半导体器件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104009010B

    公开(公告)日:2018-03-09

    申请号:CN201410066975.4

    申请日:2014-02-26

    发明人: 米田秀司

    IPC分类号: H01L23/48

    摘要: 一种半导体器件,包括半导体芯片(12)、布置在第一方向上的多个端子(14)、密封半导体芯片和端子的树脂部分(16)。端子在第二方向上从树脂部分的侧表面突出,并包括具有第一部分(22)和第二部分(24)的至少一个附属端子。在附属端子中,第一部分的第一纵向端位于树脂部分内部,且第二部分布置成相邻于第一部分。此外,在第三方向上第一部分的长度(H1)大于第二部分的长度(H2),且在第一方向上第一部分的长度(W1)小于第二部分的长度(W2)。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103681382A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201210333073.3

    申请日:2012-09-10

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/485

    CPC分类号: H01L21/4853 H01L23/4822

    摘要: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一种示例方法可以包括:在半导体衬底上形成栅极和源/漏区;在所述源/漏区上外延生长牺牲源/漏;在半导体衬底上形成层间电介质层,并对其进行平坦化,以露出牺牲源/漏;以及去除至少一部分牺牲源/漏,并在去除所述至少一部分牺牲源/漏而形成的孔中填充导电材料。