公开(公告)号：WO1996041030A1

公开(公告)日：1996-12-19

申请号：PCT/US1996009082

申请日：1996-06-05

申请人： ALUMINUM COMPANY OF AMERICA ,  PREMKUMAR, M., K. ,  SAWTELL, Ralph, R. ,  PHELPS, Frankie, E. ,  DERKACY, James, A. ,  YUN, David, I.

发明人： ALUMINUM COMPANY OF AMERICA

IPC分类号： C22C01/10

CPC分类号： B22D17/14 ,  B22D19/14 ,  B22F3/26 ,  C04B41/51 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C22C1/1036 ,  C22C47/06 ,  C22C2001/1021 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/053 ,  H01L23/06 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/1616 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/053 ,  H05K3/101 ,  H05K3/44 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/128 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： A method of fabricating metal matrix composites (MMCs) having high thermal conductivity coupled with coefficient of thermal expansion (CTE) values which approximates the CTE of ceramics and semiconductor materials typically used in electronic packaging. The method comprises preparing a formed agglomeration of powder particles (preform); partially sintering the preform; placing the partially sintered preform into a forming chamber; infiltrating the preform with liquid-phase metal; and allowing the liquid-phase metal to solidify and form an MMC around and through the preform. In a preferred embodiment, the preform is constructed from silicon carbide, and the metal matrix is an aluminum-silicon alloy.

摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于制造具有一个热膨胀系数，其值接近那些通常用于陶瓷材料和半导体的热膨胀系数的相关联的高导热性的金属基复合材料 电子元件封装。 该方法包括：制备由粉末颗粒形成的团聚体（预成型体）; 部分烧结预成型件，将部分烧结的预成型件放置在成型室中，用液相金属渗入预成型件; 通过围绕并穿透预成型件，允许液相中的金属凝固并形成金属基质复合材料。 在一个优选实施例中，预成型件由碳化硅制成并且金属基体由铝 - 硅合金构成。

公开(公告)号：WO1996036450A2

公开(公告)日：1996-11-21

申请号：PCT/US1996006824

申请日：1996-05-13

申请人： ALUMINUM COMPANY OF AMERICA ,  SAWTELL, Ralph, R. ,  PREMKUMAR, M., K. ,  YUN, David, I.

发明人： ALUMINUM COMPANY OF AMERICA

IPC分类号： B22D19/00

CPC分类号： C04B41/009 ,  B22D17/14 ,  B22D19/14 ,  C04B41/51 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00931 ,  C22C1/1036 ,  C22C47/06 ,  C22C2001/1021 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/053 ,  H01L23/06 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3733 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/053 ,  H05K3/101 ,  H05K3/44 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/128 ,  Y10T428/12486 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/4592 ,  C04B41/5053 ,  C04B41/53 ,  C04B41/5338 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a metal matrix composite (30) containing electrically isolated areas (34, 36, 38) and the MMC (30) formed from the method. The method comprises: (a) providing a liquid pool of unreinforced aluminum alloy; (b) infiltrating the unreinforced aluminum alloy (46) into a stack comprising upper and lower porous preforms and an electrical insulator material (42) placed between the preforms; (c) solidiying the liquid-phase metal to form a metal matrix composite product that completely surrounds the stack; and (d) forming at least one groove in the solidified metal, the groove extending downward to the insulating substrate so as to electrically isolate at least one region on the surface of the metal matrix composite.

摘要翻译： 一种制造包含由该方法形成的电隔离区域（34,36,38）和MMC（30）的金属基质复合材料（30）的方法。 该方法包括：（a）提供非增强铝合金液池; （b）将未增强的铝合金（46）浸入包括上部和下部多孔预成型件的堆叠以及放置在预成型件之间的电绝缘材料（42）; （c）固化液相金属以形成完全围绕堆叠的金属基复合材料产品; 和（d）在固化的金属中形成至少一个槽，所述槽向下延伸到绝缘基板，以便电隔离金属基质复合材料表面上的至少一个区域。

公开(公告)号：WO1994015366A1

公开(公告)日：1994-07-07

申请号：PCT/JP1993001850

申请日：1993-12-21

申请人： OHMI, Tadahiro ,  SHIMADA, Hisayuki ,  HIRAYAMA, Masaki

IPC分类号： H01L29/784

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/316 ,  H01L23/142 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78639 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： This semiconductor device has a large capacity of power driving, and can operate at a high speed. A first semiconductor region of a first conductivity type is formed on a metal substrate through a first insulating film. In the first semiconductor region, first source and drain regions of a second conductivity type are formed. Further, on the region which isolates the first source and drain regions, a first metallic gate electrode is formed through a second insulating film.

摘要翻译： 该半导体装置具有大容量的动力驱动，能够高速运转。 通过第一绝缘膜在金属基板上形成第一导电类型的第一半导体区域。 在第一半导体区域中，形成第二导电类型的第一源区和漏区。 此外，在隔离第一源区和漏区的区域上，通过第二绝缘膜形成第一金属栅电极。

公开(公告)号：WO1986003337A1

公开(公告)日：1986-06-05

申请号：PCT/US1985002120

申请日：1985-10-28

申请人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY

发明人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  VITRIOL, William, A. ,  BROWN, Raymond, L.

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L23/142 ,  H01L21/4867 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/4664 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49163 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014

摘要： Process for manufacturing hybrid circuit boards which includes providing an insulating substrate (10) with a conductive pattern (12) thereon and then firing a glass-ceramic tape layer (14) to the surface of the substrate (10). This tape layer (14) provides both electrical isolation and electrical connections between the substrate (10) and electrical conductors or electronic components which are subsequently bonded to or mounted on the top surface of the glass-ceramic tape layer (14). By providing vertical electrical conductors through vias in the tape layer (14) prior to firing the tape layer (14) directly on the substrate (10), good X and Y lateral dimension stability of the tape material is maintained. In addition, a high quality thick film glass-ceramic electrical isolation is achieved at a relatively low manufacturing cost.

摘要翻译： 制造混合电路板的方法，其包括在其上提供具有导电图案（12）的绝缘基板（10），然后将玻璃 - 陶瓷带层（14）烧制到所述基板（10）的表面。 该带层（14）提供衬底（10）与随后接合或安装在玻璃 - 陶瓷带层（14）的顶表面上的电导体或电子部件之间的电气隔离和电连接。 通过在将带层（14）直接烧制在基材（10）上之前，通过在带层（14）中通过通孔提供垂直电导体，保持带材料的良好的X和Y横向尺寸稳定性。 此外，以相对低的制造成本实现了高质量的厚膜玻璃 - 陶瓷电隔离。

公开(公告)号：WO2017144599A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/EP2017/054208

申请日：2017-02-23

申请人： ABB SCHWEIZ AG ,  AUDI AG

发明人： MOHN, Fabian ,  SCHUDERER, Jürgen ,  TRAUB, Felix

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01L25/07 ,  H05K1/18 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/5383 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/183 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10318

摘要： A power module (10) comprises at least one power semiconductor device (15a, 15b) with an electrical topcontact area (28b) on a top side; and a multi-layer circuit board (12) with multiple electrically conducting layers (16a, 16b, 18) which are separated by multiple electrically isolating layers (20), the electrically isolating layers (20) being laminated together with the electrically conducting layers (16a, 16b, 18); wherein the multi-layer circuit board (12) has at least one cavity (14), which is opened to a top side of the multi-layer circuit board (12), which cavity (14) reaches through at least two electrically conducting layers (16a, 16b, 18); wherein the power semiconductor device (15a, 15b) is attached with a bottom side to a bottom of the cavity (14); and wherein the power semiconductor device (15a, 15b) is electrically connected to a top side of the multi-layer circuit board (12) with a conducting member (26a, 26b) bonded to the top contact area (28b) and bonded to the top side of the multi-layer circuit board (12).

摘要翻译： 功率模块（10）包括至少一个功率半导体器件（15a，15b），所述至少一个功率半导体器件（15a，15b）在顶侧上具有电顶端接触区域（28b） 和具有由多个电隔离层（20）隔开的多个导电层（16a，16b，18）的多层电路板（12），所述电隔离层（20）与所述导电层 16a，16b，18）; 其中所述多层电路板（12）具有至少一个空腔（14），所述空腔（14）向所述多层电路板（12）的顶侧开放，所述空腔（14）通过至少两个导电层 （16a，16b，18）; 其中，所述功率半导体器件（15a，15b）的底侧连接到所述腔体（14）的底部; 并且其中所述功率半导体器件（15a，15b）通过结合到所述顶部接触区域（28b）的导电构件（26a，26b）电连接到所述多层电路板（12）的顶侧，并且结合到所述多层电路板 多层电路板（12）的顶侧。

公开(公告)号：WO2017060140A3

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：PCT/EP2016073102

申请日：2016-09-28

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO KG

发明人： HINRICH ANDREAS ,  DUCH SUSANNE ,  MIRIC ANTON ,  SCHÄFER MICHAEL

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34 ,  H05K3/36

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83898 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781

摘要： The invention relates to a method for producing a substrate arrangement (10, 10") for connecting to an electronic component (30), comprising the steps of: providing a substrate (11) that has a first side (12) and a second side (13), applying a contacting material layer (15) to the first side (12) of said substrate (11), and applying a pre-fixation agent (18) to at least some sections of a side (16) of the contacting material layer (15) that faces away from said substrate (11). The invention also relates to a corresponding substrate arrangement (10, 10") and to a corresponding method for connecting at least one electronic component (30) to the substrate arrangement (10, 10"). The claimed measures provide for sufficient handling strength during transportation from the place of assembly to the place of connection. The contacting material layer (15) should preferably be applied across the whole surface, or close to the whole surface, on the first side (12) of the substrate (11). The substrate (11), with the applied contacting material layer (15) and the applied pre-fixation agent (18), can be positioned detachably on a carrier (20). When connecting to the electronic component (30, 30'), the substrate arrangement (10, 10") is sintered, crimped, soldered and/or bonded thereto. The substrate (11) can be a metal sheet or a metal strip section, particularly a copper sheet or a copper strip section, a lead frame, a DCB substrate or a PCB substrate. The electronic component (30) can be a semiconductor, a DCB substrate or a PCB substrate.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于连接到一个电子元件（30）一种制造基板组件（10，10“），其包括以下步骤：提供具有第一侧（12）和第二侧（13）的基板（11），应用 在基板（11），至少分批施加Vorfixiermittels从接合材料层（15）的基板（11）侧（16）的面向远离（18）。在本发明的第一侧（12）的接合材料层（15） 对应的基板组件（10,10“）和用于与所述基板组件（10，10“）连接至少一个电子元件（30）的相应的方法。本发明的措施是从Bestückens的地方接合的地方运输过程中是指一种足够 输送阻力生成。接合材料层（15）应该优选在所述基板的所述第一侧（12）的整个表面或大致整个表面 它（11）被应用。 在基板（11）在施加粘接材料层（15）和沉积Vorfixiermittel（18）可以可拆卸地在载体（20）进行定位。 基板组件（10，10“）是，连接到所述电子元件（30，30“）时被烧结与此，按压，焊接和/或粘合。在基板（11），金属板或金属条部分，尤其是铜板或铜带部 是引线框架，一个DCB-衬底或PCB基板的电子部件（30）可以是半导体，DCB-衬底或PCB基板。

公开(公告)号：WO2016190440A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/JP2016/065838

申请日：2016-05-27

申请人： NGKエレクトロデバイス株式会社 ,  日本碍子株式会社

发明人： 森　樹一郎

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/3735 ,  B32B3/263 ,  B32B3/30 ,  B32B7/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B18/00 ,  B32B37/06 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302 ,  B32B2311/12 ,  B32B2315/02 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/36

摘要： 【課題】半導体素子からの発熱を速やかに放熱させることができると共に、セラミックス板と銅板の接合界面での剥離や、セラミックス板へのクラックの発生を回避することができるパワーモジュール用基板を提供する。 【解決手段】半導体素子１４を搭載することを目的としたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス板１１と、セラミックス板１１の主面に形成された回路銅板１２と、セラミックス板１１の主面の反対の面に形成された放熱銅板１３とを有し、回路銅板１２は少なくとも１の第１の回路銅板１２ａと、この第１の回路銅板１２ａ以外の少なくとも１の第２の回路銅板１２ｂとからなり、第１の回路銅板１２ａは、半導体素子１４が載置される第１のエリア部１５ａと、第１の回路銅板１２ａの外側で第１のエリア部１２ａを囲むように配され第１のエリア部１５ａより銅板の厚みが薄い第２のエリア部１５ｂを有しているパワーモジュール用基板。

摘要翻译： 本发明提供能够及时散发由半导体元件产生的热量的功率模块用基板，其能够防止在陶瓷板与铜板之间的接合界面处分离， 在陶瓷板上破裂。 [解决方案]用于功率模块的基板10，其上安装有半导体元件14，并且包括陶瓷板11，形成在陶瓷板11的主表面上的电路铜板12和热量 形成在陶瓷板11的表面上的消耗铜板13，所述表面位于主表面的相反侧。 电路铜板12至少由一个第一电路铜板12a和与第一电路铜板12a不同的至少一个第二电路铜板12b组成。 第一电路铜板12a具有：安装有半导体元件14的第一区域15a; 以及第二区域15b，其布置成围绕第一电路铜板12a的外侧上的第一区域15a，并且具有比第一区域15a更薄的铜板厚度。

公开(公告)号：WO2016188702A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/EP2016/059517

申请日：2016-04-28

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： SCHWARZ, Thomas ,  ZITZLSPERGER, Michael

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/641 ,  H01L23/142 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075

摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einem Trägerelement (100) angegeben mit den Schritten: - Herstellung des Trägerelements (100), aufweisend die Schritte : A) Bereitstellen einer ersten Metallschicht (1) mit einem ersten Metallmaterial, wobei die erste Metallschicht (1) eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (10, 11) aufweist, die voneinander abgewandt sind, B) Aufbringen einer zweiten Metallschicht (2) mit einem zweiten Metallmaterial auf zumindest einer der Hauptoberflächen (10, 11), C) Umwandeln eines Teils der zweiten Metallschicht (2) in eine dielektrische Keramikschicht (3), wobei das zweite Metallmaterial einen Bestandteil der Keramikschicht (3) bildet und die Keramikschicht (3) eine der ersten Metallschicht (1) abgewandte Oberfläche (30) über der zweiten Metallschicht (2) bildet; - Anordnung zumindest eines elektronischen Halbleiterchips (21) auf dem Trägerelement (100). Weiterhin wird ein elektronisches Bauelement mit einem Trägerelement (100) angegeben.

摘要翻译： 它是一种用于制造电子元件，其包括设置有以下步骤的支撑构件（100）的方法： - 生产所述支撑元件（100）的方法，包括以下步骤：A）提供（1），具有第一金属材料，其中，所述第一金属层的第一金属层 （1）第一和第二主表面（10，11），其从相互背向，B）将第二金属层（2）与转换部上的主表面中的至少一个（10，11的第二金属材料），C） 所述第二金属层（2）的面向远离在电介质陶瓷层（3），其中，所述第二金属材料是在所述第二金属层的陶瓷层（3）和所述陶瓷层的第一金属层（3）（1）表面（30）的一部分（2 ）表格; - 布置在承载元件（100）上的至少一个电子的半导体芯片（21）。 此外，电子设备被提供有一个载体元件（100）。

公开(公告)号：WO2016103536A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/JP2015/003933

申请日：2015-08-05

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 上田　直人 ,  大森　弘治 ,  吉田　隆幸 ,  本藤　拓磨

IPC分类号： H01S5/024 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01S5/042

CPC分类号： H01L23/3731 ,  H01L23/06 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/861 ,  H01L2023/4043 ,  H01L2023/4068 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00

摘要： 　本開示に係る半導体装置は、導電性の第１の電極ブロックと、導電性のサブマウントと、絶縁層と、半導体素子と、導電性のバンプと、導電性の第２の電極ブロックとを有する。サブマウントは、第１の電極ブロックの上面の第１の領域に設けられ、第１の電極ブロックと電気的に接続される。半導体素子は、サブマウントの上に設けられ、サブマウントと電気的に接続された第１の電極を有する。バンプは、半導体素子の第１の電極とは反対側の第２の電極の上面に設けられ、第２の電極と電気的に接続される。また、第２の電極ブロックの下面は、第３の領域において、導電性を有する金属層を介してバンプと電気的に接続されている。また、金属層とバンプとの間には、導電性を有する金属シートが設けられている。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其具有导电的第一电极块，导电子座，绝缘层，半导体元件，导电凸块和导电的第二电极块。 子安装件设置在第一电极块的上表面的第一区域中，并且电连接到第一电极块。 半导体元件设置在子安装座上，并且具有与子安装座电连接的第一电极。 在第一电极的相反侧的半导体元件侧的第二电极的上表面上设置凸点，并与第二电极电连接。 在第三区域中，第二电极块的下表面经由导电金属层电连接到凸块。 在金属层和凸块之间设置导电金属片。

公开(公告)号：WO2015169401A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/EP2014/068739

申请日：2014-09-03

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： SCHÄFER, Michael ,  DUCH, Susanne Klaudia

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/4867 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H05K3/007 ,  H05K3/207 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： Verfahren zum Aufbringen mehrerer diskreter Schichtfragmente aus getrockneter Metallsinterzubereitung auf vorbestimmte, elektrisch leitfähige Oberflächenanteile eines Trägers für Elektronikbauteile, umfassend die Schritte: (1) Aufbringen mehrerer diskreter Schichtfragmente aus Metallsinterzubereitung auf eine Seite eines ebenen Transfersubstrats in zu den vorbestimmten, elektrisch leitfähigen Oberflächenanteilen spiegelbildlicher Anordnung, (2) Trocknen der so aufgebrachten Metallsinterzubereitung unter Vermeidung des Sinterns, (3) Anordnen und Inkontaktbringen des Transfersubstrats mit den Schichtfragmenten aus getrockneter Metallsinterzubereitung zur Oberfläche des Trägers für Elektronikbauteile hin gewandt und unter Sicherstellung einer deckungsgleichen Positionierung der mit der getrockneten Metallsinterzubereitung versehenen Oberflächenanteile des Transfersubstrats und der vorbestimmten, elektrisch leitfähigen Oberflächenanteile des Trägers für Elektronikbauteile, (4) Anwenden von Presskraft auf die in Schritt (3) geschaffene Kontaktanordnung, und (5) Entfernen des Transfersubstrats von der Kontaktanordnung, wobei die Haftkraft der getrockneten Metallsinterzubereitung nach Abschluss von Schritt (4) gegenüber den vorbestimmten, elektrisch leitfähigen Oberflächenanteilen des Trägers für Elektronikbauteile größer ist als gegenüber der Oberfläche des Transfersubstrats, wobei es sich bei dem ebenen Transfersubstrat um eine nicht sinterbare und gegebenenfalls beschichtete Metallfolie oder um eine thermoplastische Kunststofffolie handelt, wobei der Träger für Elektronikbauteile ein Substrat mit einer ebenen, eine oder mehrere Vertiefungen von 10 bis 500 μm aufweisenden Oberfläche darstellt und zugleich aus der Gruppe bestehend aus Stanzgittern, Keramiksubstraten, DCB-Substraten und Metallverbundwerkstoffen ausgewählt ist, und wobei sich mindestens ein vorbestimmter, elektrisch leitfähiger Oberflächenanteil in einer Vertiefung befindet. Der Träger für Elektronikbauteile kann schon mit einem oder mehreren Elektronikbauteilen bestückt sein. Das Trägersubstrat kann Aussparungen für auf dem Träger schon vorhandene Elektronikbauteile aufweisen. Der mit getrockneter Metallsinterzubereitung versehene Träger für Elektronikbauteile wird in einem Verfahren verwendet, in welchem zunächst eine Sandwichanordnung aus dem mit getrockneter Metallsinterzubereitung versehenen Träger für Elektronikbauteile und Elektronikbauteilen geschaffen und danach die Sandwichanordnung einem Sinterprozess unterworfen wird.

摘要翻译： 施加多个干燥的金属烧结制备的用于电子元件的支撑件的预定导电表面部分分立层片段，其包括以下步骤的方法：（1）将多个由烧结金属组成的离散层片段的在平面转印基板的一侧镜像到预定导电表面部分布置， （2）干燥由此施加的金属烧结制备，同时避免烧结，（3）的面向定位，并用干燥的金属烧结组合物的层片段转移衬底接触到载体为电子部件的表面和同时确保提供与转印基板的干燥的金属烧结制备的表面部分的全等定位 用于电子部件的支撑和预定导电表面部分，（4 ）施加按压力到在步骤（3）中创建的接触组件，以及（5）除去从接触组件中的转印用基板，其特征在于，步骤结束后的干燥的金属烧结制备的粘合力（4）相对于所述载体的所述预定的，导电表面部分，用于电子元件是更大的 是相比于转印基板的表面上，是一个非烧结的和任选的涂覆的金属箔或在平面转印基板的热塑性塑料薄膜，其中，用于电子元件的载体，使用具有平的，为10〜500微米的一个或多个凹部的基板 表示选择具有在同一时间和选自引线框，陶瓷基板，DCB衬底和金属的复合材料组成的组的表面，并且其中至少一个预定的导电表面部分是在凹部中。 用于电子部件的载体可已经与一个或多个电子部件可以配备。 支撑衬底可以已经具有对现有的电子元件的支撑凹部。 用于电子部件设置有干燥的金属烧结制备的载体中，其中最初创建设置有干燥的金属烧结制备载体，用于电子元件和电子元件，然后将夹心经受烧结过程的夹层的工艺中使用。