公开(公告)号：WO2015145623A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2014/058585

申请日：2014-03-26

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 湯浅　健 ,  石田　清 ,  塚原　良洋 ,  西口　浩平

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14156 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16227 ,  H05K1/0243 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00012

摘要： 　信号線パッド４２及び外部接続用信号線導体５２の周りを取り囲むように、複数のグラウンドパッド４１及び複数の外部接続用グラウンド導体５１が離散的に配置され、かつ、層間接続用信号線導体３２の周りを取り囲むように、複数の層間接続用グラウンド導体３１及び複数の柱状グラウンド導体１２が離散的に配置されているように構成する。これにより、シールドカバー筐体などの部品を別途用意することなく、ウェハプロセスのみで完結する簡素な作製プロセスで、外部への不要信号の放射を抑圧することができる。

摘要翻译： 该结构使得多个接地焊盘（41）和多个外部连接接地导体（51）被布置成散射并围绕信号线焊盘（42）和外部连接信号线导体（52）的外围 ），并且多个层间连接用接地导体（31）和多个列状接地导体（12）被布置成散射并围绕层间连接信号线导体（32）的周边。 这允许通过仅通过晶片处理完成的简单制造工艺来抑制不需要的信号的向外辐射，而不必单独制备诸如屏蔽罩壳体的部分。

公开(公告)号：WO2012061381A8

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/US2011058779

申请日：2011-11-01

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN ,  MCCARTHY ROBERT F ,  BEDDINGFIELD STANLEY C

发明人： MCCARTHY ROBERT F ,  BEDDINGFIELD STANLEY C

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit (IC) device (300) includes a substrate (305) having a top surface (304) including active circuitry (309) including a plurality of I/O nodes (308), and a plurality of die pads (302) coupled to the plurality of I/O nodes. A first dielectric layer (306) including first dielectric vias (312) is over the plurality of die pads. A redirect layer (RDL) (314) including a plurality of RDL capture pads (318) is coupled to the plurality of die pads over the first dielectric vias. A second dielectric layer (320) including second dielectric vias (322) is over the plurality of RDL capture pads. At least one of the second dielectric vias is a crack arrest via that has a via shape that includes an apex that faces away from a neutral stress point of the IC die and is oriented along a line from the neutral stress point to the crack arrest via to face in a range of ± 30 degrees from the line. Under bump metallization (UBM) pads (324) are coupled to the plurality of RDL capture pads over the second dielectric vias, and metal bonding connectors (326) are on the UBM pads.

摘要翻译： 集成电路（IC）装置（300）包括具有包括多个I / O节点（308）的有源电路（309）和多个管芯焊盘（302）的顶表面（304）的衬底（305） 耦合到多个I / O节点。 包括第一电介质通孔（312）的第一电介质层（306）位于多个管芯焊盘上。 包括多个RDL捕获焊盘（318）的重定向层（RDL）（314）通过第一电介质通孔耦合到多个管芯焊盘。 包括第二电介质通孔（322）的第二电介质层（320）在所述多个RDL捕获垫上。 第二电介质通孔中的至少一个是裂纹阻塞通孔，其具有通孔形状，该通孔形状包括顶点，该顶点背离IC芯片的中性应力点，并且沿着从中性应力点到裂纹停止的线 面对距离线的±30度的范围。 凸块下金属化（UBM）焊盘（324）通过第二电介质通孔耦合到多个RDL捕获焊盘，并且金属焊接连接器（326）在UBM焊盘上。

公开(公告)号：WO2010069077A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/CA2009/001861

申请日：2009-12-18

申请人： ATI TECHNOLOGIES ULC ,  MARTINEZ, Liane ,  TOPACIO, Roden, R. ,  LOW, Yip, Seng

发明人： MARTINEZ, Liane ,  TOPACIO, Roden, R. ,  LOW, Yip, Seng

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92163 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated circuit (IC) product includes a redistribution layer (RDL) having at least one conductive layer configured to distribute electrical information from one location to another location in the IC. The RDL also includes a plurality of wire bond pads and a plurality of solder pads. The plurality of solder pads each includes a solder wettable material that is in direct electrical communication with the RDL.

摘要翻译： 集成电路（IC）产品包括具有至少一个导电层的再分配层（RDL），该导电层被配置为将电信息从一个位置分配到IC中的另一个位置。 RDL还包括多个引线接合焊盘和多个焊盘。 多个焊盘各自包括与RDL直接电连通的焊料可润湿材料。

公开(公告)号：WO2017105701A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/US2016/061763

申请日：2016-11-14

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： YAO, Jimin ,  GANESAN, Sanka ,  LIFF, Shawna M. ,  DENG, Yikang ,  MALLIK, Debendra

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/03 ,  H05K1/18 ,  H05K1/181 ,  H05K3/34 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028

摘要： Integrated circuit (IC) package structures, and related devices and methods, are disclosed herein. In some embodiments, an IC package substrate may include: a dielectric layer having a first face and a second face; a metal layer disposed at the first face of the dielectric layer and having a first face and a second face, wherein the second face of the metal layer is disposed between the first face of the metal layer and the second face of the dielectric layer; a package contact at the first face of the metal layer to couple the IC package substrate to a component; and a die contact at the first face of the metal layer to couple a die to the IC package substrate.

摘要翻译： 这里公开了集成电路（IC）封装结构以及相关器件和方法。 在一些实施例中，IC封装衬底可以包括：具有第一面和第二面的介电层; 设置在介电层的第一面并具有第一面和第二面的金属层，其中金属层的第二面设置在金属层的第一面和介电层的第二面之间; 在所述金属层的所述第一面处的封装触点以将所述IC封装衬底耦合到组件; 以及在金属层的第一表面处的管芯接触，以将管芯耦合到IC封装衬底。

公开(公告)号：WO2015157124A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/US2015/024370

申请日：2015-04-03

申请人： FLIR SYSTEMS, INC.

发明人： BORNFREUND, Richard E. ,  DURHAM, Joseph H.

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1465 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/00014

摘要： Systems and methods may be provided for coupling together semiconductor devices. One or more of the semiconductor devices may be provided with an array of bump contacts formed in an etch back process. The bump contacts may be indium bumps. The indium bumps may be formed by depositing a sheet of indium onto a surface of a device substrate, depositing and patterning a layer of photoresist over the indium layer, and selectively etching the indium layer to the surface of the substrate using the patterned photoresist layer to form the indium bumps. The substrate may be an infrared detector substrate. The infrared detector substrate may be coupled to a readout integrated circuit substrate using the bumps.

摘要翻译： 可以提供用于将半导体器件耦合在一起的系统和方法。 一个或多个半导体器件可以设置有在回蚀工艺中形成的凸起接触阵列。 凸点触点可以是铟凸块。 铟凸块可以通过将铟片沉积到器件衬底的表面上，在铟层上沉积和图案化光致抗蚀剂层而形成，并且使用图案化的光致抗蚀剂层选择性地将铟层蚀刻到衬底的表面 形成铟凸块。 衬底可以是红外检测器衬底。 红外检测器基板可以使用凸块耦合到读出集成电路基板。

公开(公告)号：WO2014105233A2

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/US2013/061641

申请日：2013-09-25

申请人： SANDIA CORPORATION

发明人： NIELSON, Gregory, N. ,  KIM, Bongsang ,  CRUZ-CAMPA, Jose, Luis ,  TAUKE-PEDRETTI, Anna ,  CEDERBERG, Jeffrey ,  RESNICK, Paul, J. ,  SANCHEZ, Carlos, Anthony ,  OKANDAN, Murat

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/50 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/80 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： A method includes forming a release layer over a donor substrate. A plurality of devices made of a first semiconductor material are formed over the release layer. A first dielectric layer is formed over the plurality of devices such that all exposed surfaces of the plurality of devices are covered by the first dielectric layer. The plurality of devices are chemically attached to a receiving device made of a second semiconductor material different than the first semiconductor material, the receiving device having a receiving substrate attached to a surface of the receiving device opposite the plurality of devices. The release layer is etched to release the donor substrate from the plurality of devices. A second dielectric layer is applied over the plurality of devices and the receiving device to mechanically attach the plurality of devices to the receiving device.

摘要翻译： 一种方法包括在供体基底上形成释放层。 在剥离层上形成由第一半导体材料制成的多个器件。 在多个器件上形成第一介电层，使得多个器件的所有暴露表面被第一介电层覆盖。 所述多个装置化学地附接到由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成的接收装置，所述接收装置具有附接到与所述多个装置相对的所述接收装置的表面的接收基板。 蚀刻释放层以从多个装置释放施主衬底。 在多个装置和接收装置上施加第二介电层以将多个装置机械地附接到接收装置。

公开(公告)号：WO2013157080A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2012/060347

申请日：2012-04-17

申请人： 株式会社ディスコ ,  関根弘一 ,  目黒弘一

发明人： 関根弘一 ,  目黒弘一

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本発明の半導体装置は、例えば、回路素子を含む基板１２と、回路素子に電気的に接続され、基板表面に形成されたチップ取り出し電極１８と、チップ取り出し電極を覆うパッシベーション層２０と、パッシベーション層２０を覆い第１の開口部が形成された絶縁樹脂３０と、第１の開口部に形成され、チップ取り出し電極と電気的に接続される金属配線５２と、金属配線５２の表面に形成される外部端子７０とを備える。第１の開口部は、第１の深度を有する第１の領域５２Ａと、第１の深度よりも浅く感光性絶縁樹脂３０を残存させる深度である第２の深度を有する第２の領域５２Ｂを含み、金属配線５２は第１及び第２の領域に形成される。

摘要翻译： 该半导体器件具有例如：包括电路元件的衬底（12）; 芯片引出电极（18），其电连接到电路元件，并且形成在基板的表面上; 覆盖芯片引出电极的钝化层（20）; 绝缘树脂（30），其覆盖所述钝化层（20），并且其中形成有第一开口; 金属布线（52），其形成在第一开口中，并且电连接到芯片引出电极; 和形成在金属布线（52）的表面上的外部端子（70）。 第一开口包括具有第一深度的第一区域（52A）和具有小于第一深度的第二深度的第二区域（52B），并且感光绝缘树脂（30）留在其上， 金属布线（52）形成在第一和第二区域中。

公开(公告)号：WO2013101243A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/US2011/068278

申请日：2011-12-31

申请人： INTEL CORPORATION ,  GANESAN, Sanka ,  QIAN, Zhiguo ,  SANKMAN, Robert L. ,  SRINIVASAN, Krishna ,  ZHU, Zhaohui

发明人： GANESAN, Sanka ,  QIAN, Zhiguo ,  SANKMAN, Robert L. ,  SRINIVASAN, Krishna ,  ZHU, Zhaohui

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： Electronic assemblies and methods including the formation of interconnect structures are described. In one embodiment an apparatus includes semiconductor die and a first metal bump on the die, the first metal bump including a surface having a first part and a second part. The apparatus also includes a solder resistant coating covering the first part of the surface and leaving the second part of the surface uncovered. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 描述了包括形成互连结构的电子组件和方法。 在一个实施例中，设备包括半导体管芯和管芯上的第一金属凸块，第一金属凸块包括具有第一部分和第二部分的表面。 该设备还包括覆盖表面的第一部分并且使表面的第二部分未被覆盖的耐焊接涂层。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2011004542A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/JP2010/003538

申请日：2010-05-26

申请人： パナソニック株式会社 ,  本村耕治 ,  吉永誠一 ,  境忠彦

发明人： 本村耕治 ,  吉永誠一 ,  境忠彦

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/18

CPC分类号： H05K3/305 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17179 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33179 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/81599 ,  H01L2224/81609 ,  H01L2224/81611 ,  H01L2224/81613 ,  H01L2224/81616 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83599 ,  H01L2224/83609 ,  H01L2224/83611 ,  H01L2224/83613 ,  H01L2224/83616 ,  H01L2224/83639 ,  H01L2224/83644 ,  H01L2224/83647 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/225 ,  H05K3/3436 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/176 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 　本発明の課題は、電子部品と回路基板の間の接合強度の向上を図りつつ電子部品又は回路基板に熱的ダメージを与えることなくリペア作業を行うことができるようにした電子部品ユニット及び補強用接着剤を提供することである。　下面に複数の接続端子（１２）を備えた電子部品（２）と、上面に接続端子（１２）に対応する複数の電極（２２）を備えた回路基板（３）とを有し、接続端子（１２）と電極（２２）とが半田バンプ（２３）によって接合されるとともに、電子部品（２）と回路基板（３）が部分的に熱硬化性樹脂の熱硬化物から成る樹脂接合部（２４）によって接合された電子部品ユニット（１）において、樹脂接合部（２４）の内部に金属粉（２５）が分散状態で含まれている。金属粉（２５）は、電子部品（２）を回路基板（３）から除去する作業（リペア作業）を行う際に樹脂接合部（２４）を加熱する温度よりも低い融点を有する。

摘要翻译： 公开了一种电子部件单元和增强粘合剂，其中电子部件和电路板之间的接合强度增加，并且可以执行修复工作而不会对电子部件或电路板造成热损伤。 具体公开了一种电子部件单元（1），其包括在其下表面设置有多个连接端子（12）的电子部件（2）和设置有多个电极（22）的电路板（3） 在与上述连接端子（12）对应的上表面上，通过使用焊锡凸块（23）将上述连接端子（12）与上述电极（22）接合，并将上述电子部件（2） （3）使用包含由热固性树脂形成的热固性材料的树脂接头（24），其中金属粉末（25）以分散状态包含在树脂接头（24）的内部。 当进行从电路板（3）移除电子部件（2）的工作（修理工作）时，金属粉末25的熔点低于树脂接头24被加热的温度。

公开(公告)号：WO2016113647A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/IB2016/050059

申请日：2016-01-07

申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

发明人： CHAPPO, Marc Anthony

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1469 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4233 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81815 ,  H05K1/18 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/1053 ,  H01L2924/014

摘要： A module assembly device (402) is configured for assembling a module assembly (114) for a detector array (110) of an imaging system (100). The module assembly device includes a base (400) having a long axis (401). The module assembly device further includes a first surface (406) of the base and side walls (408) protruding perpendicular up from the first surface and extending in a direction of the long axis along at least two sides of the base. The first surface and side walls form a recess (404) configured to receive the module substrate on the surface and within the side walls. The module assembly device further includes protrusions (403) protruding from the side walls in a direction of the side walls. The protrusions and side walls interface forming a ledge which serves as a photo- detector array tile support (410) configured to receive the photo-detector array tile (118) over the ASIC and the module substrate.

摘要翻译： 模块组装装置（402）被配置用于组装用于成像系统（100）的检测器阵列（110）的模块组件（114）。 模块组装装置包括具有长轴（401）的基座（400）。 模块组装装置还包括底座的第一表面（406）和从第一表面垂直向上突出并且沿着基本的至少两侧在长轴方向上延伸的侧壁（408）。 第一表面和侧壁形成凹部（404），其构造成在表面上和侧壁内容纳模块基板。 模块组装装置还包括从侧壁沿着侧壁的方向突出的突起（403）。 凸起和侧壁接合形成用作光电检测器阵列瓦片支撑件（410）的凸缘，所述光电探测器阵列瓦片支撑件（410）被配置成在ASIC和模块基板上接收光电检测器阵列瓦片（118）。