公开(公告)号：US08338286B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12897826

申请日：2010-10-05

申请人： Eric David Perfecto ,  Harry David Cox ,  Timothy Harrison Daubenspeck ,  David L. Questad ,  Brian Richard Sundlof

发明人： Eric David Perfecto ,  Harry David Cox ,  Timothy Harrison Daubenspeck ,  David L. Questad ,  Brian Richard Sundlof

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A method for reducing stress on under ball metallurgy (UBM) is disclosed. A collar is disposed around the ball to provide support, and prevent solder interaction in the undercut areas of the UBM. In one embodiment, the collar is comprised of photosensitive polyimide.

摘要翻译： 公开了一种减少球磨冶金（UBM）应力的方法。 围绕球设置套环以提供支撑，并且防止UBM的底切区域中的焊料相互作用。 在一个实施例中，套环由光敏聚酰亚胺组成。

公开(公告)号：US20120083114A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12897826

申请日：2010-10-05

申请人： ERIC DANIEL PERFECTO ,  Harry David Cox ,  Timothy Harrison Daubenspeck ,  David L. Questad ,  Brian Richard Sundlof

发明人： ERIC DANIEL PERFECTO ,  Harry David Cox ,  Timothy Harrison Daubenspeck ,  David L. Questad ,  Brian Richard Sundlof

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A method for reducing stress on under ball metallurgy (UBM) is disclosed. A collar is disposed around the ball to provide support, and prevent solder interaction in the undercut areas of the UBM. In one embodiment, the collar is comprised of photosensitive polyimide.

摘要翻译： 公开了一种减少球磨冶金（UBM）应力的方法。 围绕球设置套环以提供支撑，并且防止UBM的底切区域中的焊料相互作用。 在一个实施例中，套环由光敏聚酰亚胺组成。

公开(公告)号：US20090256257A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12102035

申请日：2008-04-14

申请人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Christopher David Muzzy ,  David L. Questad ,  Wolfgang Sauter

发明人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Christopher David Muzzy ,  David L. Questad ,  Wolfgang Sauter

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/488 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

摘要： A structure and a method for forming the same. The structure includes a first dielectric layer, an electrically conductive bond pad on the first dielectric layer, and a second dielectric layer on top of the first dielectric layer and the electrically conductive bond pad. The electrically conductive bond pad is sandwiched between the first and second dielectric layers. The second dielectric layer includes N separate final via openings such that a top surface of the electrically conductive bond pad is exposed to a surrounding ambient through each final via opening of the N separate final via openings. N is a positive integer greater than 1.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该结构包括第一电介质层，第一电介质层上的导电接合焊盘，以及在第一电介质层和导电接合焊盘顶部的第二电介质层。 导电接合焊盘夹在第一和第二电介质层之间。 第二电介质层包括N个独立的最终通路孔，使得导电接合焊盘的顶表面暴露于通过N个单独的最终通孔的每个最终通孔的周围环境。 N是大于1的正整数。

公开(公告)号：US07256503B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US11276380

申请日：2006-02-27

申请人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Christopher David Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  David L. Questad

发明人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Christopher David Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  David L. Questad

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： A semiconductor structure and method for forming the same. The semiconductor structure includes (a) a substrate and (b) a chip which includes N chip solder balls, N is a positive integer, and the N chip solder balls are in electrical contact with the substrate. The semiconductor structure further includes (c) first, second, third, and fourth corner underfill regions which are respectively at first, second, third, and fourth corners of the chip, and sandwiched between the chip and the substrate. The semiconductor structure further includes (d) a main underfill region sandwiched between the chip and the substrate. The first, second, third, and fourth corner underfill regions, and the main underfill region occupy essentially an entire space between the chip and the substrate. A corner underfill material of the first, second, third, and fourth corner underfill regions is different from a main underfill material of the main underfill region.

摘要翻译： 一种半导体结构及其形成方法。 半导体结构包括（a）基板和（b）包括N个芯片焊球，N是正整数的芯片，并且N个芯片焊球与基板电接触。 半导体结构还包括（c）分别在芯片的第一，第二，第三和第四角部处并夹在芯片和基板之间的第一，第二，第三和第四角底部填充区域。 半导体结构还包括（d）夹在芯片和衬底之间的主要底部填充区域。 第一，第二，第三和第四角底部填充区域，并且主底部填充区域基本上占据芯片和基板之间的整个空间。 第一，第二，第三和第四角底部填充区域的角底层填充材料与主要底部填充区域的主要底部填充材料不同。

公开(公告)号：US07439170B1

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US12044692

申请日：2008-03-07

申请人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Wolfgang Sauter ,  Jeffrey P. Gambino ,  David L. Questad

发明人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Wolfgang Sauter ,  Jeffrey P. Gambino ,  David L. Questad

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A design structure to provide a package for a semiconductor chip that minimizes the stresses and strains that arise from differential thermal expansion in chip to substrate or chip to card interconnections. An improved set of design structure vias above the final copper metallization level that mitigate shocks during semiconductor assembly and testing. Other embodiments include design structures having varying micro-mechanical support structures that further minimize stress and strain in the semiconductor package.

摘要翻译： 提供用于半导体芯片的封装的设计结构，其使从芯片到衬底或芯片到卡互连的差分热膨胀产生的应力和应变最小化。 在最终铜金属化水平之上的一组改进的设计结构通孔，可减轻半导体组装和测试期间的冲击。 其他实施例包括具有变化的微机械支撑结构的设计结构，其进一步最小化半导体封装中的应力和应变。

公开(公告)号：US07859122B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US12102035

申请日：2008-04-14

申请人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Christopher David Muzzy ,  David L. Questad ,  Wolfgang Sauter

发明人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Christopher David Muzzy ,  David L. Questad ,  Wolfgang Sauter

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

摘要： A structure and a method for forming the same. The structure includes a first dielectric layer, an electrically conductive bond pad on the first dielectric layer, and a second dielectric layer on top of the first dielectric layer and the electrically conductive bond pad. The electrically conductive bond pad is sandwiched between the first and second dielectric layers. The second dielectric layer includes N separate final via openings such that a top surface of the electrically conductive bond pad is exposed to a surrounding ambient through each final via opening of the N separate final via openings. N is a positive integer greater than 1.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该结构包括第一电介质层，第一电介质层上的导电接合焊盘，以及在第一电介质层和导电接合焊盘顶部的第二电介质层。 导电接合焊盘夹在第一和第二电介质层之间。 第二电介质层包括N个独立的最终通路孔，使得导电接合焊盘的顶表面暴露于通过N个单独的最终通孔的每个最终通孔的周围环境。 N是大于1的正整数。

公开(公告)号：US07545050B1

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US12183369

申请日：2008-07-31

申请人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Wolfgang Sauter ,  Jeffrey P. Gambino ,  David L. Questad

发明人： Timothy Harrison Daubenspeck ,  Wolfgang Sauter ,  Jeffrey P. Gambino ,  David L. Questad

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A design structure to provide a package for a semiconductor chip that minimizes the stresses and strains that arise from differential thermal expansion in chip to substrate or chip to card interconnections. An improved set of design structure vias above the final copper metallization level that mitigate shocks during semiconductor assembly and testing. Other embodiments include design structures having varying micro-mechanical support structures that further minimize stress and strain in the semiconductor package.

摘要翻译： 提供用于半导体芯片的封装的设计结构，其使从芯片到衬底或芯片到卡互连的差分热膨胀产生的应力和应变最小化。 在最终铜金属化水平之上的一组改进的设计结构通孔，可减轻半导体组装和测试期间的冲击。 其他实施例包括具有变化的微机械支撑结构的设计结构，其进一步最小化半导体封装中的应力和应变。

公开(公告)号：US08759151B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13422429

申请日：2012-03-16

申请人： Thomas E. Lombardi ,  Donald Merte ,  Gregg B. Monjeau ,  David L. Questad ,  Son K. Tran

发明人： Thomas E. Lombardi ,  Donald Merte ,  Gregg B. Monjeau ,  David L. Questad ,  Son K. Tran

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/087 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/01 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： A fixture assembly and method of forming a chip assembly is provided. The fixture assembly includes a first plate having an opening sized to accommodate a chip mounted on a laminate. The fixture assembly further includes a second plate mated to the first plate by at least one mechanical fastening mechanism. The fixture assembly further includes a space defined by facing surfaces of the first plate and the second plate and confined by a raised stepped portion of at least one of the first plate and the second plate. The space is coincident with the opening. The space is sized and shaped such that the laminate is confined within the space and directly abuts the stepped portion and the facing surfaces of the first plate and the second plate to be confined in X, Y and Z directions.

摘要翻译： 提供了一种形成芯片组件的固定装置和方法。 夹具组件包括具有开口尺寸以容纳安装在层压板上的芯片的第一板。 固定装置还包括通过至少一个机械紧固机构配合到第一板的第二板。 夹具组件还包括由第一板和第二板的相对表面限定的并由第一板和第二板中的至少一个的凸起台阶部限定的空间。 这个空间与开幕式一致。 该空间的尺寸和形状使得层压体被限制在空间内并且直接邻接第一板和第二板的阶梯部分和相对表面以被限制在X，Y和Z方向上。

公开(公告)号：US20140033148A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13557386

申请日：2012-07-25

申请人： Erwin B. Cohen ,  Mark C.H. Lamorey ,  Marek A. Orlowski ,  Douglas O. Powell ,  David L. Questad ,  David B. Stone ,  Paul R. Walling

发明人： Erwin B. Cohen ,  Mark C.H. Lamorey ,  Marek A. Orlowski ,  Douglas O. Powell ,  David L. Questad ,  David B. Stone ,  Paul R. Walling

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068

摘要： A computer-implemented method provides an elastic modulus map of a chip carrier of a flip chip package. Design data including dielectric and conductive design elements of each of vertically aligned sub-areas of each of the layers of the chip carrier are modeled as springs to provide the elastic modulus map. Determining the elastic modulus of the sub-areas of the chip carrier identifies probable mechanical failure sites during chip-join and cools down of the flip chip package. Modifying a footprint of solder bumps to the chip carrier reduces stresses applied to the identified probable mechanical failure sites. Modifying the chip carrier design to reduce a stiffness of sub-areas associated with identified probable mechanical failure sites also reduces stresses from chip-join and cool-down.

摘要翻译： 计算机实现的方法提供了倒装芯片封装的芯片载体的弹性模量图。 将包括芯片载体的每个层的每个垂直对准子区域的电介质和导电设计元件的设计数据建模为弹簧以提供弹性模量图。 确定芯片载体的子区域的弹性模量在芯片接合期间识别可能的机械故障位置并冷却倒装芯片封装。 将焊料凸块修改为芯片载体可以减少施加到识别的可能的机械故障位置的应力。 修改芯片载体设计以减少与识别出的可能的机械故障位置相关联的子区域的刚度，还可减少芯片连接和冷却的应力。

公开(公告)号：US08637392B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12700863

申请日：2010-02-05

申请人： Charles L. Arvin ,  Raschid J. Bezama ,  Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  David L. Questad ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan ,  Brian R. Sundlof

发明人： Charles L. Arvin ,  Raschid J. Bezama ,  Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  David L. Questad ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan ,  Brian R. Sundlof

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A solder interconnect structure is provided with non-wettable sidewalls and methods of manufacturing the same. The method includes forming a nickel or nickel alloy pillar on an underlying surface. The method further includes modifying the sidewall of the nickel or nickel alloy pillar to prevent solder wetting on the sidewall.

摘要翻译： 焊接互连结构设置有不可润湿的侧壁及其制造方法。 该方法包括在下面的表面上形成镍或镍合金支柱。 该方法还包括修改镍或镍合金柱的侧壁以防止在侧壁上的焊料润湿。