公开(公告)号：US20130199577A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13369138

申请日：2012-02-08

申请人： I-Ting Chen ,  Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： I-Ting Chen ,  Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： B08B7/04 ,  B08B5/00 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12

CPC分类号： H01L21/02041 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/67028 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A flux residue cleaning system includes first and second immersion chambers, first and second spray chambers, and a drying chamber. The first immersion chamber softens an outer region of a flux residue formed around microbumps interposed between a wafer and a die when the wafer is immersed in a first chemical. The first spray chamber removes the outer region of the flux residue when the wafer is impinged upon by a first chemical spray in order to expose an inner region of the flux residue. The second immersion chamber softens the inner region of the flux residue when the wafer is immersed in a second chemical. The second spray chamber removes the inner region of the flux residue when the wafer is impinged upon by a second chemical spray in order to clean the wafer to a predetermined standard. The drying chamber dries the wafer.

摘要翻译： 助焊剂残渣清洁系统包括第一和第二浸没室，第一和第二喷雾室以及干燥室。 当晶片浸入第一化学品中时，第一浸入室软化在介于晶片和管芯之间的微胶片周围形成的焊剂残余物的外部区域。 当晶片通过第一化学喷雾冲击以便暴露焊剂残余物的内部区域时，第一喷雾室除去焊剂残余物的外部区域。 当晶片浸入第二种化学品中时，第二浸入室软化助焊剂残余物的内部区域。 当晶片被第二化学喷雾冲击时，第二喷雾室去除焊剂残余物的内部区域，以便将晶​​片清洁至预定的标准。 干燥室干燥晶片。

公开(公告)号：US08871568B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13345485

申请日：2012-01-06

申请人： Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/485 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/83

摘要： A method includes forming a dielectric layer over a substrate, forming an interconnect structure over the dielectric layer, and bonding a die to the interconnect structure. The substrate is then removed, and the dielectric layer is patterned. Connectors are formed at a surface of the dielectric layer, wherein the connectors are electrically coupled to the die.

摘要翻译： 一种方法包括在衬底上形成电介质层，在电介质层上形成互连结构，以及将管芯结合到互连结构。 然后去除衬底，并对电介质层进行图案化。 连接器形成在电介质层的表面，其中连接器电耦合到管芯。

公开(公告)号：US20130075892A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13246553

申请日：2011-09-27

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Jui-Pin Hung ,  Szu Wei Lu ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Jui-Pin Hung ,  Szu Wei Lu ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： A method for fabricating three dimensional integrated circuits comprises providing a wafer stack wherein a plurality of semiconductor dies are mounted on a first semiconductor die, forming a molding compound layer on the first side of the first semiconductor die, wherein the plurality of semiconductor dies are embedded in the molding compound layer. The method further comprises grinding a second side of the first semiconductor die until a plurality of through vias become exposed, attaching the wafer stack to a tape frame and dicing the wafer stack to separate the wafer stack into a plurality of individual packages.

摘要翻译： 一种用于制造三维集成电路的方法包括：提供其中多个半导体管芯安装在第一半导体管芯上的晶片堆叠，在第一半导体管芯的第一侧上形成模塑料层，其中多个半导体管芯被嵌入 在模塑料层中。 该方法还包括研磨第一半导体管芯的第二面直到多个通孔露出，将晶片堆叠附着到带框架上并切割晶片堆叠以将晶片堆叠分离成多个单独的封装。

公开(公告)号：US09406500B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13369138

申请日：2012-02-08

申请人： I-Ting Chen ,  Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： I-Ting Chen ,  Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/48 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/02041 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/67028 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A flux residue cleaning system includes first and second immersion chambers, first and second spray chambers, and a drying chamber. The first immersion chamber softens an outer region of a flux residue formed around microbumps interposed between a wafer and a die when the wafer is immersed in a first chemical. The first spray chamber removes the outer region of the flux residue when the wafer is impinged upon by a first chemical spray in order to expose an inner region of the flux residue. The second immersion chamber softens the inner region of the flux residue when the wafer is immersed in a second chemical. The second spray chamber removes the inner region of the flux residue when the wafer is impinged upon by a second chemical spray in order to clean the wafer to a predetermined standard. The drying chamber dries the wafer.

摘要翻译： 助焊剂残渣清洁系统包括第一和第二浸没室，第一和第二喷雾室以及干燥室。 当晶片浸入第一化学品中时，第一浸入室软化在介于晶片和管芯之间的微胶片周围形成的焊剂残余物的外部区域。 当晶片通过第一化学喷雾撞击以暴露焊剂残留物的内部区域时，第一喷雾室除去焊剂残余物的外部区域。 当晶片浸入第二种化学品中时，第二浸入室软化助焊剂残余物的内部区域。 当晶片被第二化学喷雾冲击时，第二喷雾室去除焊剂残余物的内部区域，以便将晶​​片清洁至预定的标准。 干燥室干燥晶片。

公开(公告)号：US08963334B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13221447

申请日：2011-08-30

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Szu Wei Lu ,  Ying-Ching Shih ,  Ying-Da Wang ,  Li-Chung Kuo ,  Long Hua Lee ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Szu Wei Lu ,  Ying-Ching Shih ,  Ying-Da Wang ,  Li-Chung Kuo ,  Long Hua Lee ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An embodiment is a structure comprising a substrate, a first die, and a second die. The substrate has a first surface and a second surface opposite the first surface. The substrate has a through substrate via extending from the first surface towards the second surface. The first die is attached to the substrate, and the first die is coupled to the first surface of the substrate. The second die is attached to the substrate, and the second die is coupled to the first surface of the substrate. A first distance is between a first edge of the first die and a first edge of the second die, and the first distance is in a direction parallel to the first surface of the substrate. The first distance is equal to or less than 200 micrometers.

摘要翻译： 实施例是包括基板，第一模具和第二模具的结构。 衬底具有与第一表面相对的第一表面和第二表面。 衬底具有从第一表面延伸到第二表面的通孔衬底。 第一裸片附着在基片上，第一裸片耦合到基片的第一表面。 第二管芯附接到衬底，并且第二管芯耦合到衬底的第一表面。 第一距离在第一管芯的第一边缘和第二管芯的第一边缘之间，并且第一距离在与基板的第一表面平行的方向上。 第一距离等于或小于200微米。

公开(公告)号：US20130049216A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13221447

申请日：2011-08-30

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Szu Wei Lu ,  Ying-Ching Shih ,  Ying-Da Wang ,  Li-Chung Kuo ,  Long Hua Lee ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Szu Wei Lu ,  Ying-Ching Shih ,  Ying-Da Wang ,  Li-Chung Kuo ,  Long Hua Lee ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An embodiment is a structure comprising a substrate, a first die, and a second die. The substrate has a first surface and a second surface opposite the first surface. The substrate has a through substrate via extending from the first surface towards the second surface. The first die is attached to the substrate, and the first die is coupled to the first surface of the substrate. The second die is attached to the substrate, and the second die is coupled to the first surface of the substrate. A first distance is between a first edge of the first die and a first edge of the second die, and the first distance is in a direction parallel to the first surface of the substrate. The first distance is equal to or less than 200 micrometers.

公开(公告)号：US20130175694A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13345485

申请日：2012-01-06

申请人： Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Ying-Ching Shih ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/485 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/83

摘要： A method includes forming a dielectric layer over a substrate, forming an interconnect structure over the dielectric layer, and bonding a die to the interconnect structure. The substrate is then removed, and the dielectric layer is patterned. Connectors are formed at a surface of the dielectric layer, wherein the connectors are electrically coupled to the die.

摘要翻译： 一种方法包括在衬底上形成电介质层，在电介质层上形成互连结构，以及将管芯结合到互连结构。 然后去除衬底，并对电介质层进行图案化。 连接器形成在电介质层的表面，其中连接器电耦合到管芯。

公开(公告)号：US20120306080A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13298046

申请日：2011-11-16

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： A package component is free from active devices therein. The package component includes a substrate, a through-via in the substrate, a top dielectric layer over the substrate, and a metal pillar having a top surface over a top surface of the top dielectric layer. The metal pillar is electrically coupled to the through-via. A diffusion barrier is over the top surface of the metal pillar. A solder cap is disposed over the diffusion barrier.

摘要翻译： 封装组件不含其中的有源器件。 封装部件包括衬底，衬底中的通孔，衬底上的顶部电介质层和在顶部电介质层的顶表面上方具有顶表面的金属柱。 金属柱电连接到通孔。 扩散阻挡层在金属支柱的上表面之上。 焊料帽设置在扩散阻挡层上。

公开(公告)号：US20120045611A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US12858211

申请日：2010-08-17

申请人： Ying-Ching Shih ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ying-Ching Shih ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/12 ,  B32B3/24 ,  B32B3/26 ,  B32B38/10 ,  H01L21/50 ,  B32B37/02 ,  B32B37/12 ,  B32B17/06 ,  B32B7/12

CPC分类号： G07F17/3213 ,  B32B17/10 ,  B32B37/1207 ,  B32B37/182 ,  B32B37/185 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： A composite carrier structure for manufacturing semiconductor devices is provided. The composite carrier structure utilizes multiple carrier substrates, e.g., glass or silicon substrates, coupled together by interposed adhesive layers. The composite carrier structure may be attached to a wafer or a die for, e.g., backside processing, such as thinning processes. In an embodiment, the composite carrier structure comprises a first carrier substrate having through-substrate vias formed therethrough. The first substrate is attached to a second substrate using an adhesive such that the adhesive may extend into the through-substrate vias.

摘要翻译： 提供了一种用于制造半导体器件的复合载体结构。 复合载体结构利用多个载体衬底，例如玻璃或硅衬底，通过插入的粘合剂层耦合在一起。 复合载体结构可以附接到晶片或模具，用于例如背面处理，例如变薄处理。 在一个实施例中，复合载体结构包括具有贯穿其中形成的贯通基板通孔的第一载体基板。 使用粘合剂将第一衬底附接到第二衬底，使得粘合剂可以延伸到贯穿衬底通孔中。

公开(公告)号：US08846499B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US12858211

申请日：2010-08-17

申请人： Ying-Ching Shih ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ying-Ching Shih ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： G07F17/3213 ,  B32B17/10 ,  B32B37/1207 ,  B32B37/182 ,  B32B37/185 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： A composite carrier structure for manufacturing semiconductor devices is provided. The composite carrier structure utilizes multiple carrier substrates, e.g., glass or silicon substrates, coupled together by interposed adhesive layers. The composite carrier structure may be attached to a wafer or a die for, e.g., backside processing, such as thinning processes. In an embodiment, the composite carrier structure comprises a first carrier substrate having through-substrate vias formed therethrough. The first substrate is attached to a second substrate using an adhesive such that the adhesive may extend into the through-substrate vias.

摘要翻译： 提供了一种用于制造半导体器件的复合载体结构。 复合载体结构利用多个载体衬底，例如玻璃或硅衬底，通过插入的粘合剂层耦合在一起。 复合载体结构可以附接到晶片或模具，用于例如背面处理，例如变薄处理。 在一个实施例中，复合载体结构包括具有贯穿其中形成的贯通基板通孔的第一载体基板。 使用粘合剂将第一衬底附接到第二衬底，使得粘合剂可以延伸到贯穿衬底通孔中。