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    Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof
    91.
    发明授权
    Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof 有权
    具有辅助切割结构的半导体晶片及其切割方法

    公开(公告)号：US08629532B2

    公开(公告)日：2014-01-14

    申请号：US11745595

    申请日：2007-05-08

    申请人： Hsien-Wei Chen ,  Shih-Hsun Hsu

    发明人： Hsien-Wei Chen ,  Shih-Hsun Hsu

    IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor wafer with an assisting dicing structure. The wafer comprises a substrate having a front surface and a rear surface. The front surface of the substrate comprises at least two device regions separated by at least one dicing lane. The rear surface of the substrate comprises at least one pre-dicing trench formed therein and substantially aligned with the dicing lane. A method for dicing a semiconductor wafer is also disclosed.

    摘要翻译： 具有辅助切割结构的半导体晶片。 晶片包括具有前表面和后表面的基板。 衬底的前表面包括由至少一个切割通道分开的至少两个器件区域。 衬底的后表面包括形成在其中并与切割通道基本对齐的至少一个预切割沟槽。 还公开了一种用于切割半导体晶片的方法。

    METHODS AND APPARATUS FOR HEAT SPREADER ON SILICON
    94.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR HEAT SPREADER ON SILICON 有权
    有机硅热交换器的方法与装置

    公开(公告)号：US20130270686A1

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：US13444558

    申请日：2012-04-11

    申请人： Hsien-Wei Chen ,  Chung-Ying Yang ,  Chao-Wen Shih ,  Kai-Chiang Wu

    发明人： Hsien-Wei Chen ,  Chung-Ying Yang ,  Chao-Wen Shih ,  Kai-Chiang Wu

    IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/60

    CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

    摘要： Apparatus and methods for forming a heat spreader on a substrate to release heat for a semi-conductor package are disclosed. The apparatus comprises a substrate. A dielectric layer is formed next to the substrate and in contact with a surface of the substrate. A heat spreader is formed next to the substrate and in contact with another surface of the substrate. A passivation layer is formed next to the dielectric layer. A connection pad is placed on top of the passivation layer. The substrate may comprise additional through-silicon-vias. The contact surface between the substrate and the heat spreader may be a scraggy surface. The packaging method further proceeds to connect a chip to the connection pad by way of a connection device such as a solder ball or a bump.

    摘要翻译： 公开了一种用于在基板上形成散热器以释放用于半导体封装的热量的装置和方法。 该装置包括基板。 在基板的旁边形成介电层，与基板的表面接触。 散热器形成在基板的旁边并与基板的另一个表面接触。 在电介质层的旁边形成钝化层。 连接焊盘放置在钝化层的顶部。 衬底可以包括另外的通硅通孔。 基板和散热器之间的接触表面可能是肮脏的表面。 包装方法还进一步通过诸如焊球或凸块的连接装置将芯片连接到连接焊盘。

    Semiconductor test pad structures
    97.
    发明授权
    Semiconductor test pad structures 有权
    半导体测试板结构

    公开(公告)号：US08450126B2

    公开(公告)日：2013-05-28

    申请号：US13197003

    申请日：2011-08-03

    申请人： Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng

    发明人： Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Yu-Wen Liu ,  Hao-Yi Tsai ,  Shin-Puu Jeng

    IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/26

    CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor test pad interconnect structure with integrated die-separation protective barriers. The interconnect structure includes a plurality of stacked metal layers each having an electrically conductive test pad separated from other test pads by a dielectric material layer. In one embodiment, at least one metallic via bar is embedded into the interconnect structure and electrically interconnects each of the test pads in the metal layers together. The via bar extends substantially along an entire first side defined by each test pad in some embodiments. In other embodiments, a pair of opposing via bars may be provided that are arranged on opposite sides of a die singulation saw cut line defined in a scribe band on a semiconductor wafer.

    摘要翻译： 具有集成的模具隔离保护屏障的半导体测试焊盘互连结构。 互连结构包括多个堆叠的金属层，每个层具有通过介电材料层与其它测试焊盘分离的导电测试焊盘。 在一个实施例中，至少一个金属通孔条被嵌入到互连结构中，并将金属层中的每个测试焊盘电连接在一起。 在一些实施例中，通孔棒基本上沿着由每个测试垫限定的整个第一侧面延伸。 在其他实施例中，可以提供一对相对的通孔条，其布置在限定在半导体晶片上的划线带中的模切单切锯切线的相对侧上。

    Scribe line metal structure
    98.
    发明授权
    Scribe line metal structure 有权
    划线金属结构

    公开(公告)号：US08368180B2

    公开(公告)日：2013-02-05

    申请号：US12619464

    申请日：2009-11-16

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

    IPC分类号： H01L23/544

    CPC分类号： H01L21/78

    摘要： A system and method for preventing defaults during singulation is presented. An embodiment comprises a dummy metal structure located in the scribe region. The dummy metal structure comprises a series of alternating dummy lines that are connected through dummy vias. The dummy lines are offset from dummy lines in adjacent metal layers. Additionally, the dummy lines and dummy vias in the upper layers of the scribe line may be formed with larger dimensions than the dummy lines and dummy vias located in the lower layers.

    摘要翻译： 提出了一种在分割过程中防止违约的系统和方法。 一个实施例包括位于划线区域中的虚拟金属结构。 虚拟金属结构包括通过虚拟通孔连接的一系列交替虚拟线。 伪线与相邻金属层中的虚拟线偏移。 此外，划线的上层中的虚拟线和虚拟通路可以形成为具有比位于下层中的虚拟线和虚拟通孔更大的尺寸。

    Package structures
    100.
    发明授权
    Package structures 有权
    包装结构

    公开(公告)号：US08237253B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12946930

    申请日：2010-11-16

    申请人： Benson Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai

    发明人： Benson Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai

    IPC分类号： H01L25/07

    CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

    摘要： A package structure includes a substrate, a first die and at least one second die. The substrate includes a first pair of parallel edges and a second pair of parallel edges. The first die is mounted over the substrate. The first die includes a third pair of parallel edges and a fourth pair of parallel edges, wherein the third pair of parallel edges and the fourth pair of parallel edges are not parallel to the first pair of parallel edges and the second pair of parallel edges, respectively. The at least one second die is mounted over the first die.

    摘要翻译： 封装结构包括衬底，第一管芯和至少一个第二管芯。 衬底包括第一对平行边缘和第二对平行边缘。 第一个模具安装在基板上。 第一管芯包括第三对平行边缘和第四对平行边缘，其中第三对平行边缘和第四对平行边缘不平行于第一对平行边缘和第二对平行边缘， 分别。 至少一个第二管芯安装在第一管芯上。