-
公开(公告)号：CN104051288A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310485415.8
申请日：2013-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L21/187 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L25/50 , H01L2224/03462 , H01L2224/038 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/08112 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80986 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H01L2224/80896 , H01L2224/80801 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/01013 , H01L2924/053 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。
-
公开(公告)号：CN103548129A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201180071145.5
申请日：2011-08-30
申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
摘要： 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：-在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），-使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，-将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。
-
公开(公告)号：CN105489659A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510641258.4
申请日：2015-09-30
申请人： 精材科技股份有限公司
发明人： 黃玉龙
CPC分类号： H01L23/481 , B81B7/007 , B81C1/00238 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2224/02335 , H01L2224/02372 , H01L2224/02379 , H01L2224/038 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05557 , H01L2224/0556 , H01L2224/05568 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/92147 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/181 , H01L2224/48145 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599 , H01L31/02019
摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一基底，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中一感测区或元件区及一导电垫邻近于上表面；一通孔，贯穿第一基底；以及一重布线层，自下表面延伸至通孔内，且与导电垫电性连接，其中重布线层还自下表面横向延伸而突出于第一基底的侧壁。本发明不仅能够提升晶片封装体的感测敏感度，还可缩小晶片封装体的尺寸。
-
公开(公告)号：CN103137589A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210193800.0
申请日：2012-06-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05552 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05693 , H01L2224/11019 , H01L2224/1134 , H01L2224/11823 , H01L2224/11825 , H01L2224/1184 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/16057 , H01L2224/16058 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16503 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48693 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48793 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/48893 , H01L2224/73204 , H01L2224/81009 , H01L2224/81026 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/01029 , H01L2924/01006
摘要： 本发明涉及堆叠封装(PoP)的结构和形成PoP结构的方法。根据一个实施例，结构包括第一衬底、螺柱球、管芯、第二衬底和电连接件。螺柱球与第一衬底的第一表面相接合。管芯附接至第一衬底的第一表面。电连接件与第二衬底连接，以及对应的电连接件与对应的螺柱球相连。
-
公开(公告)号：CN108511409A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810352036.4
申请日：2018-04-19
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/97 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/03 , H01L2224/038
摘要： 本发明揭示了一种半导体芯片的晶圆级封装方法，所述封装方法包括以下步骤：提供晶圆，晶圆具有彼此相对的第一表面以及第二表面，晶圆具有多颗网格排布的芯片，芯片具有感应区以及与感应区电耦合的焊垫；在晶圆的第二表面形成通孔，通孔底部暴露出焊垫；去除相邻两个芯片之间的部分基体；在通孔的底部以及侧壁形成再布线层，再布线层延伸至晶圆的第二表面并与焊垫电连接；在晶圆的第二表面上部以及通孔中形成阻焊层，阻焊层覆盖再布线层；对形成的晶圆级封装结构进行烘烤并进行去除相邻的芯片之间的部分阻焊层；在阻焊层上形成电连接再布线层的电连接端子；对形成的晶圆级封装结构进行切割，以获得多个独立的芯片。
-
公开(公告)号：CN105957817A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610545990.6
申请日：2016-07-12
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
CPC分类号： H01L21/50 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/07 , H01L2224/038
摘要： 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；提供一负压环境，将所述第一晶圆与所述第二晶圆堆叠放置，施加至少一压力在所述第一晶圆和所述第二晶圆的中心区域上。本发明提供的晶圆键合方法，通过提供负压环境实现优化键合晶圆外部区域的键合扭曲度，通过施加至少一压力实现优化键合晶圆中心区域的键合扭曲度，从而整体上优化晶圆键合扭曲度，因此提高后续制程键合晶圆的均一性，进而提升产品的性能。
-
公开(公告)号：CN103283008B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180059481.8
申请日：2011-09-26
申请人： 英闻萨斯有限公司
发明人： 基思·莱克·巴里 , 苏塞特·K·潘格尔 , 格兰特·维拉维森西奥 , 杰弗里·S·莱亚尔
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/293 , H01L23/3185 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/038 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/1131 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13347 , H01L2224/16145 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/244 , H01L2224/245 , H01L2224/24992 , H01L2224/24997 , H01L2224/25175 , H01L2224/2919 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/831 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 一种管芯具有位于互连边缘附近的互连面上的互连焊盘和具有被保形介质涂层覆盖的至少部分互连面，其中，介质涂层上的互连迹线与介质涂层的表面形成高界面角。因为迹线具有高界面角，减轻互连材料横向“渗出”的趋势且避免相邻迹线的接触或重叠。互连迹线包括可固化的导电互连材料，即包括可以以可流动方式施加的材料，然后被固化或被允许固化以形成导电迹线。而且，一种方法包括：在形成迹线之前，对保形介质涂层的表面进行CF4等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN103548129B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201180071145.5
申请日：2011-08-30
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
摘要： 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：‑在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），‑使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，‑将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。
-
公开(公告)号：CN104934334A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410446951.1
申请日：2014-09-03
申请人： 株式会社东芝
发明人： 柴田浩延
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/038 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05084 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2924/01327 , H01L2924/13064 , H01L2224/05083 , H01L2224/05111 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种可实现电极与焊料的适当接合的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置包括含有第1金属元素的电极层。而且，所述装置包括金属层，所述金属层设于所述电极层上，且含有所述第1金属元素及与所述第1金属元素不同的第2金属元素。而且，所述装置包括焊料层，所述焊料层是在所述金属层上与所述电极层相隔而设，且含有所述第2金属元素。
-
公开(公告)号：CN103283008A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180059481.8
申请日：2011-09-26
申请人： 英闻萨斯有限公司
发明人： 基思·莱克·巴里 , 苏塞特·K·潘格尔 , 格兰特·维拉维森西奥 , 杰弗里·S·莱亚尔
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/293 , H01L23/3185 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/038 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/1131 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13347 , H01L2224/16145 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/244 , H01L2224/245 , H01L2224/24992 , H01L2224/24997 , H01L2224/25175 , H01L2224/2919 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/831 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 一种管芯具有位于互连边缘附近的互连面上的互连焊盘和具有被保形介质涂层覆盖的至少部分互连面，其中，介质涂层上的互连迹线与介质涂层的表面形成高界面角。因为迹线具有高界面角，减轻互连材料横向“渗出”的趋势且避免相邻迹线的接触或重叠。互连迹线包括可固化的导电互连材料，即包括可以以可流动方式施加的材料，然后被固化或被允许固化以形成导电迹线。而且，一种方法包括：在形成迹线之前，对保形介质涂层的表面进行CF4等离子体处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.012 秒)
