公开(公告)号：CN109103151A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201711289178.2

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡宗甫 ,  余振华 ,  蔡柏豪 ,  林士庭 ,  卢思维 ,  蔡鸿伟 ,  蔡承轩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明实施例公开集成扇出式封装。一种集成扇出式封装包括第一芯片、重布线层结构、多个连接垫、多个虚设图案、多个微凸块、第二芯片、及底胶层。所述重布线层结构电连接到所述第一芯片。所述连接垫电连接到所述重布线层结构。所述虚设图案位于所述连接垫的一侧。所述微凸块电连接到所述连接垫。所述第二芯片电连接到所述微凸块。所述底胶层覆盖所述多个虚设图案并环绕所述微凸块。

公开(公告)号：CN108122876A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710541143.7

申请日：2017-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡柏豪 ,  林俊成 ,  苏安治

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

Abstract: 提供一种芯片封装结构，芯片封装结构包含一芯片结构，一接地凸块，一导电屏蔽膜。第一接地凸块，位于芯片结构下方。导电屏蔽膜设置于芯片结构上方并延伸至第一接地凸块上，导电屏蔽膜电性连接至第一接地凸块。

公开(公告)号：CN108074914A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710432643.7

申请日：2017-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/552 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 提供芯片封装结构，芯片封装结构包含重布线结构，重布线结构包含介电结构和在介电结构中的接地线，接地线包含主要部分和连接至主要部分且从介电结构横向露出的末端扩大部分。芯片封装结构包含芯片结构位于重布线结构上方。芯片封装结构包含导电屏蔽膜设置于芯片结构和末端扩大部分的第一侧壁上方，导电屏蔽膜电性连接至接地线，末端扩大部分的厚度从主要部分增加至导电屏蔽膜。

公开(公告)号：CN107293518A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710191262.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡柏豪 ,  林俊成 ,  郑礼辉

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明实施例提供的方法包括形成半导体器件，该半导体器件包括由模塑材料围绕的半导体管芯，其中，半导体器件的接触金属件具有暴露的边缘，将半导体器件置于具有内壁和外壁的托盘内，其中，该内壁位于半导体器件下面并且位于半导体器件的外边缘和半导体器件的凸块的外边缘之间，在半导体器件和托盘上沉积金属屏蔽层，其中，金属屏蔽层与接触金属件的暴露的边缘直接接触，然后将半导体器件与托盘分开。本发明的实施例还提供了叠层封装半导体器件。

公开(公告)号：CN106206529A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510221086.5

申请日：2015-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪 ,  郑礼辉

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1133 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造方法。放置与所述通孔电连接的可回流材料，其中，通孔延伸穿过密封剂。在可回流材料上方形成保护层。在实施例中，在保护层内形成开口以暴露可回流材料。在另一实施例中，形成保护层从而使得可回流材料延伸为远离保护层。本发明涉及半导体器件和制造方法。

公开(公告)号：CN105720018A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510523238.7

申请日：2015-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱梧森 ,  郑礼辉 ,  蔡柏豪 ,  林俊成

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明提供了一种封装件，包括模塑料、穿过模塑料的通孔、模制在模塑料中的器件管芯以及位于模塑料上并接触模塑料的缓冲层。开口穿过缓冲层到达通孔。缓冲层具有位于与模塑料和缓冲层之间的界面平行的平面中并且环绕开口周边的波纹。其他实施例实现接合至该封装件的另一封装件以及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN103972189A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310583359.1

申请日：2013-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈依婷 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11618 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体器件、其制造方法以及半导体器件封装。在一个实施例中，半导体器件包括在衬底的表面上具有开口的绝缘材料层。一个或多个插入凸块设置在绝缘材料层上方。半导体器件包括具有不设置在绝缘材料层上方的部分的信号凸块。

公开(公告)号：CN103137587A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210076845.X

申请日：2012-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于形成凸块结构的机制，其降低了芯片和封装件衬底之间的间距变化。通过在电镀之后平坦化芯片和/或衬底上的凸块结构的焊料层，使得因管芯内和晶圆内位置、图案密度、管芯尺寸以及工艺变化引起的凸块结构的高度变化降至最小。结果，可将芯片和衬底之间的间距控制为一致。因此，底部填充的质量得到改善。本发明还公开了用于底部填充控制的平坦化凸块。

公开(公告)号：CN102903696A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210047895.5

申请日：2012-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄震麟 ,  陈依婷 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  卢思维 ,  林俊成 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81897 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01053 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板，其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。

公开(公告)号：CN102820290A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210159141.9

申请日：2012-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郑心圃 ,  侯上勇 ,  谢政杰 ,  许国经 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  高金福 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及封装集成电路的连接件设计，其中涉及一种器件，该器件包括具有顶面的顶部介电层。金属柱具有位于顶部介电层的顶面上方的部分。非润湿的层形成在金属柱的侧壁上，其中，非润湿的层不可被熔化的焊料湿润。焊料区域被设置在金属柱上方并且与其电连接。