公开(公告)号：CN107104087A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710067549.6

申请日：2017-02-07

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  彭逸轩 ,  萧景文 ,  刘乃玮 ,  黄伟哲

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/14 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/141

摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构及其形成方法，可以降低生产成本。该半导体封装结构包括：RDL(重分布层)结构，具有相对设置的第一表面及第二表面；半导体晶粒，设置在该第一表面上并且电性耦接至该RDL结构；模塑料，设置在该第一表面上，并且围绕该半导体晶粒；以及多个导电结构，嵌入于该模塑料中，并且电性耦接该RDL结构；其中，每个导电结构包括：焊球，嵌入于该模塑料中并且电性耦接至该RDL结构，并且该模塑料包括：多个开口，分别露出该每个导电结构中的该焊球；或者，每个导电结构包括：导电柱结构，设置于该模塑料中并且从该模塑料中露出，其中该导电柱结构包括：焊料，接合在该RDL结构上并且电性耦接该RDL结构。

公开(公告)号：CN104521324B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380041886.8

申请日：2013-07-26

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： J.A.舒格

IPC分类号： H05B33/08

CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L23/5386 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73253 ,  H05B33/083

摘要： 一种LED电路（40）包括每一个安装在相应LED控制电路（42）之上的集成电路LED（50）。LED控制电路（42）通过集成电路电气连接在一起以定义LED控制电路串，每一个LED控制电路具有引向电路的至少一个控制线（44）。这提供具有LED的单独控制的多个LED的紧凑电路。

公开(公告)号：CN105990318B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201610164166.6

申请日：2016-03-22

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 杨焘境 ,  黄国峰 ,  粘为裕

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025

摘要： 本发明涉及一种半导体装置封装，其包含衬底、第一电组件、第二电组件和設置于所述衬底的顶部表面上的导电框架。所述导电框架具有顶部部分和大体上垂直于所述顶部部分的边沿。所述导电框架覆盖所述第一电组件，且包含所述导电框架的所述顶部部分中的至少一个开口，所述开口中的一者暴露所述第二电组件。所述导电框架的所述顶部部分的顶部表面大体上与所述第二电组件的顶部表面共面。所述半导体装置封装进一步包含与所述导电框架的所述顶部部分的所述顶部表面、所述导电框架的所述边沿的外部侧向表面和所述第二电组件的所述顶部表面接触的电磁干扰屏蔽体。

公开(公告)号：CN107068662A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610884451.5

申请日：2012-07-11

申请人： 英闻萨斯有限公司

发明人： 贝尔加桑·哈巴 ,  韦勒·佐尼 ,  理查德·德威特·克里斯普 ,  伊利亚斯·穆罕默德

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  G11C5/04 ,  H01L23/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/481 ,  G11C5/04 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L27/108 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15786 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种微电子封装510可以包括：具有相对的第一表面521和第二表面527的衬底520，至少两个微电子元件对507a、512b，暴露在第二表面的多个端子525。每个微电子元件对507可以包括上微电子元件530b和下微电子元件530a。微电子元件对507可以在平行于衬底520的第一表面521的水平方向H上彼此完全间隔开。每个下微电子元件530a可以具有前表面531以及在前表面上的多个触点535。每个上微电子元件530b的表面531可以至少部分地覆盖衬底520的第一表面521和与其成对的下微电子元件530a。

公开(公告)号：CN104051420B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410091518.0

申请日：2014-03-13

申请人： 英特尔公司

发明人： M.J.芒努沙罗 ,  D.马利克

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及用于嵌入式互连桥封装的直接外部互连。描述一种可用于嵌入式互连桥封装的外部直接连接。在一个示例中，封装具有衬底、具有第一桥互连区的第一半导体晶片以及具有第二桥互连区的第二半导体晶片。该封装具有：嵌入衬底中的桥，该桥具有连接到第一桥互连区的第一接触区和连接到第二桥互连区的第二接触区；以及外部连接轨，在互连桥与第一和第二半导体晶片之间延伸，以提供到第一和第二桥互连区的外部连接。

公开(公告)号：CN107039399A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610912553.3

申请日：2016-10-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林明贤 ,  欧东尼

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/58 ,  H01L27/0203 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386

摘要： 集成电路(IC)包括第一导体，位于IC的一层中；第二导体，位于IC的另一层中；第一金属塞，连接第一导体和第二导体。IC还包括位于IC的一层中并接合至所述第一导体的原子源导体(ASC)以及将ASC连接至IC的电压源的第二金属塞。第一导体和ASC被配置为偏置连接至不同的电压，以建立从第二金属塞到第一金属塞的电子路径，使得ASC充当用于第一导体的有源原子源。本发明还提供了一种有源原子供应源和具有其的集成电路。

公开(公告)号：CN107026155A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610940076.1

申请日：2016-11-01

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 张圣明 ,  张峻玮

IPC分类号： H01L25/18

CPC分类号： G11C5/04 ,  G06F13/4022 ,  G06F13/4282 ,  G06F15/7807 ,  G11C5/06 ,  G11C14/0018 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10537 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/18

摘要： 本发明实施例公开了一种混合系统，包括：电路板，具有主表面；封装上封装，含有底部封装，安装于该电路板的该主表面上，以及顶部封装，堆叠在该底部封装上，其中，该底部封装包括：片上系统，以及该顶部封装包括至少一个能够被该片上系统存取的封装上动态随机存取存储器晶粒；以及多芯片封装，直接安装在该电路板的该主表面上，其中该多芯片封装包括至少一个板上动态随机存取存储器晶粒，能够被该片上系统经由电路板走线来存取。本发明实施例，可以确保存储密度的同时，不用受PoP的高度限制或者遭受MCP字节方式的速度衰减。

公开(公告)号：CN106876292A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710088191.5

申请日：2013-11-20

申请人： 英特尔公司

发明人： D·V·库尔卡尼 ,  R·K·莫腾森 ,  J·S·古扎克

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开内容的实施方式涉及封装装配件以及用于形成封装装配件的方法和合并封装装配件的系统。封装装配件可以包括衬底，该衬底包括诸如BBUL等的多个构建层。在各种实施方式中，电气布线构件可以被放置在衬底的外表面上。在各种实施方式中，主逻辑管芯和第二管芯或电容器可以被嵌入在所述多个构建层中。在各种实施方式中，电气路径可以被定义在所述多个构建层中，以便在第二管芯或电容器和电气布线构件之间传送电能或接地信号，这旁路了主逻辑管芯。

公开(公告)号：CN106847677A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611115396.X

申请日：2016-12-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴寅旭 ,  李钟弦 ,  黄盛昱

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L22/20 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/0274 ,  H01L23/5386

摘要： 本发明提供了一种形成掩模布局的方法、一种形成布线结构的方法和一种布线结构。所述形成掩模布局的方法包括：形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模的布局。形成与第一掩模重叠并且包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模的布局。形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模的布局。形成包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模的布局。第二过孔结构图案可与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第二伪过孔结构图案可与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。第四掩模可与第三掩模重叠。

公开(公告)号：CN103928392B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310009755.3

申请日：2013-01-10

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王冬江 ,  黄敬勇 ,  张海洋

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种局部互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成图形化的第一膜层，定义局部互连结构围成的区域；在所述第一膜层周围形成侧墙；图形化所述侧墙，定义局部互连结构的位置；形成第二膜层，覆盖所述介质层且与侧墙顶面齐平；去除图形化后的侧墙，形成第一开口；形成第一开口后，刻蚀介质层至半导体衬底，在所述介质层中形成第二开口；在所述第二开口内填充导电材料，形成局部互连结构。采用本发明的方法可以形成变形较小的局部互连结构，以提高后续半导体器件的性能。