公开(公告)号：US20130270698A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13448217

申请日：2012-04-16

申请人： Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Yu-Feng CHEN ,  Tsung-Ding WANG

发明人： Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Yu-Feng CHEN ,  Tsung-Ding WANG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor die having first and second conductive pads, and a substrate having third and fourth bonding pads. A width ratio of the first conductive pad over the third bonding pad at an inner region is different from a width ratio of the second conductive pad over the fourth bonding pad at an outer region.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一和第二导电焊盘的半导体管芯，以及具有第三和第四焊盘的衬底。 第一导电焊盘在内部区域的第三接合焊盘上的宽度比不同于外部区域处的第四接合焊盘上的第二导电焊盘的宽度比。

公开(公告)号：US20110018128A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12757440

申请日：2010-04-09

申请人： Hsiu-Ping WEI ,  Shin-Puu JENG ,  Hao-Yi TSAI ,  Hsien-Wei CHEN ,  Yu-Wen LIU ,  Ying-Ju CHEN ,  Tzuan-Horng LIU

发明人： Hsiu-Ping WEI ,  Shin-Puu JENG ,  Hao-Yi TSAI ,  Hsien-Wei CHEN ,  Yu-Wen LIU ,  Ying-Ju CHEN ,  Tzuan-Horng LIU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor package structure is provided. The structure includes a semiconductor chip having a plurality of interconnect layers formed thereover. A first passivation layer is formed over the plurality of interconnect layers. A stress buffer layer is formed over the first passivation layer. A bonding pad is formed over the stress buffer layer. A second passivation layer is formed over a portion of the bonding pad, the second passivation having at least one opening therein exposing a portion of the bonding pad.

摘要翻译： 提供半导体封装结构。 该结构包括其上形成有多个互连层的半导体芯片。 在多个互连层上形成第一钝化层。 在第一钝化层上形成应力缓冲层。 在应力缓冲层上形成接合焊盘。 在接合焊盘的一部分上形成第二钝化层，第二钝化层具有至少一个开口，露出焊接区的一部分。

公开(公告)号：US20130113097A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13291550

申请日：2011-11-08

申请人： Tsung-Yuan YU ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Shih-Wei LIANG

发明人： Tsung-Yuan YU ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Shih-Wei LIANG

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/14 ,  G06F2217/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： In a method of improving ball strength of a semiconductor device, a ball pattern of a plurality of connection balls to be formed as electrical connections for the semiconductor device is received. The pattern includes a number of columns and rows crossing each other. The balls are arranged at intersections of the columns and rows. An arrangement of balls in a region of the ball pattern is modified so that the region includes no isolated balls.

摘要翻译： 在提高半导体器件的球强度的方法中，接收要形成为半导体器件的电连接的多个连接球的球形图案。 该图案包括彼此交叉的多个列和行。 球排列在列和行的交点处。 在球形图案的区域中的球的布置被修改，使得该区域不包括孤立的球。

公开(公告)号：US20120098121A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12909458

申请日：2010-10-21

申请人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN

发明人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00

摘要： A conductive feature on a semiconductor component is disclosed. A first passivation layer is formed over a substrate. A bond pad is formed over the first passivation layer. A second passivation layer overlies the first passivation layer and the bond pad. The second passivation layer has a first opening overlying the bond pad and a plurality of second openings exposing a top surface of the first passivation layer. A buffer layer overlies the second passivation layer and fills the plurality of second openings. The buffer layer has a third opening overlapping the first opening and together exposes a portion the bond pad. The combined first opening and third opening has sidewalls. An under bump metallurgy (UBM) layer overlies the sidewalls of the combined first opening and third opening, and contacts the exposed portion of the bond pad. A conductive feature overlies the UBM layer.

摘要翻译： 公开了半导体部件上的导电特征。 在衬底上形成第一钝化层。 在第一钝化层上形成接合焊盘。 第二钝化层覆盖第一钝化层和接合焊盘。 第二钝化层具有覆盖接合焊盘的第一开口和暴露第一钝化层的顶表面的多个第二开口。 缓冲层覆盖在第二钝化层上并填充多个第二开口。 缓冲层具有与第一开口重叠的第三开口并且一起暴露接合焊盘的一部分。 组合的第一开口和第三开口具有侧壁。 凸块下金属（UBM）层覆盖在组合的第一开口和第三开口的侧壁上，并且与接合焊盘的暴露部分接触。 导电特征覆盖在UBM层上。

公开(公告)号：US20120091455A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12984669

申请日：2011-01-05

申请人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN ,  Hao-Yi TSAI ,  Mirng-Ji LII

发明人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN ,  Hao-Yi TSAI ,  Mirng-Ji LII

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L22/32 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A pad structure in a semiconductor wafer for wafer testing is described. The pad structure includes at least two metal pads connected there-between by a plurality of conductive vias in one or more insulation layers. A plurality of contact bars in contact with the bottom-most metal pad extends substantially vertically from the bottom-most metal pad into the substrate. An isolation structure substantially surrounds the plurality of contact bars to isolate the pad structure.

摘要翻译： 描述用于晶片测试的半导体晶片中的焊盘结构。 焊盘结构包括至少两个连接在其上的金属焊盘，其间由一个或多个绝缘层中的多个导电通孔组成。 与最底部的金属焊盘接触的多个接触棒从最底部的金属焊盘基本垂直地延伸到衬底中。 隔离结构基本上围绕多个接触杆以隔离垫结构。

公开(公告)号：US20130043598A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13212536

申请日：2011-08-18

申请人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Shih-Wei LIANG

发明人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Shih-Wei LIANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Mechanisms of forming a bond pad structure are provided. The bond pad has a recess region, which is formed by an opening in the passivation layer underneath the bond pad. An upper passivation layer covers at least the recess region of the bond pad to reduce trapping of patterning and/or etching residues in the recess region. As a result, the likelihood of bond pad corrosion is reduced.

摘要翻译： 提供了形成接合焊盘结构的机理。 接合焊盘具有凹陷区域，该凹陷区域由接合焊盘下方的钝化层中的开口形成。 上钝化层至少覆盖接合焊盘的凹陷区域，以减少凹陷区域中图案化和/或蚀刻残留物的捕获。 结果，焊盘腐蚀的可能性降低。

公开(公告)号：US20130093077A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13272540

申请日：2011-10-13

申请人： Shih-Wei LIANG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Mirng-Ji LII

发明人： Shih-Wei LIANG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Mirng-Ji LII

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a passivation layer, a first protective layer, an interconnect layer, and a second protective layer successively formed on a semiconductor substrate. The interconnect layer has an exposed portion, on which a barrier layer and a solder bump are formed. At least one of the passivation layer, the first protective layer, the interconnect layer and the second protective layer includes at least one slot formed in a region outside a conductive pad region.

摘要翻译： 半导体器件包括依次形成在半导体衬底上的钝化层，第一保护层，互连层和第二保护层。 互连层具有暴露部分，其上形成有阻挡层和焊料凸块。 钝化层，第一保护层，互连层和第二保护层中的至少一个包括形成在导电焊盘区域外的区域中的至少一个槽。

公开(公告)号：US20100283149A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12762558

申请日：2010-04-19

申请人： Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN

发明人： Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor substrate is provided having a first metal layer formed over a first insulating layer. A second insulating layer is formed having a first damascene opening, the first opening having a second insulating layer portion formed therein. A resist layer is deposited to fill the first opening and the resist layer is thereafter patterned to form an etching mask for etching a second damascene opening. The second opening is etched into a portion of the second insulating layer, the second opening exposing a portion of the first metal layer. A second metal layer is formed to include filling the first and second damascene openings embedding the second insulating layer portion in the second metal layer. The second metal layer is planarized and a passivation layer is formed above the second insulating layer and the second metal layer, wherein the passivation layer partially covers the second metal layer.

摘要翻译： 提供了具有形成在第一绝缘层上的第一金属层的半导体衬底。 第二绝缘层形成有第一镶嵌开口，第一开口具有形成在其中的第二绝缘层部分。 沉积抗蚀剂层以填充第一开口，然后对抗蚀剂层进行图案化以形成用于蚀刻第二镶嵌开口的蚀刻掩模。 第二开口蚀刻到第二绝缘层的一部分中，第二开口暴露第一金属层的一部分。 第二金属层被形成为包括将第二绝缘层部分嵌入第二金属层中的第一和第二镶嵌开口的填充。 第二金属层被平坦化，并且在第二绝缘层和第二金属层之上形成钝化层，其中钝化层部分地覆盖第二金属层。

公开(公告)号：US20120206374A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13026610

申请日：2011-02-14

申请人： Ying-Ju CHEN ,  Hsueh-Chun CHEN ,  Nicole Alexandra CODDINGTON

发明人： Ying-Ju CHEN ,  Hsueh-Chun CHEN ,  Nicole Alexandra CODDINGTON

IPC分类号： G06F3/041

CPC分类号： G06F3/03545 ,  G06F3/04883

摘要： Methods and systems for screen data management are provided. First, a screenshot is generated for screen data displayed in a touch-sensitive display unit. Contacts and movements of an object on the touch-sensitive display unit are received. It is determined whether the object is a pen or not. When the object is a pen, gestures corresponding to the contacts and movements of the object are recorded. Then, an event is received. In response to the event, the screenshot and the gestures corresponding to the contacts and movements of the object are merged to generate an integrated screenshot.

摘要翻译： 提供了屏幕数据管理的方法和系统。 首先，生成用于在触敏显示单元中显示的画面数据的截图。 接收触敏显示单元上的物体的触点和移动。 确定对象是否是笔。 当物体是笔时，记录与物体的触点和移动相对应的手势。 然后，收到一个事件。 响应于该事件，与对象的联系人和移动相对应的屏幕截图和手势被合并以产生集成屏幕截图。

公开(公告)号：US20120137255A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13301192

申请日：2011-11-21

申请人： David FOLCHI ,  Ying-Ju CHEN

发明人： David FOLCHI ,  Ying-Ju CHEN

IPC分类号： G06F3/048

CPC分类号： G06F17/30716 ,  G06F17/30551

摘要： Note management methods and systems are provided. First, inputs are received along a timeline, and at least one note is generated according to the inputs. The at least one note is recorded and arranged along the timeline. In some embodiments, a thumbnail is generated for a respective predefined interval on the timeline according to the at least one node in the respective predefined interval, and the thumbnail of the respective predefined interval is displayed along the timeline.

摘要翻译： 备注管理方法和系统。 首先，沿着时间线接收输入，并且根据输入生成至少一个音符。 至少一个音符沿时间轴记录和排列。 在一些实施例中，根据相应预定间隔中的至少一个节点，在时间线上针对相应的预定义间隔生成缩略图，并且沿着时间线显示相应预定义间隔的缩略图。