公开(公告)号：US20130056865A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13224575

申请日：2011-09-02

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Weng-Jin Wu ,  Shih Ting Lin ,  Cheng-Lin Huang ,  Szu Wei Lu ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Weng-Jin Wu ,  Shih Ting Lin ,  Cheng-Lin Huang ,  Szu Wei Lu ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2224/81

摘要： A method of fabricating a three-dimensional integrated circuit comprises attaching a wafer to a carrier, mounting a plurality of semiconductor dies on top of the wafer to form a wafer stack. The method further comprises forming a molding compound layer on top of the wafer, attaching the wafer stack to a tape frame and dicing the wafer stack to separate the wafer stack into a plurality of individual packages.

摘要翻译： 制造三维集成电路的方法包括将晶片附着到载体上，将多个半导体管芯安装在晶片的顶部上以形成晶片堆叠。 该方法还包括在晶片的顶部上形成模塑复合层，将晶片堆叠连接到胶带框架上，并切割晶片堆叠以将晶片堆叠分离成多个单独的封装。

公开(公告)号：US08338884B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12708711

申请日：2010-02-19

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02494 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267

摘要： A semiconductor device includes a substrate formed of a first semiconductor material; two insulators on the substrate; and a semiconductor region having a portion between the two insulators and over the substrate. The semiconductor region has a bottom surface contacting the substrate and having sloped sidewalls. The semiconductor region is formed of a second semiconductor material different from the first semiconductor material.

摘要翻译： 半导体器件包括由第一半导体材料形成的衬底; 基板上有两个绝缘子; 以及半导体区域，其具有在所述两个绝缘体之间并且在所述衬底上的部分。 半导体区域具有与衬底接触并具有倾斜侧壁的底表面。 半导体区域由与第一半导体材料不同的第二半导体材料形成。

公开(公告)号：US20120238057A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13488188

申请日：2012-06-04

申请人： Hsien-Pin Hu ,  Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Hung-Jung Tu

发明人： Hsien-Pin Hu ,  Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Hung-Jung Tu

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： A method includes providing an interposer wafer including a substrate, and a plurality of through-substrate vias (TSVs) extending from a front surface of the substrate into the substrate. A plurality of dies is bonded onto a front surface of the interposer wafer. After the step of bonding the plurality of dies, a grinding is performed on a backside of the substrate to expose the plurality of TSVs. A plurality of metal bumps is formed on a backside of the interposer wafer and electrically coupled to the plurality of TSVs.

公开(公告)号：US08124513B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12630652

申请日：2009-12-03

申请人： Jing-Cheng Lin

发明人： Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

摘要： Germanium field effect transistors and methods of fabricating them are described. In one embodiment, the method includes forming a germanium oxide layer over a substrate and forming a metal oxide layer over the germanium oxide layer. The germanium oxide layer and the metal oxide layer are converted into a first dielectric layer. A first electrode layer is deposited over the first dielectric layer.

摘要翻译： 描述锗场效应晶体管及其制造方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上形成氧化锗层并在氧化锗层上形成金属氧化物层。 氧化锗层和金属氧化物层被转换为第一电介质层。 第一电极层沉积在第一介电层上。

公开(公告)号：US20120028411A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US12880736

申请日：2010-09-13

申请人： Chen-Hua Yu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes providing a carrier with an adhesive layer disposed thereon; and providing a die including a first surface, a second surface opposite the first surface. The die further includes a plurality of bond pads adjacent the second surface; and a dielectric layer over the plurality of bond pads. The method further includes placing the die on the adhesive layer with the first surface facing toward the adhesive layer and dielectric layer facing away from the adhesive layer; forming a molding compound to cover the die, wherein the molding compound surrounds the die; removing a portion of the molding compound directly over the die to expose the dielectric layer; and forming a redistribution line above the molding compound and electrically coupled to one of the plurality of bond pads through the dielectric layer.

摘要翻译： 一种方法包括提供载体上设置有粘合层; 以及提供包括第一表面，与第一表面相对的第二表面的模具。 模具还包括与第二表面相邻的多个接合焊盘; 以及多个接合焊盘上的介电层。 该方法还包括将模具放置在粘合剂层上，其中第一表面面向粘合剂层，电介质层背向粘合剂层; 形成模塑料以覆盖模具，其中模塑料围绕模具; 将模塑料的一部分直接在模具上去除以暴露介电层; 以及在所述模制化合物上形成再分配线，并通过所述介电层电耦合到所述多个键合焊盘之一。

公开(公告)号：US20110316147A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12823851

申请日：2010-06-25

申请人： Ying-Ching Shih ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ying-Ching Shih ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4007 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/025 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00012

摘要： A device includes an interposer, which includes a substrate; and at least one dielectric layer over the substrate. A plurality of through-substrate vias (TSVs) penetrate through the substrate. A first metal bump is in the at least one dielectric layer and electrically coupled to the plurality of TSVs. A second metal bump is over the at least one dielectric layer. A die is embedded in the at least one dielectric layer and bonded to the first metal bump.

摘要翻译： 一种装置包括：插入件，其包括基板; 以及衬底上的至少一个电介质层。 多个穿通基板通孔（TSV）穿透基板。 第一金属凸块在至少一个电介质层中并电耦合到多个TSV。 第二金属凸块在至少一个电介质层的上方。 模具嵌入在至少一个电介质层中并结合到第一金属凸块。

公开(公告)号：US20110304999A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12834943

申请日：2010-07-13

申请人： Chen-Hua Yu ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H05K1/18 ,  H05K3/00 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2224/0401

摘要： A device includes an interposer including a substrate, and a first through-substrate via (TSV) penetrating through the substrate. A glass substrate is bonded to the interposer through a fusion bonding. The glass substrate includes a second TSV therein and electrically coupled to the first TSV.

摘要翻译： 一种器件包括内插器，其包括衬底和穿透衬底的第一穿透衬底通孔（TSV）。 玻璃基板通过熔接结合到插入件上。 玻璃基板在其中包括第二TSV并且电耦合到第一TSV。

公开(公告)号：US20110304042A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12846260

申请日：2010-07-29

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Ya-Hsi Hwung ,  Hsin-Yu Chen ,  Po-Hao Tsai ,  Yan-Fu Lin ,  Cheng-Lin Huang ,  Fang Wen Tsai ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Ya-Hsi Hwung ,  Hsin-Yu Chen ,  Po-Hao Tsai ,  Yan-Fu Lin ,  Cheng-Lin Huang ,  Fang Wen Tsai ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/488 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/81805

摘要： A work piece includes a copper bump having a top surface and sidewalls. A protection layer is formed on the sidewalls, and not on the top surface, of the copper bump. The protection layer includes a compound of copper and a polymer, and is a dielectric layer.

摘要翻译： 工件包括具有顶表面和侧壁的铜凸块。 在铜凸块的侧壁而不是顶表面上形成保护层。 保护层包括铜和聚合物的化合物，并且是介电层。

公开(公告)号：US20110254160A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12762085

申请日：2010-04-16

申请人： Po-Hao Tsai ,  Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

发明人： Po-Hao Tsai ,  Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： A device includes an interposer including a substrate having a top surface and a bottom surface. A plurality of through-substrate vias (TSVs) penetrates through the substrate. The plurality of TSVs includes a first TSV having a first length and a first horizontal dimension, and a second TSV having a second length different from the first length, and a second horizontal dimension different from the first horizontal dimension. An interconnect structure is formed overlying the top surface of the substrate and electrically coupled to the plurality of TSVs.

摘要翻译： 一种器件包括具有顶表面和底表面的衬底的插入器。 多个穿通基板通孔（TSV）穿过基板。 多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV和具有不同于第一长度的第二长度的第二TSV和与第一水平尺寸不同的第二水平尺寸。 互连结构形成在衬底的顶表面上并电耦合到多个TSV。

公开(公告)号：US20100068873A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12211546

申请日：2008-09-16

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/6659

摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing are provided. A dielectric layer is formed over a substrate, and a first silicon-containing layer, undoped, is formed over the dielectric layer. Atomic-layer doping is used to dope the undoped silicon-containing layer. A second silicon-containing layer is formed over first silicon-containing layer. The process may be expanded to include forming a PMOS and NMOS device on the same wafer. For example, the first silicon-containing layer may be thinned in the PMOS region prior to the atomic-layer doping. In the NMOS region, the doped portion of the first silicon-containing layer is removed such that the remaining portion of the first silicon-containing layer in the NMOS is undoped. Thereafter, another atomic-layer doping process may be used to dope the first silicon-containing layer in the NMOS region to a different conductivity type. A third silicon-containing layer may be formed doped to the respective conductivity type.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造方法。 介电层形成在衬底上，并且在介电层上形成未掺杂的第一含硅层。 原子层掺杂用于掺杂未掺杂的含硅层。 在第一含硅层上形成第二含硅层。 该过程可以扩展到包括在同一晶片上形成PMOS和NMOS器件。 例如，在原子层掺杂之前，第一含硅层可以在PMOS区中减薄。 在NMOS区域中，去除第一含硅层的掺杂部分，使得NMOS中的第一含硅层的剩余部分未掺杂。 此后，可以使用另一种原子层掺杂工艺将NMOS区域中的第一含硅层掺杂到不同的导电类型。 可以形成掺杂到相应导电类型的第三含硅层。