公开(公告)号：WO2015175554A3

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/US2015030410

申请日：2015-05-12

申请人： INVENSAS CORP

发明人： KATKAR RAJESH ,  UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L24/14 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/115 ,  H05K1/144 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/09572 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. The solder connections (210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height.

摘要翻译： 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模塑形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 焊接连接（210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板）上 一个芯片（HOB）是倒装芯片连接的。 焊接连接（210.1,210.2）可能彼此不同，特别是高度不同。

公开(公告)号：WO2014088966A3

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/US2013072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORP

发明人： UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) includes a first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) having a first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a second substrate (14, 114, 214, 314, 414) having a second conductive element (26, 126, 226, 326, 426). The assembly further includes an electrically conductive alloy mass (16, 116) joined to the first and second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022), including a first, a second and a third material. First and second materials of the alloy mass (16, 116) each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) to a relatively lower amount toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426), and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426) to a relatively lower amount toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022). The microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) is formed by aligning the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912), having a first bond component (30, 230, 330, 430), with the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), having a second bond component (40, 240, 340, 440), such that the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components are in contact with each other, the first bond component (30, 230, 330, 430, 1030) including a first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936) adjacent the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a first protective layer (38, 538, 638, 738, 838, 938) overlying the first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936), the second bond component (40, 240, 340, 440) including a second material layer (46) adjacent the second conductive element (26) and a second protective layer (48) overlying the second material layer (46), and heating the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components such that at least portions of the first (36, 536, 636, 736, 836, 936) and second (46) material layers diffuse together to form the alloy mass (16, 116) joining the first (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and second (14, 114, 214, 314, 414) substrates with one another. There may be formed a plurality of first conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) on the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and a plurality of second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426) on the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), joined by a plurality of conductive alloy masses (16, 116). The conductive alloy mass (116) may also surround and hermetically seal an internal volume.

摘要翻译： 微电子组件（10,110,210,310,410）包括具有第一导电元件（26,126,226）的第一衬底（12,112,212,312,412,512,612,712,812,912） 具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414），以及具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414）。 组件还包括接合到第一和第二导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的导电合金块（16,116），包括第一， 第二和第三材料。 合金质量（16,116）的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到相对较低的量 朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）的量，并且第二材料的浓度在朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化 ，426）朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1012）相对较低的量。 微电子组件（10,110,210,310,410）通过使具有第一粘合组分（30,110,210,310,410）的第一粘合组分（30,110,210,310,410） 具有第二接合部件（40,42,340,440）的第二基板（14,114,214,314,414），使得所述第一基板（30,230,340,440） 所述第一接合部件（30,230,330,430,1030）包括第一材料层（36,536,630）和第二接合部件（40,42,340,440），所述第一接合部件 邻近第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的第一保护层（38,538,638,738,838），第三保护层 ，覆盖在第一材料层（36,536,636,736,836,936）上的第二结合部件（40,240,340,440）包括邻近第二导电元件（26）的第二材料层（46） ）和覆盖在第二材料层（46）上的第二保护层（48），并且加热第一（30,230,33 0,430,1030）和第二（40,42,340,440）粘合部件，使得第一（36,536,636,736,836,936）和第二（46）材料层的至少一部分一起扩散到 形成将第一（12,112,212,312,412,912）和第二（14,114,214,314,414）基板彼此接合的合金块（16,116） 。 可以在第一衬底（12,112,212,312,412,512,512）上形成多个第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022） 612,1112,812,912）以及由第二基片（14,114,214,314,414）上的多个第二导电元件（26,126,226,326,426）组成的多个导电合金块 （16,116）。 导电合金质量块（116）也可以围绕并气密地密封内部体积。

公开(公告)号：WO2010122437A2

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：PCT/IB2010/051328

申请日：2010-03-26

申请人： NXP B.V. ,  PISCHLER, Erich

发明人： PISCHLER, Erich

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01R23/26 ,  H01R24/40 ,  H01R2103/00 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/184 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/092 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/09845 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： A male connection component (120) for connection with a correspondingly confϊgured female connection component (140) having a recess (144) extending into a main surface (170) of a female Substrate (142) of the female connection component (140), wherein the female connection component (140) comprises a plurality of electrically conductive female contacts (146) which are electrically decoupled from one another and are arranged at different height levels with regard to the main surface (170) of the female Substrate (142), the male connection component (120) comprising a male Substrate (102), a Protrusion (104) protruding from a main surface (160) of the male Substrate (102) and comprising a plurality of electrically conductive male contacts (106) which are electrically decoupled from one another and are arranged at different height levels with regard to the main surface (160) of the male Substrate (102), wherein the male connection component (120) is adapted for connection with the female connection component (140) so that upon connection, each of the plurality of electrically conductive male contacts (106) is brought in contact with one of the plurality of electrically conductive female contacts (146) for providing electric contactation at different height levels, wherein the male Substrate (102) forms at least part of one of a chip, a chip package and a circuit board.

摘要翻译： 用于与相应配置的母连接部件（140）连接的阳连接部件（120），其具有延伸到阴连接部件（140）的阴基板（142）的主表面（170）的凹部（144） ，其中所述阴连接部件（140）包括彼此电分离并且相对于所述阴基板（142）的主表面（170）设置在不同高度水平的多个导电阴触头（146） ，所述阳连接部件（120）包括阳基板（102），从所述阳基板（102）的主表面（160）突出并包括多个导电阳触头（106）的突出部（104） 相对于阳性基板（102）的主表面（160），它们彼此电分离并且布置在不同的高度水平处，其中阳连接部件（120）适于与母体 连接部件（140），使得在连接时，多个导电阳触头（106）中的每一个与多个导电阴触头（146）中的一个接触，用于在不同的高度级别提供电接触，​​其中 阳基板（102）形成芯片，芯片封装和电路板之一的至少一部分。

公开(公告)号：WO2013014846A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/003601

申请日：2012-05-31

申请人： 株式会社島津製作所 ,  岸原 弘之 ,  田邊 晃一 ,  徳田 敏 ,  吉牟田 利典 ,  貝野 正知 ,  吉松 聖菜 ,  佐藤 敏幸 ,  桑原 章二

发明人： 岸原　弘之 ,  田邊　晃一 ,  徳田　敏 ,  吉牟田　利典 ,  貝野　正知 ,  吉松　聖菜 ,  佐藤　敏幸 ,  桑原　章二

IPC分类号： H01L31/09 ,  G01T1/24 ,  H01L21/60 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/4825 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　放射線検出器とその製造方法において、画素電極１４には、バンプ電極３２が複数形成される。対向基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせする際に、画素電極１４に複数のバンプ電極が潰れて結合し、擬似的に１つの大きなバンプ電極（バンプ電極群）３１となる。そのため、半導体層とバンプ電極（バンプ電極群）３１との接触面積を大きくすることができる。また、接触面積が大きくなることで画素間の隙間が減少する。したがって、半導体層で生成された電荷を１画素ごとに効率よく収集することができ、画素間の感度ばらつきを低減させることができる。

摘要翻译： 公开了一种辐射检测器及其制造方法，其中在像素电极（14）上形成有多个凸起电极（32）。 当相对基板和有源矩阵基板粘贴在一起时，多个凸起电极被压碎并与像素电极（14）耦合，以伪造的方式构成单个大凸起电极（凸起电极组）（凸起电极组） ）。 因此，可以使半导体层和凸块电极（凸块电极组）（31）的接触面积大。 此外，可以通过增加接触面积来减小像素之间的间隙。 因此，可以在每个单个像素中有效地收集在半导体层中产生的电荷，并且可以降低像素之间的灵敏度的变化。

公开(公告)号：WO2012104507A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/FR2012/000042

申请日：2012-01-31

申请人： COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SOURIAU, Jean-Charles

发明人： SOURIAU, Jean-Charles

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： Un premier substrat (2) muni d'une zone d'accueil (1 ) en premier matériau métallique est fourni. Un second substrat (4) muni d'une zone d'insertion (3) comportant une surface de base (6) et au moins deux plots (7) en un second matériau métallique est disposé en face du premier substrat (2). Les plots (7) font saillie depuis la surface de base (6). Une pression est appliquée entre le premier substrat (2) et le second substrat (4) de manière à faire pénétrer les plots (7) à l'intérieur de la zone d'accueil (1 ). Le premier matériau métallique (5) réagit avec le second matériau métallique de manière à former une couche continue d'un composé intermétallique (5) à base des premier et second matériaux métalliques le long de l'interface entre les plots (7) et la zone d'accueil (1).

摘要翻译： 提供了装备有由第一金属材料制成的容纳区域（1）的第一基板（2）。 配备有包括基面（6）的插入区域（3）和由第二金属材料制成的至少两个衬垫（7）的第二衬底（4）面向第一衬底（2）放置。 垫（7）从基面（6）突出。 在第一基板（2）和第二基板（4）之间施加压力，以使垫（7）进入容纳区域（1）。 所述第一金属材料（5）与所述第二金属材料反应，以便沿所述第一和第二金属材料沿所述焊盘（7）和所述容纳区域之间的界面形成连续的金属间化合物（5）层 （1）。

公开(公告)号：WO2010122437A3

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/IB2010051328

申请日：2010-03-26

申请人： NXP BV ,  PISCHLER ERICH

发明人： PISCHLER ERICH

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01R23/26 ,  H01R24/40 ,  H01R2103/00 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/184 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/092 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/09845 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： A male connection component (120) for connection with a correspondingly conf?gured female connection component (140) having a recess (144) extending into a main surface (170) of a female Substrate (142) of the female connection component (140), wherein the female connection component (140) comprises a plurality of electrically conductive female contacts (146) which are electrically decoupled from one another and are arranged at different height levels with regard to the main surface (170) of the female Substrate (142), the male connection component (120) comprising a male Substrate (102), a Protrusion (104) protruding from a main surface (160) of the male Substrate (102) and comprising a plurality of electrically conductive male contacts (106) which are electrically decoupled from one another and are arranged at different height levels with regard to the main surface (160) of the male Substrate (102), wherein the male connection component (120) is adapted for connection with the female connection component (140) so that upon connection, each of the plurality of electrically conductive male contacts (106) is brought in contact with one of the plurality of electrically conductive female contacts (146) for providing electric contactation at different height levels, wherein the male Substrate (102) forms at least part of one of a chip, a chip package and a circuit board.

摘要翻译： 用于与相应配置的母连接部件（140）连接的阳连接部件（120），其具有延伸到阴连接部件（140）的阴基板（142）的主表面（170）的凹部（144） ，其中所述阴连接部件（140）包括彼此电分离并且相对于所述阴基板（142）的主表面（170）设置在不同高度水平的多个导电阴触头（146） ，所述阳连接部件（120）包括阳基板（102），从所述阳基板（102）的主表面（160）突出并包括多个导电阳触头（106）的突出部（104） 相对于阳性基板（102）的主表面（160），它们彼此电分离并且布置在不同的高度水平处，其中阳连接部件（120）适于与母体 连接部件（140），使得在连接时，多个导电阳触头（106）中的每一个与多个导电阴触头（146）中的一个接触，用于在不同的高度级别提供电接触，​​其中 阳基板（102）形成芯片，芯片封装和电路板之一的至少一部分。

公开(公告)号：WO2008078478A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/JP2007/072423

申请日：2007-11-20

申请人： 松下電器産業株式会社 ,  八木 能彦 ,  櫻井 大輔

发明人： 八木 能彦 ,  櫻井 大輔

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L21/563 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11552 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 電子部品の電極端子（１１）面に形成された導電性バンプ（１７）であって、導電性バンプ（１７）は、少なくとも導電性フィラーの密度が異なる複数の樹脂硬化物で構成される。それにより、実装時の導電性バンプ（１７）の潰れによる短絡や接続不良などの発生を防止できるものである。

摘要翻译： 在电子部件的电极端子（11）的表面上形成导电凸块（17），并且导电凸块（17）由至少多种具有不同导电填料密度的固化树脂材料构成。 因此，防止了在安装时由于导电凸块（17）的挤压引起的短路和连接故障。

公开(公告)号：WO2007123778A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/US2007/008037

申请日：2007-03-31

申请人： INTEL CORPORATION ,  RARAVIKAR, Nachiket ,  SUH, Daewoong

发明人： RARAVIKAR, Nachiket ,  SUH, Daewoong

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  C01B31/02

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S438/962 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die, an interposer-type structure for a flip-chip, a mounting substrate, or a board. The CNT array is patterned by using a patterned metallic seed layer on the substrate to form the CNT array by chemical vapor deposition. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 基板可以是微电子管芯，用于倒装芯片的插入件型结构，安装基板或板。 通过在衬底上使用图案化的金属种子层来图案化CNT阵列，以通过化学气相沉积形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：WO2015175554A2

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/030410

申请日：2015-05-12

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： KATKAR, Rajesh ,  UZOH, Cyprian, Emeka

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/115 ,  H05K1/144 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/09572 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion of a solder ball's surface is melted when the connection is formed on one structure and/or when the connection is being attached to another structure. In some embodiments, non-solder balls are joined by an intermediate solder ball (140i). A solder connection may be surrounded by a solder locking layer (1210) and may be recessed in a hole (1230) in that layer. Other features are also provided.

摘要翻译： 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当在一个结构上形成连接时，和/或当 连接正在附加到另一个结构。 在一些实施例中，非焊球通过中间焊球（140i）连接。 焊料连接可以被焊料锁定层（1210）包围，并且可以凹入该层中的孔（1230）中。 还提供其他功能。

公开(公告)号：WO2015091673A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/078268

申请日：2014-12-17

申请人： CONPART AS

发明人： REDFORD, Keith ,  KRISTIANSEN, Helge ,  SUGDEN, Mark ,  TILSET, Bente Gilbu ,  WARSZYNSKI, Piotr ,  LIU, Changqing ,  WHALLEY, David ,  HUTT, David

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/11 ,  G02B6/4232 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83865 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/3478 ,  H05K3/368 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a bonded assembly is described. A liquid-based dispersion of fine polymer balls (

摘要翻译： 描述形成接合组件的方法。 将细聚合物球（<50μm直径）的液体分散体施加到具有多个宽度小于5球直径的多个分界区域（14）的第一基板（16）。 通过电气，化学或物理刺激将球（12）推动成对准，并且去除来自分散体的液体以将聚合物球留在分界区域中。 第一衬底相对于第二衬底（18）对准并且被压在一起以部分地压缩聚合物球。 通过粘合组件来固定组件的几何形状。 在优选实施例中，球（12）具有2-6μm的直径，并且使用电泳和表面张力将其推到就位。 聚合物球可以涂覆在Au和In中，并作为单独的球放置在基底上。