公开(公告)号：WO2013073440A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/JP2012/078935

申请日：2012-11-08

Applicant: 田中貴金属工業株式会社

Inventor： 小柏　俊典 ,  栗田　昌昭 ,  西森　尚 ,  兼平　幸男

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/09 ,  H05K3/20

CPC classification number: H01L21/4814 ,  B22F7/08 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2035/008 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C23C18/165 ,  C25D7/00 ,  H01L21/71 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/12056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも１層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度９９．９重量％以上、平均粒径０．０１μｍ～１．０μｍである金粉等の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金等の所定の金属又は合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは１μｍ以下であり、前記下地金属膜は、金等の所定の金属又合金からなる転写用基板である。本発明に係る転写用基板は、転写法により被転写物に金属配線を形成する際に被転写物側の加熱温度を低くすることができる。

Abstract translation: 本发明是由基板形成的转印基板，在基板上形成的至少一种金属布线材料，形成在金属布线材料的表面上的至少一层涂层和基体金属膜， 形成在基板和金属布线材料之间，并且用于将金属布线材料转印到转印接收对象的目的。 金属布线材料是通过烧结纯度为99.9重量％以上，平均粒径为0.01〜1.0μm的金粉等金属粉末而得到的成型体。 涂层由诸如金或其合金的特定金属形成，所述特定金属或合金具有与金属布线材料不同的组成。 金属布线材料和涂层的总厚度为1μm以下。 贱金属膜由金等金属及其合金形成。 当通过转印方法在转印接收对象上形成金属布线时，本发明的转印衬底能够降低转印接收对象侧的加热温度。

公开(公告)号：WO2015118612A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/JP2014/052570

申请日：2014-02-04

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 川▲崎▼　浩由 ,  六本木　貴弘 ,  相馬　大輔 ,  佐藤　勇

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  B22F9/14 ,  B23K35/14 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC classification number: B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

Abstract: 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。 純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が５ｐｐｂ以下であり、純度が９９．９％以上９９．９９５％以下であり、ＰｂまたはＢｉのいずれかの含有量、あるいは、ＰｂおよびＢｉの合計の含有量が１ｐｐｍ以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。

Abstract translation: 本发明产生抑制辐射α剂量的金属球。 该方法包括通过在比待除去的杂质的沸点高于纯金属的熔点的温度下加热下列物质并且低于纯金属的沸点来熔化纯金属的步骤 金属：根据大气压，在纯金属中所含杂质中除去的杂质沸点高于沸点的纯金属的U含量为5ppb以下，Th含量为5ppb 以下，纯度为99.9-99.995％，含铅量，Bi含量或Pb和Bi组合的总和为1ppm以上。 该方法还包括通过将熔融的纯金属制成球形形成球的步骤。

公开(公告)号：WO98052224A1

公开(公告)日：1998-11-19

申请号：PCT/US1998/009999

申请日：1998-05-14

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01R4/48 ,  H01R12/16 ,  H01R13/24 ,  H05K3/40

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/522 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11426 ,  H01L2224/1143 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/145 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/381 ,  H05K3/4092 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/114

Abstract: Microelectronic contact structures (260, 360, 460) are lithographically defined and fabricated by applying a masking layer (220, 320, 420) on a surface of a substrate (202, 302, 402) such as an electronic component, creating an opening (222, 322, 422) in the masking layer, depositing a conductive trace of a seed layer (250, 350, 450) onto the masking layer and into the openings, and building up a mass of conductive material on the conductive trace. The sidewalls of the opening can be sloped (tapered). The conductive trace can be patterned by depositing material through a stencil or shadow mask (240, 340, 440). A protruding feature (230, 430) may be disposed on the masking layer so that a tip end (264, 364, 464) of the contact structure acquires a topography. All of these elements can be constructed as a group to form a plurality of precisely positioned resilient contact structures.

Abstract translation: 微电子接触结构（260,360,460）通过在诸如电子部件的基板（202,302,402）的表面上施加掩模层（220,320,420）而光刻地限定和制造，从而产生开口 222,322,422），在所述掩蔽层上沉积种子层（250,350,450）的导电迹线并且进入所述开口中，以及在所述导电迹线上建立大量导电材料。 开口的侧壁可以是倾斜的（渐缩的）。 导电迹线可以通过沉积材料通过模板或荫罩（240,340,440）进行图案化。 可以在掩蔽层上设置突出特征（230,430），使得接触结构的末端（264,364,464）获取形貌。 所有这些元件可以被构造成一组以形成多个精确定位的弹性接触结构。

公开(公告)号：WO2012070480A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/JP2011/076628

申请日：2011-11-18

Applicant: 田中貴金属工業株式会社 ,  小柏 俊典 ,  栗田 昌昭 ,  西森 尚 ,  兼平 幸男

Inventor： 小柏　俊典 ,  栗田　昌昭 ,  西森　尚 ,  兼平　幸男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

Abstract: 　本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜とからなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度９９．９重量％以上、平均粒径０．０１μｍ～１．０μｍである金粉等を焼結してなる成形体であり、前記下地金属膜は、金等の金属又は合金等からなる転写用基板である。この転写用基板は、被転写物の加熱温度を８０～３００℃としても金属配線素材を被転写物に転写することができる。

Abstract translation: 本发明是一种用于将金属布线材料转移到接受转印物品的转印基板，包括基板，形成在该基板上的至少一种金属布线材料和形成在基板和金属布线材料之间的基底金属膜。 在转印基板中，金属配线材料是烧结纯度为99.9重量％，平均粒径为0.01μm〜1.0μm的金属粉末等的成型体，贱金属膜为金，另一方 金属或合金等。 即使接受转印的制品的加热温度为80〜300℃，该转印基板也可以将金属布线材料转印到接收转印的制品。

公开(公告)号：WO2013051463A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：PCT/JP2012/074955

申请日：2012-09-27

Applicant: オムロン株式会社

Inventor： 藤原　剛史 ,  奥野　敏明 ,  井上　勝之 ,  山本　淳也 ,  日沼　健一 ,  芦原　義樹 ,  宮地　孝明

IPC: H01L23/02 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/05 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ウエハ１の表面に密着層４を形成し、密着層４の上方にＡｕＳｎとの濡れ性の悪い材料からなる拡散防止層７を積層する。さらに、拡散防止層７の縁よりも引っ込めて拡散防止層７の表面に接着層８を形成し、ウエハ１の表面に接合部３を形成する。一方、ウエハ１１の下面に接合部１３を設け、接合部１３の下にＡｕＳｎハンダ層１９を設ける。ウエハ１とウエハ１１とを向かい合わせ、ＡｕＳｎハンダ層１９を溶融させて接合部３と接合部１３をＡｕＳｎハンダ２２によってＡｕＳｎ共晶接合させる。

Abstract translation: 在晶片（1）的表面上形成粘合层（4），并且在粘合剂层（4）的顶部上沉积由相对于AuSn具有差的润湿性的材料制成的防扩散层（7）。 此外，在扩散防止层（7）的表面上形成从扩散防止层（7）的边缘更靠内侧的粘合剂层（8），在晶片的表面上形成接合部（3） 1）。 另外，在晶片（11）的下表面上设置接合部（13），在接合部（13）的下方设置AuSn焊料层（19）。 晶片（1）和晶片（11）彼此相对定位，AuSn焊料层（19）熔化，接合部分（3）和接合部分（13）通过AuSn进行AuSn共晶接合 焊料（22）。

公开(公告)号：WO2012081144A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/JP2011/004523

申请日：2011-08-10

Applicant: パナソニック株式会社 ,  青井 信雄

Inventor： 青井　信雄

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552

Abstract: 　支持部材（５０）上に金属微粒子層（５１）を形成する。基板（１０）上に形成された電極（１１）の頂部を支持部材（５０）上の金属微粒子層（５１）に接触させて電極（１１）の頂部上に金属微粒子層（５１）の一部を付着させることにより、電極（１１）の頂部上に、金属微粒子層（５１）を構成する金属微粒子からなる付着層（１２）を形成する。基板（１０）上に形成された電極（１１）と、基板（２０）上に形成された電極（２１）とを互いに対向させ、付着層（１２）を介して、電極（１１）と電極（２１）とを接続することにより、基板（１０）と基板（２０）とを積層する。

Abstract translation: 提供了一种在支撑部件（50）的顶部上形成金属微粒层（51）的半导体器件。 在形成于基板（10）的顶部的电极（11）的顶部的顶部，形成包含构成金属微粒层（51）的金属微粒的粘合层（12），通过使电极的顶部 11）与支撑部件（50）的顶部的金属微粒层（51）接触，并且将金属微粒层（51）的一部分粘接到电极（11）的顶部。 基板（10）和基板（20）通过使形成在基板（10）的顶部上的电极（11）面对形成在基板（20）的顶部上的电极（21）而层叠，并且通过连接电极 （11）和电极（21）。