公开(公告)号：WO2014010258A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/JP2013/050231

申请日：2013-01-09

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 山津　繁 ,  長谷川　貴志 ,  金　津

IPC: C08L33/08 ,  C08K3/00 ,  C08L63/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: C08L33/04 ,  C08L63/10 ,  C08L2312/00 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  C08L63/00

Abstract: 　封止樹脂を回路基板へ先に供給する方法によって熱圧着時に電気的接続と封止樹脂の硬化を同時に行うフリップチップ実装において、硬化された封止樹脂中にボイドが残りにくく、かつ、はんだの濡れ性に優れた半導体封止用アクリル樹脂組成物とそれを用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。　回路基板１３の電極パッド１４を有する面に封止樹脂を供給した後、半導体チップ１０のバンプ電極１１と回路基板１３の電極パッド１４との位置を合わせて半導体チップ１０を配置し加熱することにより、半導体チップ１０と回路基板１３との電気的接続および封止樹脂の硬化を同時に行う際に、封止樹脂として使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物３０ａであって、常温で液状の熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性アクリル樹脂のラジカル開始剤、活性剤、および無機充填剤を含有することを特徴とする。

Abstract translation: 提供一种用于半导体密封的丙烯酸树脂组合物，其具有优异的焊料润湿性并且在固化时不容易留下空隙，并且其用于其中密封树脂固化的倒装芯片安装以及在热压时同时进行电连接 首先向电路基板供给密封树脂的方法的手段; 还提供了使用丙烯酸树脂组合物的半导体器件及其制造方法。 在将具有电极焊盘（14）的电路基板（13）的表面供给密封树脂之后，通过将半导体芯片（10）上的突起电极（11）的位置和电极 电路基板（13）上的焊盘（14）并加热所述半导体芯片（10），密封树脂固化，半导体芯片（10）和电路基板（13）同时电连接; 此时，作为上述密封树脂，使用半导体密封用丙烯酸树脂组合物（30a）。 该丙烯酸树脂组合物的特征在于含有在室温下为液态的热固性丙烯酸树脂，热固性丙烯酸树脂的自由基引发剂，活性剂和无机填料。

公开(公告)号：WO2013175692A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/JP2013/001788

申请日：2013-03-15

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 小塩　哲平 ,  本村　耕治 ,  圓尾　弘樹

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/363 ,  B23K20/10

CPC classification number: B23K35/3612 ,  B23K35/362 ,  B23K35/365 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75349 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81085 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81149 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81912 ,  H01L2224/81914 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体素子の基板への実装において、接合補助剤の残存量の把握を容易にし、接合補助剤の供給量を安定させ、接合補助剤の不足を防止する。また、実装装置のメンテナンスを効率よく行えるようにするために、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒に、着色剤を溶解させることにより調整される、金属同士の接合を補助する接合補助剤を用いる。接合補助剤は、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程を有する製造方法により得られる。

Abstract translation: 本发明允许容易地确定辅助粘合剂的剩余量，使得辅助粘合剂的供给量容易稳定，以防止在将半导体元件安装在基板上时辅助粘合剂不足。 此外，为了实现安装装置的有效维护，使用有助于彼此粘合金属的辅助粘合剂，所述辅助粘合剂已经通过将着色剂溶解在具有除去金属表面氧化物的作用的还原溶剂中来调节 电影。 辅助粘合剂通过包括将除去金属表面氧化物膜的还原剂和可溶于溶剂的着色剂的还原溶剂混合在一起的制造方法获得。

公开(公告)号：WO2014137484A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/US2014/010618

申请日：2014-01-08

Applicant: NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION

Inventor： ZHANG, Chunbo ,  NGO, Peter ,  AKERLING, Gershon ,  LEONG, Kevin M. ,  CHANG-CHIEN, Patty ,  HENNIG, Kelly, J. ,  DEAL, William, R.

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/055 ,  H01L23/14 ,  H01P3/12 ,  H01Q1/22 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L21/76254 ,  H01L23/055 ,  H01L23/147 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1876 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6633 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14215 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/37001 ,  H01P11/002 ,  H01Q13/02 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01079

Abstract: A method of fabricating sub-millimeter wavelength devices comprising one or more MMIC chips. First and second wafers are batch processed, the first wafer being provided with one or more DC through vias and the second wafer being provided with one or more cavities. The first and second wafers are bonded together. An MMIC chip is placed in the cavity of the second wafer. MMICs may be screened prior to integration, and only known-good die integrated. In one implementation an apparatus is provided which is a pixel of a sub-millimeter wavelength focal plane array and which comprises a layered structure with an antenna aligned with at least one cavity of a waveguide layer. In a further implementation sub- millimeter focal plane array comprising the layered device is provided. MMICs of different technologies may be integrated into the same micromachined package.

Abstract translation: 制造包括一个或多个MMIC芯片的亚毫米波长器件的方法。 第一和第二晶片被批量处理，第一晶片设置有一个或多个直流通孔，第二晶片设置有一个或多个空腔。 第一和第二晶片结合在一起。 MMIC芯片放置在第二晶片的空腔中。 MMIC可以在集成之前进行筛选，并且只有已知的模具才能集成。 在一个实施方案中，提供了一种装置，其是亚毫米波长焦平面阵列的像素，并且包括具有与波导层的至少一个空腔对准的天线的分层结构的装置。 在另外的实施例中，提供了包括分层器件的亚毫米焦平面阵列。 不同技术的MMIC可以集成到相同的微加工包装中。

公开(公告)号：WO2013076895A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/JP2012/006030

申请日：2012-09-21

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 小塩　哲平 ,  境　忠彦 ,  石川　隆稔 ,  向島　仁 ,  高倉　憲一 ,  石松　顕 ,  園田　知幸

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　フリップチップボンディング装置は、基板のそれぞれの電極上に接合補助剤を塗布して供給するディスペンサユニットを備え、第１電極と第２電極との間の金属接合を、少なくとも銅を含む金属間の超音波接合として行う際に、少なくとも第１電極と第２電極との接合界面の周囲に還元性を有する接合補助剤が存在する状態にて超音波接合を行うことにより、第１電極と第２電極との接合界面に既に形成されている銅の酸化膜を除去するとともに、超音波接合の実施に伴って接合界面に酸化膜が形成されることを抑制でき、求められる接合強度を確保しながら、少なくとも銅を含む金属間の接合として実現することができ、半導体素子の実装およびその半導体素子を搭載した基盤の製造におけるコスト削減を図ることができる。

Abstract translation: 该倒装芯片接合装置设置有分配器单元，其在基板上的每个电极上提供并施加接合辅助剂。 当第一电极和第二电极之间的金属接合通过至少包含铜的金属之间的超声波接合进行时，可以消除已经形成在第一电极和第二电极的接合界面上的氧化铜膜，并形成 在具有还原性的接合助剂至少存在于第一电极和第二电极的接合界面附近的状态下，通过进行超声波接合可以抑制在接合界面中的氧化物膜与超声波接合的实现。 可以在确保所需的接合强度的同时实现至少含有铜的金属之间的接合，并且可以降低安装半导体元件的半导体元件和制造基板的安装成本。

公开(公告)号：WO2012131817A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/JP2011/005978

申请日：2011-10-26

Applicant: パナソニック株式会社 ,  小塩 哲平 ,  松森 正史 ,  境 忠彦 ,  石川 隆稔

Inventor： 小塩　哲平 ,  松森　正史 ,  境　忠彦 ,  石川　隆稔

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/758 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　第１電極と第２電極との間の金属接合を、少なくとも銅を含む金属間の超音波接合として行う際に、第１電極と第２電極との接触界面を接合補助剤にて覆った状態にて超音波接合を行うことにより、超音波接合の実施に伴って第１電極と第２電極との接合界面に酸化膜が形成されることを抑制できるため、求められる接合強度を確保しながら、第１電極または第２電極を銅を用いた超音波接合を実現することができ、半導体素子の実装におけるコスト削減を図ることができる。

Abstract translation: 在第一电极和第二电极之间的金属接合期间，通过将包括至少铜的金属超声波接合在一起，在第一电极和第二电极的接触表面被接合辅助物覆盖的状态下进行超声波接合 。 可以抑制与超声波接合相关的第一电极和第二电极的接合表面上的氧化膜的形成，因此可以在确保所需的接合强度的同时实现第一电极和第二电极的铜的超声波接合 ，并且可以降低安装半导体元件的成本。

公开(公告)号：WO2017068997A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/JP2016/079894

申请日：2016-10-07

Applicant: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION

Inventor： WAKIYAMA Satoru ,  SHIMIZU Kan ,  HAYASHI Toshihiko ,  NAKAMURA Takuya ,  JYO Naoki

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: An imaging device includes a first semiconductor element including at least one bump pad that has a concave shape. The at least one bump pad includes a first metal layer and a second metal layer on the first metal layer. The imaging device includes a second semiconductor element including at least one electrode. The imaging device includes a microbump electrically connecting the at least one bump pad to the at least one electrode. The microbump includes a diffused portion of the second metal layer, and first semiconductor element or the second semiconductor element includes a pixel unit.

Abstract translation: 成像装置包括第一半导体元件，该第一半导体元件包括至少一个具有凹形形状的凸块焊盘。 所述至少一个凸块焊盘包括在第一金属层上的第一金属层和第二金属层。 成像装置包括具有至少一个电极的第二半导体元件。 成像装置包括将至少一个凸块焊盘电连接到至少一个电极的微凸块。 微凸块包括第二金属层的扩散部分，第一半导体元件或第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：WO2015195052A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/SG2015/050173

申请日：2015-06-22

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH

Inventor： WICKRAMANAYAKA, Sunil ,  XIE, Ling ,  AW, Jerry Jie Li

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/9205

Abstract: A method for chip on wafer bonding is provided. The method includes the formation of a plurality of posts on at least one of a chip and a wafer, and a like plurality of contacts on the other of the chip and the wafer. After formation, a contact surface of each post is planarized, the respective planarized contact surface having a surface roughness height. A bonding material is then applied to at least one of the chip in a thickness no greater than the surface roughness height of the contact surface. The posts are then temporarily bonded to the contacts using the bonding material to stabilize a position of the chip relative to the wafer for permanent diffusion bonding of the chip to the wafer.

Abstract translation: 提供了一种晶片接合芯片的方法。 该方法包括在芯片和晶片中的至少一个上形成多个柱，以及在芯片和晶片的另一个上形成类似的多个触点。 在形成后，每个柱的接触表面被平坦化，相应的平坦化接触表面具有表面粗糙度高度。 然后将接合材料施加到不大于接触表面的表面粗糙度高度的厚度中的至少一个芯片。 然后使用接合材料将柱临时粘接到触点，以稳定芯片相对于晶片的位置，以将芯片永久扩散粘合到晶片。

公开(公告)号：WO2011118146A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/JP2011/001461

申请日：2011-03-14

Applicant: 住友ベークライト株式会社 ,  西川 佳樹

Inventor： 西川　佳樹

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/24

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/81906 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/112 ,  H05K3/0038 ,  H05K3/0097 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3489 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 　回路基板（１）は、導電体が貫通する第一絶縁層（２１）と、第一絶縁層（２１）の一方の側に設けられ、導電体に接続された第一回路層（２２）と、この第一回路層（２２）を被覆するとともに、第一回路層（２２）の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層（２３）と、第二絶縁層（２３）の開口内に設けられ、開口から露出する第一回路層（２２）の一部と接触する金属層（２７）とを備える。また、金属層（２７）は、第一回路層（２２）側から、厚さが０μｍ以上、５５μｍ以下の銅を含む金属層（ａ）（２７１）、厚さが２μｍ以上、１５μｍ以下のニッケルを含む金属層（ｂ）（２７２）、厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下の錫を含む金属層（ｃ）（２７３）がこの順に構成されている。

Abstract translation: 公开了一种配备有被半导体穿透的第一绝缘层（21）的电路板（1） 布置在所述第一绝缘层（21）的一侧的第一电路层（22），连接到所述半导体; 第二绝缘层（23），其掩蔽所述第一电路层（22）并且形成有用于暴露所述第一电路层（22）的一部分的开口; 以及设置在所述第二绝缘层（23）的开口内的金属层（27），其接触通过所述开口暴露的所述第一电路层（22）的一部分。 此外，从第一电路层（22）侧开始，金属层（27）由包含铜的55μm以下的厚度为0μm以上的金属层（a）（271）构成 ; 包括厚度为2μm以上的15μm以下的镍的金属层（b）（272） 和包含30μm以下的锡的金属层（c）（273），其厚度为3μm以上。

公开(公告)号：WO2009133919A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/JP2009/058459

申请日：2009-04-30

Applicant: 神港精機株式会社 ,  大野 恭秀 ,  谷口 慶輔 ,  竹内 達也 ,  萩原 泰三

Inventor： 大野　恭秀 ,  谷口　慶輔 ,  竹内　達也 ,  萩原　泰三

IPC: H05K3/32 ,  B23K31/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3489 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1163 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205

Abstract: 【課題】　被接合物同士の電気的な接触性を悪化させることなく、容易に低温で接合する。 【解決手段】　外部引き出し電極５の表面上に突起電極６を有する半導体チップ２および中間基板３の突起電極８の表面に対して水素ラジカルで酸化膜還元処理を行い、その後、半導体チップ２および中間基板３の外部引き出し電極８および突起電極６の位置合わせを行うと共に、その後、荷重を加えて接合する。

Abstract translation: 彼此粘合的对象在低温下容易粘结，而不会使受试者之间的电接触不恶化。 在外部引出电极（5）的表面上具有突出电极（6）的半导体芯片（2）的表面和中间基板的突出电极（8）的表面进行氧化膜还原处理 3）与氢自由基。 然后，将外部引出电极（8）和半导体芯片（2）的突出电极（6）和中间基板（3）彼此对准并通过施加负载来进行接合。