公开(公告)号：CN107039290A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611202277.8

申请日：2016-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，以及降低应用底部填充材料时毒害凸块下金属的风险的方法。在实施例中，间隔件位于第一凸块下金属和第二凸块下金属之间。当在第一凸块下金属和第二凸块下金属之间分配底部填充材料时，间隔件防止底部填充材料朝向第二凸块下金属蔓延。在另一实施例中，分配底部填充材料时，使用钝化层抑制底部填充材料的流动。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106952885A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611116319.6

申请日：2016-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/115 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/111 ,  H05K1/113 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/0183 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09136 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/0969 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L24/17 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/331

Abstract: 一种封装件包括导电焊盘，其中多个开口穿透该导电焊盘。介电层环绕导电焊盘。介电层具有填充多个开口的部分。凸块下金属(UBM)包括延伸进入介电层中以接触导电焊盘的孔部分。焊料区域在UBM上面并且接触UBM。集成无源器件通过焊料区域接合至UBM。

公开(公告)号：CN106601623A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610702018.5

申请日：2016-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈煜仁 ,  叶德强

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/48 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/15192 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L25/0753

Abstract: 一种半导体器件包括多个半导体管芯以及围绕堆叠的半导体管芯的电介质，多个半导体管芯垂直地堆叠以具有垂直高度。半导体器件还具有位于堆叠的半导体管芯外部以及延伸穿过电介质的导电柱。在半导体器件中，导电柱的高度大于垂直高度。本发明实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105261609A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510397288.5

申请日：2015-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  吴伟诚 ,  曾建富

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 本发明公开了半导体器件封装件、封装方法以及封装的半导体器件。在一些实施例中，用于半导体器件的封装件包括集成电路管芯安装区域和集成电路管芯安装区域周围的模塑料。互连结构位于模塑料和集成电路管芯安装区域上方。保护图案位于互连结构周围的封装件的周边区域中。保护图案包括：第一导电部件，在第二导电部件附近垂直地位于封装件内。第一导电部件具有第一宽度，并且第二导电部件具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。本发明还涉及半导体器件封装件、封装方法和封装的半导体器件。

公开(公告)号：CN102751259B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110310525.1

申请日：2011-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  侯上勇

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有设置在半导体衬底上方的介电层和设置在该介电层上方的无源元件。该集成电路器件进一步包括处在无源元件下方的隔离矩阵结构，其中，隔离矩阵结构包括多个沟槽区域，每个沟槽区域形成为穿过介电层并且延伸进入到半导体衬底中，多个沟槽区域进一步包括绝缘材料和空穴区域。

公开(公告)号：CN103633075A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310275097.2

申请日：2013-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26155 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明公开了一种叠层封装半导体器件和形成该半导体器件的方法，该半导体器件包括具有至少一个第一管芯和至少一个第二管芯的封装件。该半导体器件还包括将至少一个第一管芯和至少一个第二管芯电连接至衬底的一组导电元件。该半导体器件还包括位于至少一个第一管芯和至少一个第二管芯之间的热接触垫以将至少一个第一管芯热隔离于至少一个第二管芯。

公开(公告)号：CN103426858A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210424567.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈硕懋 ,  叶德强 ,  叶炅翰

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装件包括在该封装件的第一区中形成的芯片和在邻近第一区的该封装件的第二区中形成的模塑料。在芯片和模塑料上形成第一聚合物层，在第一聚合物层上形成第二聚合物层，在第一和第二聚合物层之间形成多个互连结构。在第二聚合物层上形成金属绝缘体金属(MIM)电容器并将其电连接至多个互连结构的至少一个。在多个互连结构的至少一个的上方形成金属凸块并将其电连接至多个互连结构的至少一个。本发明提供具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103378094A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310136290.8

申请日：2013-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  郑心圃 ,  叶德强 ,  侯上勇 ,  邱文智

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/49822 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在一个实施例中，在通孔和底层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是形成在衬底上或衬底上方形成的介电层上的平面电容器。

公开(公告)号：CN103035536A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210240818.1

申请日：2012-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  叶德强

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/64 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/09972 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/1316 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 集成电路结构包括衬底、衬底第一侧上的光敏塑模、形成在塑模中的过孔以及沉积在衬底第一侧上以及过孔中的一致金属层。可以穿过衬底形成与塑模中的过孔对准的通孔，其具有沉积的通孔中的导电衬垫，与一致金属层电接触。集成电路结构还包括：诸如焊球的连接元件，在与第一侧相对的衬底的第二侧上的通孔的一端上。集成电路结构还可以包括：管芯，在衬底的第一侧上，与另一通孔或重新分布层电接触。

公开(公告)号：CN102299054A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201010578005.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张立文 ,  叶德强 ,  喻中一 ,  匡训冲 ,  曾华洲 ,  赵治平 ,  刘铭棋 ,  曾元泰

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L28/24

Abstract: 本发明公开了制造集成电路器件(如薄膜电阻器)的方法。示例性方法包括提供半导体基板；在所述半导体基板的上方形成电阻层；在所述电阻层的上方形成硬掩膜层，其中所述硬掩膜层包括处于所述电阻层上方的阻挡层以及处于所述阻挡层上方的介电层；以及在所述硬掩膜层中形成开口以暴露所述电阻层的一部分。