公开(公告)号：CN109103568A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710684039.3

申请日：2017-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄南卿 ,  杨青峰 ,  吴凯强

IPC: H01Q1/22

Abstract: 本发明实施例公开一种具有多频带天线的集成扇出式封装。一种集成扇出式封装包括半导体管芯、模制层、以及多个集成扇出式穿孔。所述模制层位于所述半导体管芯旁边。所述集成扇出式穿孔穿过所述模制层且被排列以形成多个偶极天线。所述多个偶极天线中的至少一个包括两个偶极臂，所述两个偶极臂各自具有发射带及连接到所述发射带的辐射带，且所述辐射带具有第一部分、第二部分及位于所述第一部分与所述第二部分之间且与所述第一部分及所述第二部分接触的滤波器部分。所述滤波器部分的横截面积小于所述辐射带的所述第一部分或所述第二部分的横截面积。

公开(公告)号：CN108155178A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201710140211.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  吴凯强 ,  刘明凯

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 一种集成扇出型封装，其包括绝缘包封体、射频集成电路、天线、接地导体以及重布线路结构。射频集成电路包括多个导电端子。射频集成电路、天线及接地导体嵌于绝缘包封体中，且接地导体位于射频集成电路与天线之间。重布线路结构配置于绝缘封包体上，且重布线路结构与导电端子、天线以及接地导体电性连接。

公开(公告)号：CN103839894B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310028297.8

申请日：2013-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊麟 ,  刘明凯 ,  吴凯强 ,  杨青峰

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种方法，包括将半导体管芯附接在晶圆的第一面上，将第一顶部封装件附接在晶圆的第一面上以及将第二顶部封装件附接在晶圆的第一面上。方法进一步包括将封装层沉积在晶圆的第一面上方，其中，第一顶部封装件和第二顶部封装件嵌入到封装层中，对晶圆的第二面施加减薄工艺，将晶圆切割成多个芯片封装件以及将芯片封装件附接至衬底。本发明还提供了形成叠层封装结构的方法。

公开(公告)号：CN106960837A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610905679.8

申请日：2016-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  陈颉彦 ,  汤子君 ,  余振华 ,  杨青峰 ,  刘明凯 ,  王彦评 ,  吴凯强 ,  张守仁 ,  林韦廷 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08137 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/1434 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104037142B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310224396.3

申请日：2013-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明凯 ,  缪佳君 ,  吴凯强 ,  梁世纬 ,  杨青峰 ,  王彦评 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。

公开(公告)号：CN103855114B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310161102.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊麟 ,  吴凯强 ,  王彦评 ,  梁世纬 ,  杨青峰

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4885 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2201/2036 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了用于封装管芯的具有阻拦件的中介层的方法和装置。中介层可以包括位于衬底上方的金属层。一个或多个阻拦件可以形成在金属层上方。阻拦件围绕一区域，该区域的尺寸大于可以被连接至该区域内的金属层上方的接触焊盘的管芯的尺寸。阻拦件可以包含导电材料或非导电材料，或两者都包含。底部填充物可以形成在管芯下方、金属层上方且包含在阻拦件所围绕的区域内，从而可以使底部填充物不溢出到阻拦件所围绕的区域外。另一封装件可以放置在连接至中介层的管芯上方以形成堆叠式封装结构。

公开(公告)号：CN103794568B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310071559.9

申请日：2013-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  吕俊麟 ,  吴凯强 ,  杨青峰 ,  刘明凯 ,  缪佳君 ,  王彦评

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。

公开(公告)号：CN104051384A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310359548.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊麟 ,  陈宪伟 ,  吴凯强 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/05556

Abstract: 本发明公开了在封装器件的再分布层（RDL）处减小应力集中的方法和装置。封装器件可以包括位于钝化层上方的晶种层，以覆盖钝化层的开口，且覆盖接触焊盘并与接触焊盘接触。在钝化层上方形成RDL，RDL位于晶种层上方且与晶种层接触，以覆盖钝化层的开口，且通过晶种层电连接至接触焊盘。RDL具有包含非直角的平滑表面的端部。RDL的端部表面可以具有钝角或曲面。

公开(公告)号：CN103681360A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310024373.8

申请日：2013-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  吴凯强 ,  何明哲 ,  吴逸文

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/16225

Abstract: 公开了封装器件和封装方法。在一些实施例中，一种制造封装器件的方法包括在中介衬底中形成多个衬底通孔(TSV)。使中介衬底凹陷或者增加多个TSV的厚度以暴露出多个TSV的一部分。将导电球连接到多个TSV中的每一个TSV的暴露部分。

公开(公告)号：CN109309076B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201710963060.7

申请日：2017-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴凯强 ,  余振华 ,  余国宠

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。至少一个管芯被模塑在模塑化合物中。接地板位于所述管芯的背侧表面上，所述接地板的第一表面从所述模塑化合物暴露出，且所述接地板的第二表面被所述模塑化合物覆盖。所述接地板的所述第一表面与所述模塑化合物的第三表面齐平且共面。连接膜位于所述管芯的所述背侧表面与所述接地板的所述第二表面之间。所述管芯、所述模塑化合物及所述接地板接触所述连接膜。多个层间穿孔被模塑在所述模塑化合物中，且所述多个层间穿孔中的至少一者位于所述接地板的所述第二表面上并实体地接触所述接地板的所述第二表面。