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公开(公告)号：CN105448862B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN102881678B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110368825.5
申请日：2011-11-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈宪伟
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L23/544 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/06 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2223/54493 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/06179 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 提供了用于识别切割管芯的取向的机制。通过在管芯的不同于其他角落的一个角落中的角落应力消除区中形成金属图案，使用者可以很容易地识别管芯的取向。本发明还提供了标记切割管芯取向的机制。
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公开(公告)号：CN102386147A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110254765.4
申请日：2011-08-31
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/76885 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05019 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05118 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13083 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/01028 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。
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公开(公告)号：CN102386147B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110254765.4
申请日：2011-08-31
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/76885 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05019 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05118 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13083 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/01028 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。
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公开(公告)号：CN105448862A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN104681541B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410709725.8
申请日：2014-11-28
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 小山英寿
IPC分类号： H01L23/532
CPC分类号： H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。
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公开(公告)号：CN104681541A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410709725.8
申请日：2014-11-28
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 小山英寿
IPC分类号： H01L23/532
CPC分类号： H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。
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公开(公告)号：CN104185666A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201280070496.9
申请日：2012-10-01
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： C09J163/00 , C09J7/00 , C09J11/06 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/293 , C08K5/092 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/051 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11825 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13575 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/271 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/81907 , H01L2224/831 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8349 , H01L2224/83862 , H01L2224/9205 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H05K3/305 , H05K3/3436 , H05K2201/0367 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2224/11
摘要： 本发明涉及一种半导体用粘接剂，其含有环氧树脂、固化剂和具有下述式(1-1)或(1-2)所示基团的化合物。式中，R1表示供电子性基团、多个存在的R1相互可以相同也可以不同。
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公开(公告)号：CN104137246A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010640.4
申请日：2013-02-22
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , B23K35/3612 , B23K35/3618 , C08K5/092 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2463/00 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2021/60 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/051 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11825 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13575 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/271 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/81907 , H01L2224/831 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/06 , H01L2924/10253 , H01L2224/16145 , H05K3/305 , H05K3/3436 , H05K2201/0367 , H05K2201/10977 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2224/11
摘要： 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其为半导体芯片和布线电路基板各自的连接部相互电连接而成的半导体装置或多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具备将所述连接部的至少一部分用含有具有下述式(1-1)或(1-2)所示基团的化合物的半导体用粘接剂密封的工序。式中，R1表示供电子性基团、多个存在的R1相互可以相同也可以不同。
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公开(公告)号：CN102881678A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110368825.5
申请日：2011-11-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈宪伟
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L23/544 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/06 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2223/54493 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/06179 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 提供了用于识别切割管芯的取向的机制。通过在管芯的不同于其他角落的一个角落中的角落应力消除区中形成金属图案，使用者可以很容易地识别管芯的取向。本发明还提供了标记切割管芯取向的机制。
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