半导体器件和结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113380746B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202110149016.9

    申请日:2021-02-03

    Inventor: 吴俊毅 余振华

    Abstract: 一种半导体器件,包括再分布结构,该再分布结构包括:导电部件;介电层;以及在该介电层的第一介电层内的内部支撑件,其中,内部支撑件没有无源器件和有源器件;第一互连结构,附接到再分布结构的第一侧;第二互连结构,附接到再分布结构的第一侧,其中,第二互连结构横向邻近第一互连结构,其中,内部支撑件与第一互连结构和第二互连结构横向重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。

    半导体器件及其形成方法
    90.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112687665B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202010235485.8

    申请日:2020-03-30

    Abstract: 一种半导体器件及其形成方法,半导体器件包括:第一晶片上芯片(CoW)器件,具有第一中介层及贴合到第一中介层的第一侧的第一管芯;第二晶片上芯片器件,具有第二中介层及贴合到第二中介层的第一侧的第二管芯,第二中介层与第一中介层在横向上间隔开;以及重布线结构,沿第一中介层的与所述第一中介层的第一侧相对的第二侧延伸,且沿第二中介层的与所述第二中介层的第一侧相对的第二侧延伸,所述重布线结构从第一晶片上芯片器件连续延伸到第二晶片上芯片器件。

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