公开(公告)号：US08581418B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12840949

申请日：2010-07-21

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： A device includes a first die having a first side and a second side opposite to first side, the first side includes a first region and a second region, and a first metal bump of a first horizontal size formed on the first region of the first side of the first die. A second die is bonded to the first side of the first die through the first metal bump. A dielectric layer is formed over the first side of the first die and includes a first portion directly over the second die, a second portion encircling the second die, and an opening exposing the second region of the first side of the first die. A second metal bump of a second horizontal size is formed on the second region of the first side of the first die and extending into the opening of the dielectric layer. The second horizontal size is greater than the first horizontal size. An electrical component is bonded to the first side of the first die through the second metal bump.

摘要翻译： 一种器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一管芯，第一侧包括第一区域和第二区域，以及形成在第一侧面的第一区域上的第一水平尺寸的第一金属凸块 的第一个死亡。 通过第一金属凸块将第二模具结合到第一模具的第一侧。 介电层形成在第一管芯的第一侧上，并且包括直接在第二管芯上方的第一部分，环绕第二管芯的第二部分和暴露第一管芯的第一侧的第二区域的开口。 第二水平尺寸的第二金属凸块形成在第一模具的第一侧的第二区域上并且延伸到电介质层的开口中。 第二个水平尺寸大于第一个水平尺寸。 电子部件通过第二金属凸块接合到第一管芯的第一侧。

公开(公告)号：US08264077B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12345239

申请日：2008-12-29

申请人： Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate having a front side and a backside. A through-silicon via (TSV) penetrates the semiconductor substrate. The TSV has a back end extending to the backside of the semiconductor substrate. A redistribution line (RDL) is over the backside of the semiconductor substrate and connected to the back end of the TSV. A silicide layer is over and contacting the RDL.

摘要翻译： 集成电路结构包括具有正面和背面的半导体衬底。 穿透硅通孔（TSV）穿透半导体衬底。 TSV具有延伸到半导体衬底背面的后端。 再分配线（RDL）位于半导体衬底的背面，并连接到TSV的后端。 硅化物层已经结束并与RDL接触。

公开(公告)号：US20120145204A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12964097

申请日：2010-12-09

申请人： Yu-Liang Lin ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Yu-Liang Lin ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： B08B3/08 ,  B08B3/02

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/68728

摘要： A device and system for thin wafer cleaning is disclosed. A preferred embodiment comprises a spin chuck having at least three holding clamps. A thin wafer with a wafer frame is mounted on the spin chuck through a tape layer. When the holding clamps are unlocked, there is no interference with the removal and placement of the wafer frame. On the other hand, when the holding clamps are locked, the holding clamps are brought into contact with the outer edge of the wafer frame so as to prevent the wafer frame from moving laterally. Furthermore, the shape of the holding clamps in a locked position is capable of preventing the wafer frame from moving vertically.

摘要翻译： 公开了用于薄晶片清洁的装置和系统。 优选实施例包括具有至少三个保持夹具的旋转卡盘。 具有晶片框架的薄晶片通过带层安装在旋转卡盘上。 当保持夹具解锁时，不会干扰晶片框架的移除和放置。 另一方面，当保持夹具被锁定时，保持夹具与晶片框架的外边缘接触，以防止晶片框架横向移动。 此外，保持夹具处于锁定位置的形状能够防止晶片框架垂直移动。

公开(公告)号：US20120018876A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12840949

申请日：2010-07-21

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： A device includes a first die having a first side and a second side opposite to first side, the first side includes a first region and a second region, and a first metal bump of a first horizontal size formed on the first region of the first side of the first die. A second die is bonded to the first side of the first die through the first metal bump. A dielectric layer is formed over the first side of the first die and includes a first portion directly over the second die, a second portion encircling the second die, and an opening exposing the second region of the first side of the first die. A second metal bump of a second horizontal size is formed on the second region of the first side of the first die and extending into the opening of the dielectric layer. The second horizontal size is greater than the first horizontal size. An electrical component is bonded to the first side of the first die through the second metal bump.

摘要翻译： 一种器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一管芯，第一侧包括第一区域和第二区域，以及形成在第一侧面的第一区域上的第一水平尺寸的第一金属凸块 的第一个死亡。 通过第一金属凸块将第二模具结合到第一模具的第一侧。 介电层形成在第一管芯的第一侧上，并且包括直接在第二管芯上方的第一部分，环绕第二管芯的第二部分和暴露第一管芯的第一侧的第二区域的开口。 第二水平尺寸的第二金属凸块形成在第一模具的第一侧的第二区域上并且延伸到电介质层的开口中。 第二个水平尺寸大于第一个水平尺寸。 电子部件通过第二金属凸块接合到第一管芯的第一侧。

公开(公告)号：US08053900B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12255060

申请日：2008-10-21

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12 ,  H01L2224/05552

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip, which further includes a first surface; and a patterned bond pad exposed through the first surface. The patterned bond pad includes a plurality of portions electrically connected to each other, and at least one opening therein. The integrated circuit further includes a dielectric material filled into at least a portion of the at least one opening.

摘要翻译： 集成电路结构包括还包括第一表面的半导体芯片; 以及通过第一表面暴露的图案化接合焊盘。 图案化接合焊盘包括彼此电连接的多个部分和其中的至少一个开口。 集成电路还包括填充到至少一个开口的至少一部分中的电介质材料。

公开(公告)号：US07879711B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US11563973

申请日：2006-11-28

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Jean Wang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Jean Wang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： A method includes: forming a transistor gate over a first substrate and at least one first dummy structure within the first substrate; forming an interlayer dielectric (ILD) layer over the gate transistor, the ILD layer including at least one contact structure formed therein and making electrical contact with the transistor gate and at least one first conductive structure formed therethrough at least partially over a surface of the dummy structure; forming a passivation layer over the ILD layer, the passivation layer comprising at least one first pad structure formed therein and making electrical contact with the conductive structure; bonding the first substrate with a second substrate; removing at least a portion of the first dummy structure, thereby forming a first opening; and forming a conductive material within the first opening for formation of a second conductive structure, the second conductive structure being electrically coupled to the first conductive structure.

摘要翻译： 一种方法包括：在第一衬底和第一衬底内的至少一个第一虚拟结构之上形成晶体管栅极; 在所述栅极晶体管上形成层间电介质层（ILD）层，所述ILD层包括形成在其中的至少一个接触结构，并与所述晶体管栅极形成电接触;以及至少一个第一导电结构，其至少部分地形成在所述虚拟 结构体; 在所述ILD层上形成钝化层，所述钝化层包括形成在其中并与所述导电结构电接触的至少一个第一焊盘结构; 用第二衬底接合第一衬底; 去除所述第一虚设结构的至少一部分，从而形成第一开口; 以及在所述第一开口内形成导电材料以形成第二导电结构，所述第二导电结构电耦合到所述第一导电结构。

公开(公告)号：US07872357B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US12043023

申请日：2008-03-05

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/00

摘要： The formation of bonding pad protective layer over exposed bonding pad materials between stacked integrated circuit (IC) dies or wafers is described in preferred embodiments in which the bonding pad protective layer is formed in the integrated process of forming wafer bonding pads. The bonding pad protective layer prevents the exposed bonding pad materials from oxidation and corrosion in open-air or other harsh environments. By providing a bonding pad protective layer on exposed bonding pad materials, significant product reliability improvement is expected on ICs having a three-dimensional “stacked-die” configuration.

摘要翻译： 在堆叠的集成电路（IC）晶片之间的暴露的焊盘材料上的焊盘保护层的形成在其中在形成晶片接合焊盘的集成工艺中形成焊盘保护层的优选实施例中进行了描述。 接合焊盘保护层防止暴露的焊盘材料在露天或其他恶劣环境中受到氧化和腐蚀。 通过在暴露的焊盘材料上提供焊盘保护层，预期在具有三维“堆叠 - 裸片”结构的IC上可以显着提高产品的可靠性。

公开(公告)号：US20100096760A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12255060

申请日：2008-10-21

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12 ,  H01L2224/05552

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor chip, which further includes a first surface; and a patterned bond pad exposed through the first surface. The patterned bond pad includes a plurality of portions electrically connected to each other, and at least one opening therein. The integrated circuit further includes a dielectric material filled into at least a portion of the at least one opening.

摘要翻译： 集成电路结构包括还包括第一表面的半导体芯片; 以及通过第一表面暴露的图案化接合垫。 图案化接合焊盘包括彼此电连接的多个部分和其中的至少一个开口。 集成电路还包括填充到至少一个开口的至少一部分中的电介质材料。

公开(公告)号：US20100050423A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12204063

申请日：2008-09-04

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： B23P19/00

CPC分类号： H01L24/64 ,  B23K1/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T29/53174 ,  H01L2924/00014

摘要： An apparatus including a bond head, a supplemental support, a reduction module, and a transducer is provided. The bond head holds a first substrate that contains a first set of metal pads. The supplemental support holds a second substrate that contains a second set of metal pads. The aligner forms an aligned set of metal pads by aligning the first substrate to the second substrate. The reduction module contains the aligned substrates and a reduction gas flows into the reduction module. The transducer provides repeated relative motion to the aligned set of metal pads.

摘要翻译： 提供了一种包括接合头，补充支撑，还原模块和换能器的装置。 结合头保持包含第一组金属垫的第一衬底。 补充支撑件保持包含第二组金属垫的第二基底。 对准器通过将第一衬底与第二衬底对准而形成对准的一组金属衬垫。 还原模块包含对准的基板，并且还原气体流入还原模块。 传感器向对准的一组金属焊盘提供重复的相对运动。

公开(公告)号：US20090289097A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12124844

申请日：2008-05-21

申请人： Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B23K1/00

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A leveling-bonding method and an apparatus for performing the same are provided. The method includes providing a bond support for supporting a wafer; providing a bond head over the bond support; dispatching a foil over the wafer; placing the wafer on the bond support; and using the bond support and the bond head to apply a force on the foil and the wafer.

摘要翻译： 提供了一种调平方法及其执行装置。 该方法包括提供用于支撑晶片的接合支撑件; 在债券支持上提供债券头; 在晶片上调度箔片; 将晶片放置在粘合支撑件上; 并且使用粘合支撑件和结合头在箔和晶片上施加力。