公开(公告)号：CN108400122B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201710482330.2

申请日：2017-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈宪伟 ,  李孟灿 ,  林宗澍 ,  吴伟诚 ,  邱建嘉 ,  王景德

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 一种封装件包括第一介电层，位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯，有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。本发明实施例涉及伪金属帽和再分布线的路由设计。

公开(公告)号：CN108400122A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201710482330.2

申请日：2017-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈宪伟 ,  李孟灿 ,  林宗澍 ,  吴伟诚 ,  邱建嘉 ,  王景德

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 一种封装件包括第一介电层，位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯，有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。本发明实施例涉及伪金属帽和再分布线的路由设计。

公开(公告)号：CN107134437A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710092932.7

申请日：2017-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  林宗澍

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/3171

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装件及形成其的方法。其中，一实施例是一种结构，其包含第一裸片，所述第一裸片具有有源表面，所述有源表面具有第一中心点；模塑料，其至少横向囊封所述第一裸片；及第一重布层RDL，其包含在所述第一裸片及所述模塑料上方延伸的金属化图案。所述第一RDL的所述金属化图案的第一部分在所述第一裸片的边界的第一部分上方延伸到所述模塑料，所述金属化图案的所述第一部分不平行于第一线延伸，所述第一线从所述第一裸片的所述第一中心点延伸到所述第一裸片的所述边界的所述第一部分。

公开(公告)号：CN106558559A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610765751.1

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  余振华 ,  林宗澍 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L24/17

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及制造方法。一种具有接合焊盘的再分布层形成在衬底上方，其中一个或多个网孔延伸穿过接合焊盘。网孔可以布置为圆形形状，并且钝化层可以形成在接合焊盘和网孔上方。开口形成为穿过钝化层以及凸块下金属形成为与接合焊盘的暴露部分接触且在网孔上方延伸。通过利用网孔，可以减小或消除可能发生的侧壁分层和剥离。

公开(公告)号：CN106098637A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510830657.5

申请日：2015-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  陈宪伟 ,  谢政杰 ,  黄昶嘉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/043 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/52

Abstract: 一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个或多个第二器件管芯、接合至扇出RDL的伪管芯以及沿着一个或多个第二器件管芯和伪管芯的侧壁延伸的第二模塑料。扇出RDL将一个或多个第一器件管芯电连接至一个或多个第二器件管芯，并且伪管芯基本上没有任何有源器件。本发明的实施例还涉及具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法。

公开(公告)号：CN105280599A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410829436.1

申请日：2014-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄昶嘉 ,  林宗澍 ,  谢政杰 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 本发明提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在一些实施例中，伪焊盘部件部分地环绕接触焊盘，并且位于模塑料的拐角区域中、管芯的中心区域中和/或管芯的边缘和模塑料之间的界面区域中。本发明涉及用于半导体器件的接触焊盘。

公开(公告)号：CN103000598B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210191875.5

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭正铮 ,  庄其达 ,  林宗澍 ,  陈承先

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种器件包括接合至衬底的芯片。该芯片包括：导电柱，该导电柱具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及衬底，该衬底包括导电迹线和位于导电迹线上面的掩模层，其中掩模层具有暴露出一部分导电迹线的开口，其中，在导电柱和导电迹线的暴露部分之间形成互连，开口具有沿着导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值大于W与d2的比值。本发明提供半导体器件中的伸长凸块结构。

公开(公告)号：CN102651356B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210025422.5

申请日：2012-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  谢玉宸 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  吴俊毅 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 一种器件包括：工件和位于该工件的表面上的金属迹线。在工件的表面处形成迹线上凸块(BOT)。BOT结构包括：金属凸块，和将所述金属凸块接合至该金属迹线的一部分的焊料凸块。该金属迹线包括：没有由该焊料凸块覆盖的金属迹线延伸部。本发明还提供了一种在迹线上凸块结构中延伸的金属迹线。

公开(公告)号：CN103137588A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210189741.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜群 ,  黃昶嘉 ,  林宗澍 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种结构包括形成在接合焊盘下方的顶部金属连接件。接合焊盘被第一钝化层和第二钝化层包围。聚合物层进一步形成在第二钝化层上。第一钝化层中的开口的尺寸小于顶部金属连接件的尺寸。顶部金属连接件的尺寸小于第二钝化层中的开口的尺寸以及聚合物层中的开口的尺寸。本发明提供一种电连接结构。

公开(公告)号：CN103000598A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210191875.5

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭正铮 ,  庄其达 ,  林宗澍 ,  陈承先

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种器件包括接合至衬底的芯片。该芯片包括：导电柱，该导电柱具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及衬底，该衬底包括导电迹线和位于导电迹线上面的掩模层，其中掩模层具有暴露出一部分导电迹线的开口，其中，在导电柱和导电迹线的暴露部分之间形成互连，开口具有沿着导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值大于W与d2的比值。本发明提供半导体器件中的伸长凸块结构。