公开(公告)号：JP5874633B2

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：JP2012517140

申请日：2011-05-25

申请人： 住友ベークライト株式会社

发明人： 田部井 純一

IPC分类号： C08K3/00 ,  C08L23/26 ,  C08F8/14 ,  C08F210/14 ,  C08L63/00

CPC分类号： H01L23/293 ,  C08F210/14 ,  C08F222/06 ,  C08F222/16 ,  C08F8/14 ,  C08L61/06 ,  C08F2800/20 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/45 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747

公开(公告)号：JP2016506078A

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：JP2015549561

申请日：2013-12-17

申请人： インヴェンサス・コーポレイション

发明人： ハーバ，ベルガセム ,  モハメッド，イリヤス ,  キャスキー，テレンス ,  コー，レイナルド ,  チャウ，エリス

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L25/10

CPC分类号： H05K1/11 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/181 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 構造体10は、第1表面の第1部分にある導電性要素18に接合された基部と、基板12から離れて位置する端面とを有するボンド要素24を含むことができる。誘電体封止要素40は、第1部分の上にあるとともに第1部分から広がりを有し、ボンド要素24を互いに分けるためにボンド要素24間の空間を満たしている。封止要素40は、第1表面から離れて位置する第3表面を有している。ボンド要素24の封止されていない部分は、第3表面における、封止要素により覆われていない端面の少なくとも一部によって定められる。封止要素40は、第1表面における第2部分210を少なくとも部分的に定めている。この第2部分は、第1部分以外の部分であり、超小型電子素子602の全エリアを収容するだけのサイズのエリアを有している。幾つかの導電性要素18は第2部分にあり、このような超小型電子素子602と接続するために構成されている。【選択図】図3

摘要翻译： 结构10可包括具有在所述第一表面的所述第一部分的贴合基到导电元件18和从基板12远离定位的端部表面上的键合元件24。 电介质密封元件40具有从与所述第一部分的顶部的第一部分的扩散，并填充接合元件24之间的空间，以粘合的元件24分隔到彼此。 密封元件40具有位于远离第一表面的第三表面。 没有键合元件24密封部，所述第三表面由未包括在密封元件的端部表面的至少一部分限定。 密封元件40限定至少部分所述第一表面的第二部分210。 所述第二部分比所述第一部分之外的部分，仅具有尺寸的区域，以容纳所述微电子元件602的整个区域。 一些导电元件18的处于第二部分被构造成连接这种微电子元件602。 点域

公开(公告)号：JP2016018866A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：JP2014140138

申请日：2014-07-08

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 藤野 純司 ,  浅田 晋助 ,  石山 祐介 ,  吉松 直樹 ,  井本 裕児 ,  石原 三紀夫 ,  新飼 雅芳

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/40137 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147

摘要： 【課題】パワー半導体素子の薄型化に伴う熱応力を低減し、長期信頼性に優れたパワーモジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】絶縁基板11上に配置されたパワー半導体素子21、21と、パワー半導体素子21、22の表面電極に接続されるエンボス部613、614が、電極部610より薄い板厚で、表面電極側に突出して形成された第1のリードフレーム61とを備えることで、エンボス部613、614の剛性を低減でき、はんだ接合部30、31の熱応力を抑制する。 【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种功率模块，其降低与功率半导体元件的薄化相关的热应力，并且实现优异的长期可靠性。解决方案：功率模块包括：布置在绝缘基板11上的功率半导体元件21,21; 以及引线框架61，其中连接到功率半导体元件21,22的表面电极的压花部分613,614形成为具有比电极部分610的板厚度更薄并突出在表面电极侧的板厚度。 结果，可以减小压花部分613,614的刚性，并抑制焊接部分30,31的热应力。图2：图2

公开(公告)号：JPWO2013180300A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：JP2014518769

申请日：2013-05-27

申请人： 国立大学法人茨城大学 ,  日本ピストンリング株式会社

发明人： 大貫　仁 ,  仁 大貫 ,  玉橋　邦裕 ,  邦裕 玉橋 ,  功隆 藤井 ,  功隆 藤井

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006

摘要： パワー半導体デバイスの動作温度の上昇に対して、従来以上の高信頼性を有するボンディング接続部を実現できるボンディングAlワイヤ及び該Alワイヤを用いた半導体装置、並びに該Alワイヤの探索方法を提供する。本発明のボンディングAlワイヤは、アルミニウム合金からなり、室温から300℃の温度範囲で実測される応力と歪との関係を示す曲線(応力−歪線図)において、該応力−歪線図の降伏後の線図から真応力の差分(Δρt)と真歪の差分(Δεt)との比(Δρt/Δεt)を算出することによって降伏後の真歪に対する真応力の傾きとして求められる接線係数TCが300MPa/%以上、好ましくは400MPa/%以上である。前記の接線係数TCが300MPa/%以上であるAl合金を選択する方法は、簡便で効率的な高信頼性ボンディングAlワイヤの探索方法として適用できる。

摘要翻译： 在功率半导体装置的工作温度的上升，利用接合的Al线和Al线的半导体装置能够实现具有比常规的高的可靠性，以及在Al导线的检索方法更高的接合连接。 本发明中，铝合金的粘接Al线，示出了应力和应变之间的关系的曲线在从室温的温度范围300℃的测量 - 在（应力 - 应变图）时，应力 - 应变图的产率 作为真正的相对于从图屈服后的真应变的应力的斜率获得切线系数TC通过后的计算真应力和（Δρt）和真应变差（Δεt）的差的比（Δρt/Δεt） 为300MPa /％以上，优选为400MPa /％以上。 的Al合金如何切线系数的选择的TC为300MPa /％以上能够作为便利搜索有效地可靠接合Al导线的方法来施加。

公开(公告)号：JP5847165B2

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：JP2013510810

申请日：2011-04-22

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 寺井 護 ,  平松 星紀 ,  太田 達雄 ,  生田 裕也 ,  西村 隆

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107

公开(公告)号：JP5839763B1

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：JP2015532629

申请日：2015-05-20

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 小山田 哲哉 ,  宇野 智裕 ,  出合 博之 ,  小田 大造

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22F1/14 ,  C22C5/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181

摘要： 高密度実装で要求される接合信頼性、スプリング性能、チップダメージ性能を満足することができるボンディングワイヤを提供する。ボンディングワイヤは、In,Ga,Cdの1種以上を総計で0.05〜5at.%含み、残部がAgおよび不可避不純物からなることを特徴とする。

摘要翻译： 在高密度安装中，弹簧性能所需的接合可靠性，提供一种接合线，其能够满足芯片损伤性能的。 接合线的In，Ga，包括0.05〜5原子％。在总的一个或多个镉，余量由Ag和不可避免的杂质。

公开(公告)号：JP2015207736A

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：JP2014089124

申请日：2014-04-23

申请人： 富士電機株式会社 ,  株式会社デンソー

发明人： 百田 聖自 ,  阿部 和 ,  河野 憲司 ,  田邊 広光

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0696 ,  G01R31/2601 ,  H01L22/14 ,  H01L22/30 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091

摘要： 【課題】ダミートレンチMOSセルを備え、かつ市場故障率の低いトレンチゲート型の半導体装置の製造方法、半導体装置の評価方法および半導体装置を提供すること。 【解決手段】まず、n - 型半導体基板1のおもて面に、素子の深さ方向に延びるゲート電極8を備えたトレンチMOSセルと、素子の深さ方向に延びるダミーゲート電極18を備えたダミートレンチMOSセルと、を形成する。次に、n - 型半導体基板1のおもて面上に、エミッタ電極9およびスクリーニングパッドDGを形成する。スクリーニングパッドDGには、ダミーゲート電極18が接続される。次に、エミッタ電極9とスクリーニングパッドDGとの間に所定電圧を印加して、ダミーゲート絶縁膜17に対するスクリーニングを行う。次に、エミッタ電極9およびスクリーニングパッドDGを覆うめっき膜13により、エミッタ電極9とスクリーニングパッドDGとを短絡することで、製品が完成する。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种具有虚拟沟槽MOS单元和低市场失效率的沟槽栅型半导体器件的制造方法，半导体器件和半导体器件的估计方法。解决方案：具有 在n型半导体衬底1的前表面上形成有沿器件的深度方向延伸的栅电极8和具有在器件的深度方向上延伸的虚拟栅电极18的虚拟沟槽MOS单元。发射极电极9和 屏蔽垫DG形成在n型半导体衬底1的前表面上。虚拟栅电极18连接到屏蔽垫DG。 随后，在发射电极9和屏蔽焊盘DG之间施加预定的电压，以在虚拟栅极绝缘膜17上进行屏蔽。随后，发射电极9和屏蔽焊盘DG通过镀膜13彼此短路 覆盖发射电极9和屏蔽垫DG，从而完成产品。

公开(公告)号：JP5807992B1

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：JP2015033170

申请日：2015-02-23

申请人： 田中電子工業株式会社

发明人： 天野 裕之 ,  濱本 拓也 ,  永江 祐佳 ,  崎田 雄祐 ,  三苫 修一 ,  高田 満生 ,  桑原 岳

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/78601 ,  H01L2224/85045 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14

摘要： 【課題】FAB(フリーエアボール)による溶融ボール形成の不安定性を解決するボールボンディング用パラジウム(Pd)被覆銅ワイヤを提供する。 【解決手段】銅(Cu)又は銅合金からなる芯材にパラジウム(Pd)の被覆層が形成された、線径が10〜25μmのボールボンディング用パラジウム(Pd)被覆銅ワイヤにおいて、パラジウム(Pd)の被覆層にはパラジウム(Pd)単独の無垢層が存在し、かつ、パラジウム(Pd)の被覆層上に芯材からの銅(Cu)のしみ出し層が形成され、銅(Cu)のしみ出し層の表面が酸化されている。 【選択図】図1

摘要翻译： 甲FAB钯球焊来解决（PD）由（无空气球）形成的熔融球的不稳定性，以提供经涂覆的铜导线。 到由铜（Cu）的芯材或钯（Pd）的铜合金被覆层形成时，金属丝直径在球焊用于涂覆钯（Pd）的铜线10至25微米，钯（Pd ）在涂层中存在一个钯（Pd）单一的固体层，并且渗出层由钯形成（选自Pd的涂布层上的芯材的铜）（Cu），铜（Cu）的 渗出层的表面被氧化。 点域1

公开(公告)号：JP5782434B2

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：JP2012517139

申请日：2011-05-25

申请人： 住友ベークライト株式会社 ,  エア・ウォーター株式会社

发明人： 田部井 純一 ,  曽根 嘉久 ,  村田 清貴 ,  高橋 航

IPC分类号： C08F8/14

CPC分类号： H01L23/293 ,  C08F210/14 ,  C08F222/06 ,  C08F222/16 ,  C08F8/14 ,  C08L61/06 ,  C08F2800/20 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/45 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747

公开(公告)号：JP5774292B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2010247063

申请日：2010-11-04

申请人： セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

发明人： 小内 伸久 ,  茂木 昌巳

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L21/52

CPC分类号： H05K13/0465 ,  H01L21/563 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/27 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H05K1/0298 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3484 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/1034 ,  H05K2201/10969 ,  H05K2203/0126 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/1476 ,  Y02P70/613