半導体装置の製造方法
    10.
    发明专利
    半導体装置の製造方法 有权
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号:JP2016092305A

    公开(公告)日:2016-05-23

    申请号:JP2014227329

    申请日:2014-11-07

    IPC分类号: H01L23/12

    摘要: 【課題】半導体装置の信頼性を向上し、かつ、半導体装置の小型化を実現する。 【解決手段】電極パッドEPの上面が露出する開口部OP1が形成された第1絶縁部材IOLを有する半導体ウエハSWを準備する。続いて、半導体ウエハSWの主面上に第2絶縁部材OLを形成した後、電極パッドEPの上面が露出する開口部OP2を第2絶縁部材OLに形成した後、電極パッドEPにプローブ針を接触させて、半導体ウエハSWの主面に形成されたメモリ回路にデータを書き込む。続いて、電極パッドEPの上面を導電性のカバー膜CFで覆った後、再配置配線RWを形成する。ここで、Y方向において、電極パッドEPの直上に位置する再配置配線RWの幅L RW は、第1絶縁部材IOLに形成された開口部OP1の幅L OP1 と同じか、それよりも小さい。 【選択図】図10

    摘要翻译: 要解决的问题:提高半导体器件的可靠性并实现半导体器件的小型化。解决方案:半导体器件制造方法包括以下步骤:制备具有第一绝缘构件IOL的半导体晶片SW,其中开口OP1 形成电极垫EP的顶面; 随后在半导体晶片SW的主表面上形成第二绝缘构件OL; 形成电极垫EP的顶面从第二绝缘构件OL露出的开口OP2; 随后将探针与电极垫EP接触以将数据写入形成在半导体晶片SW的主表面上的存储电路中; 随后用覆盖膜CF覆盖电极垫EP的顶面,随后形成重排布线RW。 在这种情况下,位于电极焊盘EP正上方的重排布线RW的宽度L与在Y方向上形成在第一绝缘构件IOL中的开口OP1的宽度L相同或更小。选择的图示:图10