公开(公告)号：CN103594441A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210519648.0

申请日：2012-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  郑荣伟 ,  李柏毅

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/3185 ,  H01L21/302 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047

摘要： 本发明提供了一种半导体封装件，包括位于半导体衬底的钝化层、位于钝化层的凸块以及位于钝化层上方并覆盖凸块的下部的模塑料层。模塑料层覆盖钝化层的侧壁。本发明还提供了半导体封装件的制造方法。

公开(公告)号：CN103378049A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310092304.0

申请日：2013-03-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  陈玉芬 ,  王宗鼎

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

摘要： 一种半导体器件包括具有第一和第二导电焊盘的半导体管芯，以及具有第三和第四接合焊盘的衬底。在内部区域的第一导电焊盘相对于第三接合焊盘的宽度比不同于在外部区域的第二导电焊盘相对于第四接合焊盘的宽度比。本发明提供了用于IC封装的应力减小结构。

公开(公告)号：CN103050473A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210078641.X

申请日：2012-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/16

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/563 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了一种封装件，该封装件包括印刷电路板(PCB)以及通过焊球接合到PCB的管芯。可再造的底部填充物被分配在该PCB和该管芯之间的区域内中。本发明还提供了一种具有可再造底部填充物的晶圆级芯片尺寸封装件。

公开(公告)号：CN102237318A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010167362.1

申请日：2010-04-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  郑荣伟 ,  李柏毅 ,  余振华 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/58

摘要： 本发明公开一种封装用基板固定装置及半导体芯片封装体的制造方法。该封装用基板固定装置包括一底板，一积层基板，具有多个芯片置晶区域供至少一芯片接合，以及一上固定盖板，通过磁力或机械力将该积层基板平整地固定在该底板和该上盖固定板之间，其中该上盖固定板具有多个开口区域对应所述多个芯片置晶区域。

公开(公告)号：CN101635266B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200810187392.1

申请日：2008-12-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李柏毅 ,  王宗鼎

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/04953

摘要： 本发明是有关于一种晶粒与晶片间三维互连的接合结构与方法。该晶粒与晶片间的接合方法，其包含：提供一晶粒，具有一导电垫片；沉积一铜金属层于该导电垫片上；沉积一氮化钽层于该铜金属层上；沉积一铜铝合金层于该氮化钽层上；形成一导电堆叠在该导电垫片上，该导电堆叠包含该铜金属层、该氮化钽层与该铜铝合金层；以及接合该晶粒的该铜铝合金层至一晶片的一穿硅导孔中的一金属插塞上，以形成一导电路径于该晶粒的该导电垫片与该晶片的该金属插塞间。本发明可缩小整个装置的尺寸；具有较好的粘着力；制造工艺简单，可减少制造工艺的成本；氮化钽层与铜铝合金层的形成制造工艺为低温制造工艺，在接合制造工艺中并不会增加装置的热能成本。

公开(公告)号：CN101958255A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010143185.3

申请日：2010-03-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨固峰 ,  吴文进 ,  邱文智 ,  王宗鼎

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明公开了一种超薄晶片加工处理的方法及薄晶片加工处理的产品，该方法包括下列步骤：提供一晶片，其具有多个半导体芯片，该晶片具有一第一侧以及一第二侧；使多个裸晶附着于该晶片的该第一侧，其中所述多个裸晶的其中之一接合于所述多个半导体芯片的其中之一；提供一晶片载盘，该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧；以一平面支持层封装该晶片的该第一侧以及所述多个裸晶；使一第一粘着带附着于该平面支持层。本发明可得到较高的合格率以及较低的损坏率。

公开(公告)号：CN101924042A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010143362.8

申请日：2010-03-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧景文 ,  李柏毅 ,  王宗鼎 ,  卿凯明 ,  陈承先 ,  李建勋 ,  赵智杰

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种裸片堆叠密封结构的形成方法。该方法包括如下步骤：多个裸片分别接合至晶片的第一表面上的多个半导体芯片之一。在多个裸片及晶片的第一表面上形成有封装结构。封装结构覆盖该晶片的中心部分的第一表面，并露出该晶片的边缘部分。保护材料则形成于晶片的第一表面的边缘部分上。本发明的形成方法使晶片中较脆弱的层状结构如低介电常数层较不会产生碎裂、剥离、或分层等现象，可大幅提升封装工艺的合格率。

公开(公告)号：CN118352342A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410328560.3

申请日：2024-03-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  侯上勇 ,  侯皓程 ,  陈衿良

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 封装结构包括：中介层，包括前侧和与前侧相对的背侧；上部模制结构，位于中介层的前侧上，并且包括上部模制层和位于上部模制层中的半导体管芯；以及下部模制结构，位于中介层的背侧上，并且包括下部模制层和位于下部模制层中的衬底部分，其中，衬底部分包括通过中介层电耦接至半导体管芯的导电层。本申请的实施例还涉及形成封装结构的方法。

公开(公告)号：CN117423628A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311146462.X

申请日：2023-09-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王政安 ,  林圣奇 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  李建勋

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

摘要： 实施例提供了执行用于器件晶圆的载体切换、附接第二晶圆和去除第一晶圆的方法。缓冲层沉积在器件晶圆上方，缓冲层减少了器件晶圆表面的形貌。在载体切换之后，从缓冲层去除线上薄膜层，并且然后至少部分去除缓冲层。本申请的实施例还提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN116435197A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310290020.6

申请日：2023-03-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯皓程 ,  王宗鼎 ,  郑荣伟 ,  梁裕民 ,  李建勋 ,  侯上勇 ,  陈玮佑 ,  张向晴 ,  潘国龙 ,  郑淑蓉 ,  林圣奇

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/00

摘要： 方法包括形成复合封装衬底。复合封装衬底的形成包括：将互连管芯密封在密封剂中，其中互连管芯中包括多个通孔；以及在互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个RDL。方法还包括：将有机封装衬底接合至复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至第一多个RDL。第一封装组件和第二封装组件通过互连管芯和第一多个RDL电互连。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。