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公开(公告)号:CN105374813A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201410844399.1
申请日:2014-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , H01L27/0207 , H01L27/11807 , H01L2027/11874
Abstract: 本发明提供了一种用于单元行设计的后布局邻接处理。在实施例中,将第一单元和第二单元放置在第一单元行中以及将第三单元和第四单元放置至第二单元行内。在放置之后分析将电源和接地轨连接至下面的结构的通孔以确定这些通孔是否可以合并或完全去除。通过合并和去除紧密放置的通孔,可以绕开光刻的物理限制,允许形成更小的结构。
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公开(公告)号:CN104051382A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310294054.9
申请日:2013-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/603
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/1184 , H01L2224/11848 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法,该方法包括压印底部封装件的焊球,其中在压印步骤之后,焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。
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公开(公告)号:CN103515342A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201210425205.5
申请日:2012-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种器件,该器件包括第一封装部件和第二封装部件。第一封装部件包括位于第一封装部件顶面处的第一多个连接件以及位于该顶面处的第二多个连接件。第二封装部件位于第一多个连接件上方并且与第一多个连接件接合,其中,第二多个连接件未接合至第二封装部件。阻焊剂位于第一封装部件的顶面上。沟槽设置在阻焊剂中,其中,阻焊剂的部分将第二多个连接件与第一多个连接件间隔开。本发明还提供了封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN103378040A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201310002713.7
申请日:2013-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/4824 , H01L21/563 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/16056 , H01L2224/16146 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件封装件及半导体器件封装方法。在一种实施例中,由于半导体器件的封装件包括衬底以及设置在衬底的第一表面上的接触焊盘。接触焊盘具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧。导电线路连接至接触焊盘的第一侧,并且导电线路的延伸部连接至接触焊盘的第二侧。多个接合焊盘设置在衬底的第二表面上。
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公开(公告)号:CN102054811B
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201010158589.X
申请日:2010-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种集成电路结构,包括:一第一工作部件及一第二工作部件。第一工作部件包括一半导体基底以及位于半导体基底上方的一铜凸块。第二工作部件包括一接合垫。一焊料邻接于第一工作部件与第二工作部件之间,其中焊料将铜凸块电性连接至接合垫。焊料包括钯。本发明使焊料的可靠度有明显的改善。
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公开(公告)号:CN102254872A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201010546700.2
申请日:2010-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/13006 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体结构以及半导体元件的形成方法,半导体结构包括一第一基板、一第二基板以及一导电材料。第一基板具有形成于其上的电路。第二基板包括一第一接垫、一第一缓冲层以及一第一导体焊垫,其中第一缓冲层位于第一接垫上,且第一缓冲层的一开口暴露出至少部分的第一接垫,第一导体焊垫电性接触第一接垫并具有一非平坦的表面,第一导体焊垫沿着开口的侧壁而形成并延伸至至少部分的第一缓冲层上。导电材料插置于第一基板与第二基板之间,导电材料直接接触第一导体焊垫。本发明可减少凸块与芯片之间的界面区域中的应力。
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公开(公告)号:CN101217122A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200710104210.5
申请日:2007-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/3457 , H01L21/4853 , H01L2224/16 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H05K2203/0278 , H05K2203/043
Abstract: 本发明揭示一种集成电路结构的形成方法,包含:提供封装体,其具有上表面;将多个软焊料球状物置于上述封装体的该上表面;放置共平面表面,使其倚靠上述软焊料球状物,其中上述共平面表面不具有粘着性;对上述软焊料球状物进行回焊,而使上述软焊料球状物的上表面实质上为共平面;以及除去上述共平面表面。本发明的优点是无需额外的工艺步骤,即可显著改善球栅阵列球状物的平面度。
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公开(公告)号:CN101197294A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200710180740.8
申请日:2007-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 吴俊毅
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/4846 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H05K3/205 , H05K3/3473 , H05K2201/09745 , H05K2201/10674 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种封装基底的形成方法与芯片的封装方法,其中通过反向增层的方法,以形成一封装基底,包含:形成多个凸块;形成一互连线结构连接上述凸块;以及形成多个球栅阵列球状物于上述互连线结构上。上述球栅阵列球状物经由上述互连线结构,而电性连接上述凸块。形成上述凸块的步骤的顺序在形成上述互连线结构与形成上述球栅阵列球状物之前。
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公开(公告)号:CN113380746B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202110149016.9
申请日:2021-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 一种半导体器件,包括再分布结构,该再分布结构包括:导电部件;介电层;以及在该介电层的第一介电层内的内部支撑件,其中,内部支撑件没有无源器件和有源器件;第一互连结构,附接到再分布结构的第一侧;第二互连结构,附接到再分布结构的第一侧,其中,第二互连结构横向邻近第一互连结构,其中,内部支撑件与第一互连结构和第二互连结构横向重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号:CN112687665B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202010235485.8
申请日:2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体器件及其形成方法,半导体器件包括:第一晶片上芯片(CoW)器件,具有第一中介层及贴合到第一中介层的第一侧的第一管芯;第二晶片上芯片器件,具有第二中介层及贴合到第二中介层的第一侧的第二管芯,第二中介层与第一中介层在横向上间隔开;以及重布线结构,沿第一中介层的与所述第一中介层的第一侧相对的第二侧延伸,且沿第二中介层的与所述第二中介层的第一侧相对的第二侧延伸,所述重布线结构从第一晶片上芯片器件连续延伸到第二晶片上芯片器件。
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