公开(公告)号：US08373269B1

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US13227969

申请日：2011-09-08

申请人： Yi-Li Hsiao ,  Chen-Hua Yu ,  Chung-Shi Liu ,  Chien Ling Hwang

发明人： Yi-Li Hsiao ,  Chen-Hua Yu ,  Chung-Shi Liu ,  Chien Ling Hwang

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/95 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a lower jig and an upper jig, wherein the lower jig and the upper jig are configured to secure a package substrate. The lower jig includes a first base material and a first plurality of features attached to the first base material. The first plurality of features is disposed adjacent to a peripheral of the lower jig. The upper jig includes a second base material and a second plurality of features attached to the second base material. The second plurality of features is disposed adjacent to a peripheral of the upper jig. The first plurality of features is configured to be attracted to the second plurality of features by a magnetic force.

摘要翻译： 一种装置包括下夹具和上夹具，其中下夹具和上夹具构造成固定封装衬底。 下夹具包括第一基材和附接到第一基材的第一多个特征。 第一多个特征被布置成与下夹具的周边相邻。 上夹具包括第二基材和附接到第二基材的第二多个特征。 第二多个特征被布置成与上夹具的周边相邻。 第一多个特征被配置为通过磁力被吸引到第二多个特征。

公开(公告)号：US20110233761A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12730411

申请日：2010-03-24

申请人： Chien Ling Hwang ,  Yi-Wen Wu ,  Chun-Chieh Wang ,  Chung-Shi Liu

发明人： Chien Ling Hwang ,  Yi-Wen Wu ,  Chun-Chieh Wang ,  Chung-Shi Liu

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00

摘要： Sidewall protection processes are provided for Cu pillar bump technology, in which a protection structure on the sidewalls of the Cu pillar bump is formed of at least one of non-metal material layers, for example a dielectric material layer, a polymer material layer, or combinations thereof.

摘要翻译： 提供了用于Cu柱凸点技术的侧壁保护工艺，其中Cu柱凸起的侧壁上的保护结构由非金属材料层，例如电介质材料层，聚合物材料层或聚合物材料层中的至少一个形成 其组合。

公开(公告)号：US20100285723A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12437315

申请日：2009-05-07

申请人： Yu-Liang Lin ,  Chien Ling Hwang ,  Jean Wang ,  Chen-Hua Yu

发明人： Yu-Liang Lin ,  Chien Ling Hwang ,  Jean Wang ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B24B49/16 ,  B24B7/22 ,  B24B49/08 ,  B24B53/02 ,  B24B57/02

CPC分类号： B24B57/02 ,  B24B37/107 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02052

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) device for processing a wafer is provided which includes a plate for supporting the wafer to be processed in a face-up orientation, a polishing head opposing the plate, wherein the polishing head includes a rotatable polishing pad operable to contact the wafer while the polishing pad is rotating, and a slurry coating system providing a slurry to the polishing pad for polishing the wafer.

摘要翻译： 提供了一种用于处理晶片的化学机械抛光（CMP）装置，其包括用于以面朝上的方向支撑待加工的晶片的板，与该板相对的抛光头，其中抛光头包括可旋转的抛光垫， 在抛光垫旋转的同时接触晶片;以及浆料涂覆系统，其向抛光垫提供浆料以抛光晶片。

公开(公告)号：US08946742B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12897124

申请日：2010-10-04

申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung-Pin Chang ,  Yung-Chi Lin ,  Chia-Lin Yu ,  Jui-Pin Hung ,  Chien Ling Hwang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung-Pin Chang ,  Yung-Chi Lin ,  Chia-Lin Yu ,  Jui-Pin Hung ,  Chien Ling Hwang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L23/48 ,  H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L33/647 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The substrate with through silicon plugs (or vias) described above removes the need for conductive bumps. The process flow is very simple and cost efficient. The structures described combines the separate TSV, redistribution layer, and conductive bump structures into a single structure. By combining the separate structures, a low resistance electrical connection with high heat dissipation capability is created. In addition, the substrate with through silicon plugs (or vias, or trenches) also allows multiple chips to be packaged together. A through silicon trench can surround the one or more chips to provide protection against copper diffusing to neighboring devices during manufacturing. In addition, multiple chips with similar or different functions can be integrated on the TSV substrate. Through silicon plugs with different patterns can be used under a semiconductor chip(s) to improve heat dissipation and to resolve manufacturing concerns.

摘要翻译： 具有上述通孔硅衬底（或通孔）的基板消除了对导电凸块的需要。 流程非常简单，成本效益高。 所描述的结构将单独的TSV，再分配层和导电凸块结构组合成单个结构。 通过组合单独的结构，产生具有高散热能力的低电阻电连接。 此外，具有通过硅插头（或通孔或沟槽）的基板还允许将多个芯片封装在一起。 通过硅沟槽可围绕一个或多个芯片，以在制造期间提供防止铜扩散到相邻器件的保护。 此外，具有相似或不同功能的多个芯片可以集成在TSV基板上。 通过具有不同图案的硅插头可以在半导体芯片下使用以改善散热并解决制造问题。

公开(公告)号：US08507940B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12879584

申请日：2010-09-10

申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung-Pin Chang ,  Yung-Chi Lin ,  Chia-Lin Yu ,  Jui-Pin Hung ,  Chien Ling Hwang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung-Pin Chang ,  Yung-Chi Lin ,  Chia-Lin Yu ,  Jui-Pin Hung ,  Chien Ling Hwang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L33/647 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The package substrates with through silicon plugs (or vias) described above provide lateral and vertical heat dissipation pathways for semiconductor chips that require thermal management. Designs of through silicon plugs (TSPs) with high duty ratios can most effectively provide heat dissipation. TSP designs with patterns of double-sided combs can provide high duty ratios, such as equal to or greater than 50%. Package substrates with high duty ratios are useful for semiconductor chips that generate large amount of heat. An example of such semiconductor chip is a light-emitting diode (LED) chip.

摘要翻译： 具有上述通孔硅封装（或通孔）的封装衬底为需要热管理的半导体芯片提供侧向和垂直散热​​路径。 具有高占空比的通过硅插头（TSP）的设计可以最有效地提供散热。 具有双面梳状图案的TSP设计可以提供等于或大于50％的高占空比。 具有高占空比的封装衬底对于产生大量热量的半导体芯片是有用的。 这种半导体芯片的例子是发光二极管（LED）芯片。

公开(公告)号：US08652260B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US12347580

申请日：2008-12-31

申请人： Chen-Hua Yu ,  Chien Ling Hwang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Chien Ling Hwang

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/68742 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

摘要： Apparatus for holding semiconductor wafers during semiconductor manufacturing processes are disclosed. In one embodiment, the apparatus comprises a heat-conductive layer disposed on a supporting base. The apparatus also comprises a plurality of holes formed through the heat-conductive layer and the supporting base. The apparatus further comprises a plurality of heat-conductive lift pins that extend through the holes over the heat-conductive layer at the top end, and make a direct contact with a wafer substrate. The heat-conductive layer and the lift pins are connected to a heating circuit.

摘要翻译： 公开了用于在半导体制造工艺期间保持半导体晶片的装置。 在一个实施例中，该装置包括设置在支撑基座上的导热层。 该装置还包括穿过导热层和支撑基底形成的多个孔。 该装置还包括多个导热提升销，其在顶端延伸穿过导热层上的孔，并与晶片衬底直接接触。 导热层和提升销连接到加热电路。

公开(公告)号：US20080268553A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11796201

申请日：2007-04-27

申请人： Cheng Hsun Chan ,  Chien Ling Hwang

发明人： Cheng Hsun Chan ,  Chien Ling Hwang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  B05B13/02

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1678 ,  H01L21/76873

摘要： An electroless plating apparatus is provided. The electroless plating apparatus includes a wafer holder; a chemical dispensing nozzle over the wafer holder; a conduit connected to the chemical dispensing nozzle; and a radiation source over the wafer holder.

摘要翻译： 提供一种化学镀设备。 化学镀设备包括晶片保持器; 在晶片保持器上方的化学分配喷嘴; 连接到化学分配喷嘴的导管; 以及在晶片保持器上方的辐射源。

公开(公告)号：US08133097B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12437315

申请日：2009-05-07

申请人： Yu-Liang Lin ,  Chien Ling Hwang ,  Jean Wang ,  Chen-Hua Yu

发明人： Yu-Liang Lin ,  Chien Ling Hwang ,  Jean Wang ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B24B7/22 ,  B24B57/02

CPC分类号： B24B57/02 ,  B24B37/107 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02052

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) device for processing a wafer is provided which includes a plate for supporting the wafer to be processed in a face-up orientation, a polishing head opposing the plate, wherein the polishing head includes a rotatable polishing pad operable to contact the wafer while the polishing pad is rotating, and a slurry coating system providing a slurry to the polishing pad for polishing the wafer.

摘要翻译： 提供了一种用于处理晶片的化学机械抛光（CMP）装置，其包括用于以面朝上的方向支撑待加工的晶片的板，与该板相对的抛光头，其中抛光头包括可旋转的抛光垫， 在抛光垫旋转的同时接触晶片;以及浆料涂覆系统，其向抛光垫提供浆料以抛光晶片。

公开(公告)号：US07966968B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US11796201

申请日：2007-04-27

申请人： Cheng Hsun Chan ,  Chien Ling Hwang

发明人： Cheng Hsun Chan ,  Chien Ling Hwang

IPC分类号： B05B13/02 ,  B05C11/02

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1678 ,  H01L21/76873

摘要： An electroless plating apparatus is provided. The electroless plating apparatus includes a wafer holder; a chemical dispensing nozzle over the wafer holder; a conduit connected to the chemical dispensing nozzle; and a radiation source over the wafer holder.

摘要翻译： 提供一种化学镀设备。 化学镀设备包括晶片保持器; 在晶片保持器上方的化学分配喷嘴; 连接到化学分配喷嘴的导管; 以及在晶片保持器上方的辐射源。

公开(公告)号：US07905109B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11226721

申请日：2005-09-14

申请人： Chien Ling Hwang ,  Yu-Liang Lin ,  Fu-Kang Tien ,  Jyh-Chemg Sheu

发明人： Chien Ling Hwang ,  Yu-Liang Lin ,  Fu-Kang Tien ,  Jyh-Chemg Sheu

IPC分类号： F25D17/02

CPC分类号： H01L21/67109

摘要： A rapid cooling system for a rapid thermal processing chamber includes a rapid thermal processing chamber having a wafer support for supporting a wafer. A tank having a supply of cooling liquid is provided in fluid communication with the chamber. A pump is provided in fluid communication with the rapid thermal processing chamber and the tank for pumping the cooling liquid from the tank to the chamber and cooling the wafer during the cooling phase of rapid thermal processing.

摘要翻译： 用于快速热处理室的快速冷却系统包括具有用于支撑晶片的晶片支撑件的快速热处理室。 提供具有冷却液供应的罐与腔室流体连通。 提供与快速热处理室和储罐流体连通的泵，用于将冷却液体从罐中泵送到室，并在快速热处理的冷却阶段期间冷却晶片。