又は収縮に起因するGaNトランジスタへの損傷を防ぎながら、GaNトランジスタから生じる熱を処理することができる。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6356550B2

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：JP2014183972

申请日：2014-09-10

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 大坪 義貴 ,  吉田 博 ,  藤野 純司 ,  菊池 正雄 ,  村井 淳一

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/486 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/32 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2018107296A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016252468

申请日：2016-12-27

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： ▲柳▼生 祐貴

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/561 ,  B29C45/0046 ,  B29C45/14655 ,  B29C45/14836 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105

摘要： 【課題】小型で、かつ、信頼性の高い半導体装置を実現する。 【解決手段】モールド工程においてゲートの近傍に位置するボンディングワイヤBWおよび半導体チップSCの中心を挟んで当該ゲートに対向するベントの近傍に位置するボンディングワイヤBWは、半導体チップSCの内側に倒れるループ形状を有し、他のボンディングワイヤBWと比べて、引っ張る力(張力)が弱く、余裕をもって緩やかに張られている。モールド工程においてゲート近傍に位置するボンディングワイヤBWとは、例えば第1電極パッドB1および第5電極パッドB5のそれぞれに接続される第1ワイヤW1および第5ワイヤW5である。また、モールド工程においてベント近傍に位置するボンディングワイヤBWとは、例えば第3電極パッドB3および第7電極パッドB7のそれぞれに接続される第3ワイヤW3および第7ワイヤW7である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018107267A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016251599

申请日：2016-12-26

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 今藤 桂

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K3/18

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】高密度領域のパッドと低密度領域のパッドの両方に均一にめっき層が形成された配線基板を提供する。 【解決手段】本配線基板は、絶縁層の上面において、外部接続端子として使用される複数のパッドが配置されたパッド配置領域が画定され、前記パッド配置領域は、複数の前記パッドが所定密度で配置された第1領域と、複数の前記パッドが前記第1領域の所定密度よりも低密度で配置された第2領域と、を含み、前記第2領域のみ、外部接続端子として使用されないダミーパッドが少なくとも1つ配置されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018098283A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2016239144

申请日：2016-12-09

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 加藤 遼一 ,  郷原 広道 ,  山田 教文 ,  山内 浩平 ,  浅井 竜彦 ,  西村 芳孝 ,  北村 明夫 ,  増渕 肇 ,  吉田 崇一

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/34 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/50 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L2224/73263

摘要： 【課題】半導体装置において、三重点におけるクラック等の発生を抑制する。 【解決手段】半導体素子30と、半導体素子30の上面に設けられた上面電極82と、上面電極82の上面に設けられためっき層38−1、38−2と、めっき層を貫通し、且つ、半導体素子の上面において予め定められた方向に延伸して設けられた1つ以上のゲートランナー32と、めっき層の上方に配置されて上面電極と電気的に接続される金属配線板60とを備える。金属配線板は、半導体素子の上面と平行な接合部62と、接合部の第1端部71に接続し、半導体素子の上面と離れる方向に延伸する立上り部63とを有する。半導体素子の上面と平行な面内において、立上り部とゲートランナーとは重ならない。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018098282A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2016239141

申请日：2016-12-09

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 山田 教文 ,  郷原 広道 ,  加藤 遼一 ,  山内 浩平

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/00 ,  H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/50 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/37099

摘要： 【課題】三重点におけるクラック等の発生を抑制する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体素子30と、半導体素子30の上面に形成された上面電極82と、上面電極82の上面に形成されためっき層38と、めっき層38を貫通し、且つ、半導体素子30の上面において予め定められた方向に延伸して形成された1つ以上のゲートランナー32−2、32−3と、めっき層38の上方に配置されて上面電極82と電気的に接続される金属配線板60とを備える。金属配線板60は、半導体素子30の上面と平行な接合部62と、接合部62の端部において、半導体素子30の上面と離れる方向に延伸する立上り部63とを有する。半導体素子30の上面と平行な面内において、立上り部63と交差しないゲートランナーと、立上り部63との最短距離である第1距離L1が1mm以上である。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6342794B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2014263381

申请日：2014-12-25

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 町田 洋弘

IPC分类号： H05K3/46 ,  H05K3/36 ,  H05K1/14 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32175 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4614 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2203/061 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05144

公开(公告)号：JP6341285B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2016540229

申请日：2015-08-03

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 郷原 広道 ,  両角 朗 ,  市村 武

IPC分类号： H01L23/473

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP2018088545A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2018018505

申请日：2018-02-05

申请人： ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア

发明人： クイスマ、ヘイッキ ,  ヌルミ、サミ

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/12 ,  H01L25/065

CPC分类号： B81B7/0074 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/036 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00333 ,  G01C19/5783 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/148 ,  G01P1/023 ,  G01P1/026 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/568 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】システムインパッケージデバイスを製造するための改良された方法、および、その方法で製造されたシステムインパッケージデバイスを提供する。 【解決手段】第1種のダイ200および第2種のダイ202のうちの少なくとも1つが、寸法の再設定のために選択され、かつ、選択されたダイの少なくとも一方の面に、加えられる材料と前記選択されたダイとが寸法再設定されたダイ構造を形成するように、材料204が加えられる。接続層が、寸法再設定されたダイ構造上に形成される。選択されなかったダイと前記少なくとも1つの更なる構成部品とが前記接続層を介して前記寸法再設定されたダイ構造に接触してマウントできるよう、寸法再設定されたダイ構造206の寸法が設定される。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6339022B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2014554025

申请日：2012-12-28

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 愛甲 光徳 ,  荒木 慎太郎

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/34

CPC分类号： H03L1/022 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/37099