公开(公告)号：WO2015091673A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/078268

申请日：2014-12-17

Applicant: CONPART AS

Inventor： REDFORD, Keith ,  KRISTIANSEN, Helge ,  SUGDEN, Mark ,  TILSET, Bente Gilbu ,  WARSZYNSKI, Piotr ,  LIU, Changqing ,  WHALLEY, David ,  HUTT, David

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 ,  G02B6/4232 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83865 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/3478 ,  H05K3/368 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of forming a bonded assembly is described. A liquid-based dispersion of fine polymer balls (

Abstract translation: 描述形成接合组件的方法。 将细聚合物球（<50μm直径）的液体分散体施加到具有多个宽度小于5球直径的多个分界区域（14）的第一基板（16）。 通过电气，化学或物理刺激将球（12）推动成对准，并且去除来自分散体的液体以将聚合物球留在分界区域中。 第一衬底相对于第二衬底（18）对准并且被压在一起以部分地压缩聚合物球。 通过粘合组件来固定组件的几何形状。 在优选实施例中，球（12）具有2-6μm的直径，并且使用电泳和表面张力将其推到就位。 聚合物球可以涂覆在Au和In中，并作为单独的球放置在基底上。

公开(公告)号：WO2013141166A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/JP2013/057484

申请日：2013-03-15

Applicant: 株式会社NEOMAXマテリアル ,  日立金属株式会社

Inventor： 浅田　賢 ,  西村　絢子

IPC: C25D7/00 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  C25D17/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K35/262 ,  B22F1/025 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/264 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  C25D7/00 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/3478 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明による実施形態のはんだ被覆ボール（１０Ａ）は、ボール状のコア（１１）と、コア（１１）を被覆するように形成されたはんだ層（１２）とを有し、はんだ層（１２）は、ＳｎとＢｉとを含み、Ｂｉ含有率が４５質量％以上６５質量％以下で、且つ、Ｂｉの含有率は、内側で高く、外側で低い。他のはんだ被覆ボール（１０Ｂ）は、コア１１とはんだ層１２との間にＮｉめっき層１３をさらに有する。

Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案的焊料涂覆的球（10A）具有形成为涂覆芯（11）的球形芯（11）和焊料层（12），焊料层（12）包括 Sn和Bi，Bi含量为45质量％〜65质量％，Bi含量高，外部为低。 另一个焊料涂覆球（10B）还在芯部（11）和焊料层（12）之间具有Ni镀层（13）。

公开(公告)号：WO2009084333A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/JP2008/070604

申请日：2008-11-12

Applicant: JSR株式会社 ,  伊藤 淳史 ,  奥田 隆一 ,  後藤 宏文

Inventor： 伊藤 淳史 ,  奥田 隆一 ,  後藤 宏文

IPC: H01L21/60 ,  C08K5/1515 ,  C08L61/04 ,  C09D161/06 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/038 ,  C08L61/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明の目的は、樹脂凸形状体の表面に金属を被覆して電極を形成する電極形成方法において、フォトリソグラフィにより所定形状のパターンを形成した後、熱硬化させることにより、電極形成に適した形状を有し且つ密着性に優れる樹脂凸形状体を得ることができる樹脂電極形成用感光性絶縁樹脂組成物、樹脂凸形状体の形成方法及び樹脂凸形状体を提供することである。本感光性絶縁樹脂組成物は、（Ａ）フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光感応性酸発生剤と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）密着助剤と、（Ｅ）溶剤と、を含有する。

Abstract translation: 公开了一种用于形成树脂电极的感光绝缘树脂组合物，其可以通过光刻形成预定图案，然后在电极形成过程中热固而形成具有适合于电极形成和优异粘合性的树脂凸体 其中通过用金属涂覆树脂凸体的表面形成电极。 还公开了一种用于形成树脂凸体的方法和树脂凸体。 感光性绝缘性树脂组合物含有具有酚羟基的碱溶性树脂（A），感光性酸发生剂（B），固化剂（C），粘合助剂（D）和溶剂（E）。

公开(公告)号：WO2007133806A3

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：PCT/US2007011747

申请日：2007-05-15

Applicant: TESSERA INC ,  LIEW VICTOR ,  HABA BELGACEM ,  HUMPSTON GILES

Inventor： LIEW VICTOR ,  HABA BELGACEM ,  HUMPSTON GILES

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: A wafer (20) having a front surface and contacts (28) exposed at the front surface is treated by forming electrically conductive risers (30) projecting upwardly from the contacts as, for example, by electroless plating, and then applying a flowable material over the front surface of the device, around the risers, to form a dielectric layer (36) with the risers exposed at a top surface (38) of the dielectric layer facing away from the device. Traces (42). extending over the top surface of the dielectric layer may be formed, and may be connected to at least some of the risers.

Abstract translation: 具有前表面和暴露在前表面的接触件（28）的晶片（20）通过形成从接触件向上突出的导电立管（30）来进行处理，例如通过无电镀，然后将可流动材料施加在 所述装置的前表面围绕所述立管形成介电层（36），所述提升板暴露在所述电介质层的远离所述装置的顶表面（38）处。 痕迹（42）。 可以在电介质层的顶表面上延伸，并且可以连接至至少一些立管。

公开(公告)号：WO2006103949A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：PCT/JP2006/305274

申请日：2006-03-16

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  辛島 靖治 ,  北江 孝史 ,  中谷 誠一

Inventor： 辛島 靖治 ,  北江 孝史 ,  中谷 誠一

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2224/83887 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/381 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/087 ,  Y10T156/1744 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A flip chip mounting method and a method for connecting substrates, which are applicable to next generation LSI flip chip mounting and have high productivity and reliability. A circuit board (21) having a plurality of connecting terminals (11) and a semiconductor chip (20) having a plurality of electrode terminals (12) are arranged to face each other, and a resin (13) containing conductive particles (12) and an air bubble generating agent is supplied to a space between the circuit board and the semiconductor chip. In such state, the resin (13) is heated, air bubbles (30) are generated from the air bubble generating agent contained in the resin (13), and the resin (13) is pushed to the outside of the air bubbles (30) by growth of the generated air bubbles (30). The pushed out resin (13) are self-collected between the circuit board (10) and the terminals of the semiconductor chip (20) in a column shape. In such state, by pressing the semiconductor chip (20) to the circuit board (10), the conductive particles (12) contained in the self-collected resin (13) between the facing terminals are brought into mutual contact, and the terminals are electrically connected.

Abstract translation: 一种用于连接基板的倒装芯片安装方法和方法，其适用于下一代LSI倒装芯片安装，并且具有高生产率和可靠性。 具有多个连接端子（11）的电路板（21）和具有多个电极端子（12）的半导体芯片（20）彼此相对地布置，并且包含导电颗粒（12）的树脂（13） 并且气泡发生剂被供应到电路板和半导体芯片之间的空间。 在这种状态下，树脂（13）被加热，由树脂（13）中包含的气泡产生剂产生气泡（30），树脂（13）被推到气泡的外侧 ）产生的气泡（30）的生长。 推出的树脂（13）在电路板（10）和半导体芯片（20）的端子之间自行收集成柱状。 在这种状态下，通过将半导体芯片（20）按压到电路基板（10），包含在面对端子之间的自收集树脂（13）中的导电粒子（12）相互接触，并且端子 电连接。

公开(公告)号：WO2005076353A2

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：PCT/US2005/002534

申请日：2005-01-28

Applicant: ALIEN TECHNOLOGY CORPORATION ,  SWINDLEHURST, Susan ,  HADLEY, Mark, A. ,  DRZAIC, Paul, S. ,  CRAIG, Gordon, S., W. ,  GENGEL, Glenn ,  HERRMANN, Scott ,  TOOTOOCHI, Aly ,  EISENHARDT, Randolph, W.

Inventor： SWINDLEHURST, Susan ,  HADLEY, Mark, A. ,  DRZAIC, Paul, S. ,  CRAIG, Gordon, S., W. ,  GENGEL, Glenn ,  HERRMANN, Scott ,  TOOTOOCHI, Aly ,  EISENHARDT, Randolph, W.

IPC: H01L25/16

CPC classification number: G06K19/07752 ,  G06K19/077 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83865 ,  H01L2224/83868 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: An apparatus incorporating small-feature size and large-feature­-size components. The apparatus comprise a strap including a substrate with an integrated circuit contained therein. The integrated circuit coupling to a first conductor disposed on the substrate. The first conductor is made of a thermosetting or a thermoplastic material including conductive fillers. A large-scale component having a second conductor is electrically coupled to the first conductor to electrically couple the large-­scale component to the integrated circuit. The large-scale component includes a second substrate.

Abstract translation: 包含小特征尺寸和大特征尺寸组件的装置。 该装置包括带状物，其带有包含集成电路的基板。 集成电路耦合到设置在基板上的第一导体。 第一导体由包括导电填料的热固性或热塑性材料制成。 具有第二导体的大规模部件电耦合到第一导体，以将大尺寸部件电耦合到集成电路。 大规模部件包括第二基板。

公开(公告)号：WO02071472A3

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US0206527

申请日：2002-03-01

Applicant: SIEMENS DEMATIC ELECTRONICS AS

Inventor： HIGGINS III LEO M

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171

Abstract: Methods and structures of in-situ wafer scale polymer stud grid array (ISWS-PSGA) contact formation on integrated circuit devices (10), wherein a separate pre-manufactured PSGA substrate is not needed. The methods include injection molding of thermoplastics, transfer-molding of thermoset materials, lamination of polymer films with subsequent in-situ molding/embossing, and forming the PSGA structure directly on the semiconductor wafer (5). The ISWS-PSGA structure extends across the entire semiconductor wafer (5), with ISWS-PSGA metallized input/output studs (121) disposed across each of the integrated circuit devices on the wafer (5). The polymer (36) formed on the wafer (5) surface to create the stud field is extended beyond the perimeter of the wafer (5), and the polymer film extension is used for temporary connection to an integrated circuit tester, or an integrated circuit test/burn-in system. The extension may further include studs for contacting the tester.

Abstract translation: 在集成电路器件（10）上的原位晶片级聚合物螺柱网格阵列（ISWS-PSGA）接触形成的方法和结构，其中不需要单独的预制PSGA衬底。 这些方法包括热塑性塑料的注射成型，热固性材料的转移模塑，聚合物膜的叠层以及随后的原位成型/压花，以及直接在半导体晶片（5）上形成PSGA结构。 ISWS-PSGA结构在整个半导体晶片（5）上延伸，ISWS-PSGA金属化输入/输出柱（121）设置在晶片（5）上的每个集成电路器件上。 形成在晶片（5）表面上以产生螺柱磁场的聚合物（36）延伸超过晶片（5）的周边，并且聚合物膜延伸部用于临时连接到集成电路测试器或集成电路 测试/老化系统。 延伸部还可以包括用于接触测试器的螺栓。

公开(公告)号：WO2002071472A2

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：PCT/US2002/006527

申请日：2002-03-01

Applicant: SIEMENS DEMATIC ELECTRONICS ASSEMBLY SYSTEMS, INC.

Inventor： HIGGINS III, Leo M.

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171

Abstract: Methods and structures of in-situ wafer scale polymer stud grid array (ISWS-PSGA) contact formation on integrated circuit devices (10), wherein a separate pre-manufactured PSGA substrate is not needed. The methods include injection molding of thermoplastics, transfer-molding of thermoset materials, lamination of polymer films with subsequent in-situ molding/embossing, and forming the PSGA structure directly on the semiconductor wafer (5). The ISWS-PSGA structure extends across the entire semiconductor wafer (5), with ISWS-PSGA metallized input/output studs (121) disposed across each of the integrated circuit devices on the wafer (5). The polymer (36) formed on the wafer (5) surface to create the stud field is extended beyond the perimeter of the wafer (5), and the polymer film extension is used for temporary connection to an integrated circuit tester, or an integrated circuit test/burn-in system. The extension may further include studs for contacting the tester.

Abstract translation: 在集成电路器件（10）上的原位晶片级聚合物螺柱网格阵列（ISWS-PSGA）接触形成的方法和结构，其中不需要单独的预制PSGA衬底。 这些方法包括热塑性塑料的注射成型，热固性材料的转移模塑，聚合物膜的叠层以及随后的原位成型/压花，以及直接在半导体晶片（5）上形成PSGA结构。 ISWS-PSGA结构在整个半导体晶片（5）上延伸，ISWS-PSGA金属化输入/输出柱（121）设置在晶片（5）上的每个集成电路器件上。 形成在晶片（5）表面上以产生螺柱磁场的聚合物（36）延伸超过晶片（5）的周边，并且聚合物膜延伸部用于临时连接到集成电路测试器或集成电路 测试/老化系统。 延伸部还可以包括用于接触测试器的螺栓。

公开(公告)号：WO02045152A2

公开(公告)日：2002-06-06

申请号：PCT/US2001/044389

申请日：2001-11-28

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: The invention provides processes for bonding a flip chip (1) to a substrate (3) in a manner that maximizes reliability of the bonding operation. Electrically conductive polymer bumps (2) are formed on bond pads (4) of a flip chip (1) and the flip chip polymer bumps (2) are at least partially hardened. Electrically conductive polymer bumps (8) are formed on bond pads (4) of a substrate, and a layer of electrically insulating adhesive paste (5) is then applied on the substrate (3), covering the substrate polymer bumps (8) with the adhesive (5). The bond pads (6) of the flip chip () are then aligned with the bond pads (4) of the substrate (3) and the at least partially hardened flip chip polymer bumps (2) are then pushed through the substrate adhesive (5) and at least partially into the substrate polymer bumps (8). In a further method, electrically conductive polymer bumps (2) are formed on bond pads (6) of a flip chip (1) and the flip chip polymer bumps (2) are at least partially hardened. A layer of electrically insulating adhesive paste (5) is formed on a substrate having bond pads (4), covering the bond pads (4) with the adhesive (5). The bond pads (6) of the flip chip (1) are aligned with the bond pads (4) of the substrate (3), and then the at least partially hardened flip chip polymer bumps (2) are pushed through the substrate adhesive (5) with pressure sufficient for the flip chip polymer bumps (2) to directly contact and deform the substrate bond pads (4).

Abstract translation: 本发明提供了以最大限度地提高接合操作的可靠性的方式将倒装芯片（1）接合到基板（3）的工艺。 导电聚合物凸块（2）形成在倒装芯片（1）的接合焊盘（4）上，并且倒装芯片聚合物凸块（2）至少部分硬化。 导电聚合物凸块（8）形成在基板的接合焊盘（4）上，然后将一层电绝缘粘合剂浆料（5）施加到基板（3）上，用基板聚合物凸块（8）覆盖基板聚合物凸块 粘合剂（5）。 然后将倒装芯片（）的接合焊盘（6）与衬底（3）的接合焊盘（4）对准，然后将至少部分硬化的倒装芯片聚合物凸块（2）推入衬底粘合剂（5） ）并且至少部分地进入衬底聚合物凸块（8）。 在另一种方法中，导电聚合物凸块（2）形成在倒装芯片（1）的接合焊盘（6）上，并且倒装芯片聚合物凸块（2）至少部分硬化。 在具有接合焊盘（4）的基板上形成一层电绝缘粘合剂膏（5），用粘合剂（5）覆盖接合焊盘（4）。 倒装芯片（1）的接合焊盘（6）与衬底（3）的接合焊盘（4）对准，然后将至少部分硬化的倒装芯片聚合物凸块（2）推到衬底粘合剂 5）具有足以使倒装芯片聚合物凸块（2）直接接触和变形衬底接合焊盘（4）的压力。

公开(公告)号：WO01075969A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：PCT/DE2001/001194

申请日：2001-03-29

IPC: H05K3/32 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/485 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an electronic component (2) and a method for the production thereof. The electronic component (2) comprises an electric circuit and a rubber elastic elevation (3). The rubber elastic elevation (3) is made from an insulating rubber elastic material and is arranged on the surface (13) of the electric component (2), having an electric bonding pad (16) on the tip (14) thereof. The rubber elastic elevation (3) also comprises a line path (8) disposed on the sloping side or in the volume thereof between the bonding pad (16) and the electronic circuit.

Abstract translation: 本发明涉及的电子部件（2）和用于其生产的方法。 所述电子部件（2）包括电子电路，以及一个橡胶弹性的仰角（3）。 这使电子元件（2）的卵巢表面（13）上的绝缘弹性体材料的橡胶弹性的仰角（3），并且在其波峰（14）的电Konaktfleck（16）。 另外，在斜坡上（15）的侧面或在其卷到垫（16）和电子电路之间的导电路径（8）的橡胶弹性的仰角（3）。