公开(公告)号：CN104769714A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380052412.3

申请日：2013-02-26

申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司

发明人： S.库马尔 ,  邱进添 ,  黄大成 ,  吕忠 ,  Z.纪

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠以允许使用短引线键合体在半导体器件内提供大量半导体裸芯。

公开(公告)号：CN104520979A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380020754.7

申请日：2013-03-18

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： J·布格拉夫 ,  M·温普林格 ,  H·韦斯鲍尔 ,  A·西格尔

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及在分布于衬底(1)表面(1o)上的芯片位置(1c)将芯片(4)固定到衬底(1)上的方法，在衬底(1)上形成或者涂覆功能层(7)(例如具有B阶特性的聚合物)，至少在触点(2)的区域中暴露所述的功能层，在芯片位置(1c)将芯片(4)固定到功能层(7)的芯片接触侧(7o)上，通过接触元件(3)与触点(2)形成接触。暴露功能层区域还可以包括暴露布置在芯片位置(1c)之外的表面(1o)的自由面(1f)和形成始于触点(2)终于自由面(1f)的沟道(5)。所主张的解决方案能改善芯片的电接触，同时能提高定位精度，因为接触元件不必贯穿功能层，并且也扩大了功能层可用材料的选择范围，因为既不需要毛细作用将功能层加入到芯片和衬底表面之间，也不需要使用排挤力利用接触元件贯穿功能层。

公开(公告)号：CN104508069A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040479.5

申请日：2013-08-02

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 若山洋司 ,  市川功 ,  阿久津高志

IPC分类号： C09J201/00 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J7/0235 ,  C08F220/18 ,  C08G18/10 ,  C08G18/755 ,  C08G18/8029 ,  C08K5/5419 ,  C08L33/068 ,  C08L61/00 ,  C08L63/04 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J7/405 ,  C09J133/00 ,  C09J133/068 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J175/16 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/1405 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/463 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/00 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/20 ,  C08F220/14 ,  C08G18/672 ,  C08G18/4825 ,  C08F2220/1858

摘要： 本发明的膜状粘接剂是含有粘合剂树脂(A)、环氧树脂(B)、热固化剂(C)和填料(D)的膜状粘接剂，其中，D65标准光源的全光线透射率为70%以上，雾度值为50%以下。本发明提供在倒装安装方法中，可在规定位置正确地将半导体芯片进行小片键合，同时能够制造具有高的封装可靠性的半导体装置的膜状粘接剂和使用其的半导体接合用粘接片。

公开(公告)号：CN102169817B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201110060486.4

申请日：2005-09-30

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 田中麻衣子 ,  宇留野道生 ,  松崎隆行 ,  古谷凉士 ,  增野道夫 ,  稻田祯一

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L24/28 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T156/1082 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/2839 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。

公开(公告)号：CN103907183A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280033045.8

申请日：2012-06-29

申请人： 汉高美国知识产权有限责任公司

发明人： R·佩迪 ,  J·加萨 ,  栗山贤治 ,  H·余

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供由半导体晶片和在所述半导体晶片的背侧上的粘合剂涂层制备半导体芯片的方法，所述半导体晶片具有通过在所述晶片顶侧上切割线而分隔的多个制造区域，所述方法包括：施加排斥材料至其中所述粘合剂涂层不旨在被印刷的所述制造区域和切割线；施加所述粘合剂涂层至所述晶片的背侧；去除所述排斥材料；以及沿所述切割线将所述晶片分离成单独的芯片。

公开(公告)号：CN103515351A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310245378.3

申请日：2013-06-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 约阿希姆·马勒 ,  哈利勒·哈希尼

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/07812 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本文公开了一种器件接触、电器件封装件以及制造电器件封装件的方法。在一个实施方式中，电器件包括：部件，包括部件接触区域；以及载体，包括载体接触区域。该电器件进一步包括第一导电连接层和第二连接层，该第一导电连接层连接部件接触区域和载体接触区域，其中，该第一导电连接层覆盖部件接触区域的第一区域，该第二连接层连接部件接触区域和载体接触区域，其中，该第二连接层覆盖部件接触区域的第二区域，并且其中，第二连接层包括聚合物层。

公开(公告)号：CN103377951A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310137491.X

申请日：2013-04-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.菲尔古特 ,  K.霍赛尼 ,  J.马勒 ,  M.门格尔

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/743 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27438 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4814 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，第一半导体元件被安装在载体上。b阶段可固化聚合物被沉积在载体上。第二半导体元件被附着在该聚合物上。

公开(公告)号：CN103370783A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067645.1

申请日：2011-12-14

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德 ,  皮尤什·萨瓦利亚 ,  克雷格·米切尔

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  B81C1/00 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 使第一微电子元件与第二微电子元件结合的方法包括，使其内包含有源电路元件(108)的第一基板(100)与第二基板(112)挤压在一起，可流动介电材料(102)设置在各基板的相面对表面之间，第一基板(100)和第二基板(112)中每个都具有小于每摄氏度百万分之十的热膨胀系数，相面对表面中至少一个具有从此表面的边缘延伸的复数个通道(118A-118F)，使得相面对表面所限定的平面之间的介电材料(102)基本上无空穴且具有超过1微米的厚度，且至少一些介电材料(102)流入至少一些通道内。

公开(公告)号：CN102217040B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200980146737.1

申请日：2009-11-11

申请人： 电气化学工业株式会社

发明人： 齐藤岳史 ,  高津知道

IPC分类号： H01L21/301

CPC分类号： H01L21/78 ,  B32B7/12 ,  B32B25/12 ,  B32B25/14 ,  B32B27/08 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/30 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B2270/00 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/21 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的为通过预先降低紫外线固化型粘合剂的粘合力并同时提高凝集力的方式来抑制在切割后对带有粘合剂半固化层的芯片进行拾取时发生的拾取不良。本发明提供一种带有粘合剂半固化层的半导体晶圆的切割方法，该方法包括：粘合剂半固化层形成工序，在半导体晶圆的背面涂布膏状粘合剂并且对该膏状粘合剂进行加热或利用紫外线照射，使得膏状粘合剂半固化为片状，从而形成粘合剂半固化层；贴合工序，将在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂后所得的粘合片贴合于上述粘合剂半固化层上；紫外线照射工序，对上述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在上述粘合片上的上述粘合剂半固化层和上述半导体晶圆进行切割。

公开(公告)号：CN103250235A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180057887.2

申请日：2011-11-29

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 森修一

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种带粘接剂层的半导体晶片，其具备半导体晶片和形成于半导体晶片的一个面上的粘接剂层，粘接剂层形成在比半导体晶片的周缘部更靠近内侧处。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体晶片的一个面的比周缘部更靠近内侧处形成由粘接剂形成的粘接剂层的工序；和对粘接剂层进行B阶化的工序。