公开(公告)号：CN101850203A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010142718.6

申请日：2010-03-18

申请人： 揖斐电株式会社

发明人： 宫田明和 ,  金井胜纪

IPC分类号： B01D39/20 ,  B01D46/24 ,  B01J35/04 ,  C04B38/00 ,  F01N3/022 ,  F01N3/28

CPC分类号： C04B37/005 ,  B01J35/04 ,  C04B28/001 ,  C04B28/24 ,  C04B37/006 ,  C04B38/0019 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/5089 ,  C04B41/85 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/708 ,  F01N3/0222 ,  F01N3/2828 ,  F01N2330/48 ,  F01N2370/04 ,  F01N2370/24 ,  F01N2450/28 ,  Y02T10/20 ,  Y10T428/24149 ,  C04B35/565 ,  C04B38/0012 ,  C04B38/0051 ,  C04B38/0074 ,  C04B14/106 ,  C04B14/20 ,  C04B14/324 ,  C04B14/327 ,  C04B14/328 ,  C04B14/383 ,  C04B14/42 ,  C04B24/383 ,  C04B2103/46 ,  C04B38/04 ,  C04B22/16 ,  C04B14/366 ,  C04B14/022 ,  C04B14/047 ,  C04B14/062 ,  C04B14/064 ,  C04B14/24 ,  C04B14/303 ,  C04B14/465 ,  C04B41/5037 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/5048 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0006

摘要： 本发明涉及蜂窝结构体用密封材料、蜂窝结构体以及蜂窝结构体的制造方法。该蜂窝结构体用密封材料中的无机纤维的生物溶解性良好，并且蜂窝结构体用密封材料制备后即使经过较长时间，在陶瓷块等上的涂布性依然良好。本发明提供一种蜂窝结构体用密封材料，其特征在于，其包含无机纤维、无机颗粒和0.1重量％以上的离子吸附剂，所述无机纤维包含生物溶解性的无机化合物。

公开(公告)号：CN101849445A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880114640.8

申请日：2008-11-06

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 殿村宏史 ,  北原丈嗣 ,  石塚博弥 ,  黑光祥郎 ,  长友义幸

IPC分类号： H05K1/03 ,  H01L23/15 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

CPC分类号： B23K1/20 ,  C04B35/584 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/481 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/38 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/0909 ,  H05K2203/095 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

摘要： 含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为2.7Atom％以下。

公开(公告)号：CN101495680A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780023521.7

申请日：2007-06-20

申请人： REC斯坎沃佛股份有限公司

发明人： 鲁内·罗利吉特恩 ,  耶尔特鲁德·里安 ,  施泰因·朱尔斯鲁德

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B35/002 ,  C04B35/591 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/945 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/368 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明涉及用于制造半导体级硅锭料的可重复使用的坩埚，该坩埚由氮化物结合氮化硅(NBSN)制成。该坩埚可通过如下制得：混合氮化硅粉末与硅粉末，形成坩埚生坯，然后在含氮气氛中加热生坯，使得硅粉末氮化而形成NBSN坩埚。该坩埚可通过组装待成为方形截面坩埚的底部(1)和壁部(3，5)的NBSN材料板状元件而得到，任选地通过施用含有硅粉末和任选的氮化硅粒子的糊料来密封结合处，随后在氮气气氛中进行第二次热处理。

公开(公告)号：CN101304017A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810096734.9

申请日：2008-05-09

申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司

发明人： C·格布尔 ,  H·布拉姆尔 ,  U·赫尔曼

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/15 ,  H01L21/48 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K3/38 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/72 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/75315 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/31678

摘要： 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个在至少一个主面上设置的层序列，其包括一薄的粘附连接层、一烧结金属层和一导电层。所属的方法具有以下主要的步骤：对面状的绝缘的基本的至少一个主面的至少一部分表面涂覆粘附连接层；将一由烧结金属和一溶剂制成的膏状层设置在粘附连接层的一部分表面上或整个表面上；将导电层设置在烧结金属层上；对功率半导体基片的导电层施加压力。

公开(公告)号：CN101176212A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680008317.3

申请日：2006-03-07

申请人： 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

发明人： M·R·克拉梅斯 ,  G·O·米勒

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/501 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/008 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/525 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/76 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 一种诸如磷光体之类的材料与半导体结构光学耦合，该半导体结构包括设置在n－型区域和p－区域之间的发光区域，以便有效地将来自发光区域的光提取进入到磷光体中。该磷光体可以是与半导体结构的表面直接接触的磷光体晶粒，或者是与半导体结构结合的陶瓷磷光体，或者与其上可以生长半导体结构的薄的核结构结合的陶瓷磷光体。该磷光体优选是高吸收的且高效的。当半导体结构将光发射到这种高效、高吸收的磷光体中时，该磷光体可以有效地从该结构中提取光，降低现有技术器件中存在的光损耗。

公开(公告)号：CN1817539A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510131056.1

申请日：2001-05-01

申请人： 约翰斯霍普金斯大学

发明人： 蒂莫西·P·魏斯 ,  迈克尔·莱斯 ,  奥马尔·科尼奥 ,  戴维·范希尔登 ,  托德·赫弗纳格尔 ,  霍华德·菲尔德迈塞

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K20/00 ,  B23K20/06 ,  B23K20/08 ,  B23K35/02 ,  B23K35/34 ,  B32B15/01 ,  C06B21/00 ,  C06B45/14 ,  F24J1/00 ,  H05K3/34

CPC分类号： B32B18/00 ,  B23K1/0006 ,  B23K20/00 ,  B23K20/06 ,  B23K20/08 ,  B23K20/165 ,  B23K28/00 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/34 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  B32B2311/24 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/78 ,  C06B21/0083 ,  C06B45/14 ,  C21D2211/008 ,  C23C14/14 ,  F24V30/00 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3494 ,  H05K2203/0405 ,  H05K2203/1163 ,  Y10S72/70 ,  Y10S228/902 ,  Y10S428/94 ,  Y10T29/49925 ,  Y10T29/49929 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12063 ,  Y10T428/12069 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/1209 ,  Y10T428/12229 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12451 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/1259 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2993

摘要： 提供了可反应的薄片及它们的用途，用作点火、连接和推进时的局部热源。一种改进的可反应的薄片(14)最好具有多层薄片结构，该结构由从能以发热及自扩散反应方式相互反应的材料中选出的交替的层(16，18)构成。在反应时，这些薄片提供高的局部热量，这些热量可用于诸如连接各层，或直接将松散材料连在一起。这种薄片热源可在各种环境(例如，空气，真空，水等)的室温下产生迅速的连接。如果使用连接材料，该薄片反应将提供足够的热量来熔化连接材料。如果不使用连接材料，该薄片反应将热量直接提供到至少两种松散材料上，熔化每种的一部分，在冷却时形成牢固的连接。此外，薄片(14)还可设计成具有开口，该开口允许使连接(或松散)材料穿过薄片以增加连接牢度。

公开(公告)号：CN104995730B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201480008651.3

申请日：2014-02-28

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 大开智哉 ,  大井宗太郎 ,  西川仁人 ,  林浩正

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K3/00 ,  H05K3/20

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K31/02 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0263 ,  H05K3/202 ,  H05K3/207 ,  H05K2203/04 ,  H05K2203/06 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种功率模块用基板的制造方法，其防止通过活性金属钎焊法将铜电路板与陶瓷板接合时的陶瓷板、接合材料及铜电路板的定位偏离，且高效地制造多个功率模块用基板。一种在具有能够并列形成多个陶瓷基板的面积的陶瓷板(21)上，相互隔着间隔接合多个铜电路板(30)之后，在这些铜电路板(30)之间分割陶瓷板(21)来制造多个功率模块用基板的方法，其中，在陶瓷板(21)上形成与铜电路板(30)的外形相同形状的由活性金属钎料构成的接合材料层(71)，并且在铜电路板(30)上涂布将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料(72)，并通过临时固定材料(72)在陶瓷板(21)上以将接合材料层(71)与铜电路板(30)对位来进行层压的状态临时固定，并将该层压体在层压方向上加压并进行加热，从而接合陶瓷板与铜电路板。

公开(公告)号：CN108367968A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680067495.7

申请日：2016-09-23

申请人： 美题隆公司

发明人： 迈克尔·P·纽厄尔 ,  赞·阿斯利特 ,  罗伯特·库齐勒 ,  安德鲁·P·霍德 ,  德里克·布朗

IPC分类号： C03C14/00 ,  C04B37/02 ,  G03B21/20 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L31/02327 ,  C03C14/006 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/84 ,  G03B21/16 ,  G03B21/204 ,  H01L31/024 ,  H01L31/18 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/644

摘要： 光发生器包括光转换装置(10)和布置成将光束(L)施加到光转换元件(20)的光源(18)。光转换装置(10)包括：光电陶瓷磷光体元件(20)或其他固体磷光体元件，其包括嵌入陶瓷、玻璃或其他基质中的一种或多种磷光体；金属散热器(12)；以及将光电陶瓷磷光体元件(20)附着到金属散热器(12)的焊接接合部(40)。响应于光源(18)所施加的光束能量达到有效地将光电陶瓷磷光体元件加热到磷光体猝灭点的光束(L)，光电陶瓷磷光体元件(20)不发生开裂。

公开(公告)号：CN108276008A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810154404.4

申请日：2014-10-21

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 中山宪隆 ,  青木克之 ,  佐野孝

IPC分类号： C04B35/587 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H05K1/03

CPC分类号： C01B21/068 ,  B32B18/00 ,  C01P2006/32 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/368 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49877 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。

公开(公告)号：CN107840664A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710846104.8

申请日：2017-09-19

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 野本祐辉 ,  井上胜弘 ,  田中启 ,  胜田祐司

IPC分类号： C04B35/599 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/597 ,  B32B18/00 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/345 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/704 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/145 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/77

摘要： 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。