公开(公告)号：CN103715168B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310464626.3

申请日：2013-10-08

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金兴圭

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种封装结构，该封装结构包括：绝缘层；裸片，嵌入绝缘层的一个表面中；金属柱，形成在裸片的表面上并且延伸至绝缘层的另一表面；以及第一金属图案，形成在绝缘层的另一表面上并且电连接至金属柱。根据本发明的封装结构能够提供制造效率。

公开(公告)号：CN107818965A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710733703.9

申请日：2017-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金钟润 ,  李锡贤

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379

摘要： 可以提供一种半导体封装件和制造再分布图案的方法，所述半导体封装件包括再分布基底和安装在再分布基底上的半导体芯片，半导体芯片在其一个表面上具有导电焊盘。再分布基底可以包括：第一钝化图案，位于导电焊盘上，第一钝化图案暴露导电焊盘的一部分；再分布图案，覆盖导电焊盘的被第一钝化图案暴露的部分，并围绕第一钝化图案。

公开(公告)号：CN107808860A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710475431.7

申请日：2017-06-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全炯俊 ,  李来寅 ,  朴炳律

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/045 ,  H01L23/047 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L24/02 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379

摘要： 本发明提供一种叠层封装型的半导体封装，其包含：下部封装，所述下部封装包含：印刷电路板(printed circuit board，PCB)衬底，所述PCB衬底包含多个基底层以及穿透多个基底层的腔室；第一半导体芯片，其在所述腔室中；重布线结构，其在PCB衬底的第一表面上并且在第一半导体芯片的有源表面上；第一覆盖层，其覆盖重布线结构；以及第二覆盖层，其覆盖PCB衬底的第二表面和第一半导体芯片的无源表面；以及上部封装，其在下部封装的第二覆盖层上并且包含第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN107768322A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710622268.2

申请日：2017-07-27

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 王维仁

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/50

摘要： 本案之揭示内容之至少一些实施例系关于一种半导体器件封装。该半导体器件封装包括一第一基板、设置在该第一基板上的一电子部件、设置在该电子部件上方的一第二基板、一粘合层、一间隔物及一包封层。该粘合层设置在该电子部件和该第二基板之间。该间隔件直接接触该粘合层和该第二基板。该包封层设置在该第一基板和该第二基板之间。

公开(公告)号：CN104882435B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410442942.5

申请日：2014-09-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 封装件包括器件管芯、位于器件管芯下面的多个第一重布线、位于器件管芯上面的多个第二重布线、以及与多个第二重布线位于相同金属层内的金属焊盘。激光标记位于金属焊盘上面的介电层内。激光标记与金属焊盘重叠。

公开(公告)号：CN103094131B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201210431122.7

申请日：2012-11-01

申请人： 弗莱克斯电子有限责任公司

发明人： 塞缪尔·塔姆 ,  布莱恩·李思克朋 ,  迪克·庞

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H05K1/0296 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/111 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本文公开一种利用激光直接结构化的堆叠式封装体。堆叠式封装体包括附连到基板的晶粒。晶粒用激光直接结构化模制材料包封。激光直接结构化模制材料被激光激活以在激光直接结构化模制材料的顶表面和侧表面上形成电路走线。然后，电路走线经受金属化。然后，封装体附连到已金属化的电路走线，并经由已金属化的电路走线电连接到基板。

公开(公告)号：CN104617088B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310577966.7

申请日：2013-11-14

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 徐逐崎 ,  王隆源 ,  江政嘉 ,  施嘉凯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T428/192 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体封装件及其制法与基板暨封装结构，该半导体封装件的制法，先藉由多个支撑组件叠放第二基板于第一基板上，且该第二基板具有至少一贯通的清理孔，再进行清理该支撑组件的作业，并利用该清理孔清理该第二基板与该第一基板之间的空间。

公开(公告)号：CN107527895A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710479941.1

申请日：2017-06-22

申请人： 3D加公司

发明人： C·巴尔

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L23/31

摘要： 本发明的主题为一种集体制造配置成在高于1GHz下工作的3D电子组件的方法，每个3D电子组件包括在其工作温度和频率下经测试的至少两个表面可转移的球栅型电子封装的堆叠。所述方法包括：根据下述子步骤按照如下次序来制造重构晶片：将电子封装在球侧放置第一粘性表层上，在树脂中模塑电子封装并且进行树脂的聚合，以获得过渡晶片，在过渡晶片的与球相对的面上对过渡晶片进行减薄，去除第一粘性表层并且在与球相对侧将过渡晶片放置在第二粘性表层上，在球侧的面上对过渡晶片进行减薄，形成球侧的再分配层，去除第二粘性表层以得到厚度比电子封装的原始厚度更小的重构晶片，堆叠重构晶片，切割经堆叠的重构晶片。

公开(公告)号：CN104465528B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201310432558.2

申请日：2013-09-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王美丽 ,  孙宏达 ,  刘凤娟

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/02 ,  H05K3/00 ,  H05K1/02

CPC分类号： H05K1/028 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/00 ,  H01L25/105 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5228 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/022 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2203/0235 ,  H05K2203/068 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种柔性基板的制备方法和柔性基板预制组件，柔性基板包括电子器件和设置有电子器件的柔性层，在支撑基板的中间部分设置与支撑基板粘贴的单面粘性层，还在支撑基板的四周设置双面粘性层；在单面粘性层和双面粘性层的表面设置柔性层，在柔性层表面对应单面粘性层的区域内设置电子器件，沿电子器件的边界切断柔性层以得到可以从单面粘性层上取下的柔性基板。采用本发明提供的方法和柔性基板预制组件，可以对柔性层进行固定并保持其平坦度，有利于电子器件的精确对位；可以对柔性层进行均匀的剥离，剥离后的柔性层背面不会有残留，并且剥离时不需要使用高能激光束，可以有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN104282649B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310421738.0

申请日：2013-09-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  洪瑞斌 ,  蔡柏豪

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，扇出型封装件包括模塑料、导电插塞和应力缓冲层。导电插塞位于模塑料中。应力缓冲层位于导电插塞和模塑料之间。应力缓冲层具有热膨胀系数（CTE）。应力缓冲层的CTE介于模塑料的CTE和导电插塞的CTE之间。制造三维半导体封装件的方法包括：在衬底上镀柱形件，并且在柱形件的侧壁上设置应力缓冲层。该方法进一步包括：用模塑料围绕应力缓冲层。