公开(公告)号：CN106409816A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610557174.7

申请日：2016-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈英儒

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明的实施例提供了具有对准标记的管芯及其形成方法。一种方法包括：在第一工件的第一侧面上形成沟槽，所述第一工件的管芯介于相邻的沟槽之间；去除管芯的一部分以形成对准标记，对准标记延伸穿过管芯的整个厚度。减薄第一工件的第二侧面，直到管芯被分割，第二侧面与第一侧面相对。

公开(公告)号：CN105321913A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510001619.9

申请日：2015-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈洁 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49527 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

Abstract: 管芯包括金属焊盘、金属焊盘上方的钝化层和钝化层上方的聚合物层。金属柱位于金属焊盘的上方并且电连接至金属焊盘。金属环形件与金属柱共平面。聚合物层包括与金属柱和金属环形件共平面的部分。本发明还涉及器件管芯中的环形件结构。

公开(公告)号：CN102445649B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201110208201.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋樑 ,  梁世纬 ,  陈英儒 ,  杨庆荣 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  余振华

IPC: G01R31/28 ,  G01N27/20 ,  G01N27/24

CPC classification number: G01R31/2648 ,  G01R31/002 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明公开一种半导体芯片的测试结构及应用于测量电介质特性的方法，其中该测试结构用于测量一尚未封装的半导体芯片，包括一施力部件与该半导体芯片的一内连线结构耦接，可操控该施力部件以施加一力于该半导体芯片之上；以及第一以及第二测试部分与该内连线结构耦接，该第一以及第二测试部分以测量与该内连线结构中一预定区域相关的一电性效能；其中该第一以及第二测试部分为可操控，于施加该力于该半导体芯片时测量该电性效能。本发明的测试结构可精确的获知裂化发生的时机，并可具有在半导体芯片未封装前即可得知裂化现象的优点。

公开(公告)号：CN102456650B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110139294.2

申请日：2011-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体基板的导电结构及其制造方法。该导电结构包括一第一保护层，形成于一基板上方。一连接焊盘，形成于第一保护层上方。一第二保护层，形成于连接焊盘以及第一保护层上方，且第二保护层有一第一开口以及多个第二开口，其中第一开口覆于连接焊盘上方，而第二开口将第一保护层的顶部表面暴露在外。一缓冲层，覆于第二保护层上方并填充于第二开口内部，缓冲层有一第三开口，与第一开口重叠并共同将连接焊盘的一部分暴露在外，其中第一开口与第三开口结合后有侧壁。一下金属层覆盖于第一开口与第三开口结合的侧壁上，并与连接焊盘外露的部分接触。一导电结构位于下金属层上方。此半导体元件的导电结构可防止剥离和改善组装工艺的良率。

公开(公告)号：CN102456667B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110166558.3

申请日：2011-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/32 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在半导体晶片中用来进行晶片测试的接合焊盘结构以及具有该接合焊盘结构的晶片。上述接合焊盘结构包括至少两个金属接合焊盘，彼此之间借由在一个或多个绝缘层中的多个导电通孔互相连接。与最底端的金属接合焊盘相接触的多个接触条，其实质上自最底端的金属接合焊盘垂直延伸进入基板。绝缘结构实质上围绕着多个接触条，以便将接合焊盘结构隔离。本发明的工艺控制监测焊盘结构具有的优点如下：借由在裸片单分工艺中降低破裂形成及破裂延伸至裸片的可能性，以及将晶片中的工艺控制监测焊盘结构与其他装置隔绝，避免漏电流，来增加在测试期间的集成电路的可靠度。

公开(公告)号：CN103311219A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310058749.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06515 ,  Y10T29/4902

Abstract: 提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UBM层的第一部分电连接至线圈并且被配置成与电连接件相接合。本发明还提供了一种用于后钝化互连的电感器。

公开(公告)号：CN101740544A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910209146.6

申请日：2009-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈英儒 ,  刘豫文 ,  蔡豪益 ,  郑心圃

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L23/485 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有集成管芯-分离保护势垒的半导体测试垫互连结构，所述互连结构包括多个垂直堆叠金属层，每个金属层包括通过电介质材料层与其他测试垫分离的电导体测试垫。在一个实施例中，至少一个第一金属通孔条嵌入到互连结构内部，并将金属层中的每个测试垫电互连到一起，某些实施例中，通孔条基本上沿着每个测试垫限定的整个第一侧延伸。在其他实施例中，可以提供一对相对的通孔条，并设置在由半导体晶片的划线带限定的管芯分离切割线的相对侧上。

公开(公告)号：CN101582409A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910127010.0

申请日：2009-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  刘豫文 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  郑心圃

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路结构包括第一、第二和第三金属化层。所述第一金属化层包括具有第一k值的第一电介质层和在所述第一电介质层中的第一金属连线。所述第二金属化层在所述第一金属化层上面，包括具有大于第一k值大的第二k值的第二电介质层；和在第二电介质层中的第二金属连线。所述第三金属化层在第二金属化层上面，包括具有第三k值的第三电介质层；和在第三电介质层中的第三金属连线。所述集成电路结构还包括在第三金属化层之上的底层钝化层。

公开(公告)号：CN113471141B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202110197941.9

申请日：2021-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈英儒 ,  陈洁 ,  陈明发

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H10D84/00 ,  H01L23/64

Abstract: 本文公开了形成超高密度金属‑绝缘体‑金属(SHDMIM)电容器和半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上方沉积第一绝缘层，并在第一绝缘层上方沉积被一系列介电层隔开的一系列导电层，一系列导电层包括器件电极和伪金属板。穿过一系列导电层的第一组接触塞接触一系列导电层的第一部分中的一个或多个导电层。穿过一系列介电层的第二组接触塞避免接触一系列导电层的第二部分，一系列导电层的第二部分电浮置。本申请的实施例提供了封装件、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN116631879A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310307699.5

申请日：2023-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈宪伟 ,  林孟良 ,  陈英儒 ,  陈硕懋

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一封装组件。第一封装组件还通过第二管芯中的贯通孔电连接到第二封装组件。第二管芯还通过多个第二焊料区域接合到第二封装组件。根据本申请的其他实施例，提供了封装件。